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  • Dissertação (Mestrado)

    Propriedades de transporte vertical em super-redes de pocos deltas tipo-n em 'GA''AS' (1997)

    Rodrigues, Sara Cristina Pinto; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FÍSICA, CIRCUITOS ELETRÔNICOS

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    • ABNT

      RODRIGUES, Sara Cristina Pinto. Propriedades de transporte vertical em super-redes de pocos deltas tipo-n em 'GA''AS'. 1997. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. . Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Rodrigues, S. C. P. (1997). Propriedades de transporte vertical em super-redes de pocos deltas tipo-n em 'GA''AS' (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

    • NLM

      Rodrigues SCP. Propriedades de transporte vertical em super-redes de pocos deltas tipo-n em 'GA''AS'. 1997 ;[citado 2025 nov. 08 ]

    • Vancouver

      Rodrigues SCP. Propriedades de transporte vertical em super-redes de pocos deltas tipo-n em 'GA''AS'. 1997 ;[citado 2025 nov. 08 ]

  • Tese (Doutorado)

    Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS' (1996)

    França, Ecio Jose; Assali, Lucy Vitoria Credidio (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      FRANÇA, Ecio Jose. Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS'. 1996. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1996. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      França, E. J. (1996). Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS' (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/

    • NLM

      França EJ. Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS' [Internet]. 1996 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/

    • Vancouver

      França EJ. Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS' [Internet]. 1996 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/

  • Tese (Doutorado)

    Propriedades eletronicas e estruturais de micro-aglomerados de 'GA''AS' (1996)

    Piquini, Paulo Cesar; Fazzio, Adalberto (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      PIQUINI, Paulo Cesar. Propriedades eletronicas e estruturais de micro-aglomerados de 'GA''AS'. 1996. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1996. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-18072012-120536/. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Piquini, P. C. (1996). Propriedades eletronicas e estruturais de micro-aglomerados de 'GA''AS' (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-18072012-120536/

    • NLM

      Piquini PC. Propriedades eletronicas e estruturais de micro-aglomerados de 'GA''AS' [Internet]. 1996 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-18072012-120536/

    • Vancouver

      Piquini PC. Propriedades eletronicas e estruturais de micro-aglomerados de 'GA''AS' [Internet]. 1996 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-18072012-120536/

  • Tese (Doutorado)

    Rs-lmto-asa-2d: calculo de estrutura eletronica em sistemas bidimensionais (1995)

    Peduto, Pascoal Roberto; Frota-Pessoa, Sonia (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      PEDUTO, Pascoal Roberto. Rs-lmto-asa-2d: calculo de estrutura eletronica em sistemas bidimensionais. 1995. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1995. . Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Peduto, P. R. (1995). Rs-lmto-asa-2d: calculo de estrutura eletronica em sistemas bidimensionais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

    • NLM

      Peduto PR. Rs-lmto-asa-2d: calculo de estrutura eletronica em sistemas bidimensionais. 1995 ;[citado 2025 nov. 08 ]

    • Vancouver

      Peduto PR. Rs-lmto-asa-2d: calculo de estrutura eletronica em sistemas bidimensionais. 1995 ;[citado 2025 nov. 08 ]

  • Dissertação (Mestrado)

    Topologia da superficie de fermi em 'GA''AS' dopado periodicamente com 'SI' (1994)

    Goncalves, Luiz Carlos Donizetti; Henriques, André Bohomoletz (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      GONCALVES, Luiz Carlos Donizetti. Topologia da superficie de fermi em 'GA''AS' dopado periodicamente com 'SI'. 1994. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1994. . Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Goncalves, L. C. D. (1994). Topologia da superficie de fermi em 'GA''AS' dopado periodicamente com 'SI' (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

    • NLM

      Goncalves LCD. Topologia da superficie de fermi em 'GA''AS' dopado periodicamente com 'SI'. 1994 ;[citado 2025 nov. 08 ]

    • Vancouver

      Goncalves LCD. Topologia da superficie de fermi em 'GA''AS' dopado periodicamente com 'SI'. 1994 ;[citado 2025 nov. 08 ]

  • Tese (Doutorado)

    Propriedades eletronicas de super-redes com dopagem planar e de heteroestruturas epitaxiais (1994)

    Beliaev, Dmitri; Leite, J. R. (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      BELIAEV, Dmitri. Propriedades eletronicas de super-redes com dopagem planar e de heteroestruturas epitaxiais. 1994. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1994. . Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Beliaev, D. (1994). Propriedades eletronicas de super-redes com dopagem planar e de heteroestruturas epitaxiais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

    • NLM

      Beliaev D. Propriedades eletronicas de super-redes com dopagem planar e de heteroestruturas epitaxiais. 1994 ;[citado 2025 nov. 08 ]

    • Vancouver

      Beliaev D. Propriedades eletronicas de super-redes com dopagem planar e de heteroestruturas epitaxiais. 1994 ;[citado 2025 nov. 08 ]
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