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Trabalho de evento-resumo
III-Te 2D structures for optoelectronic devices (2018)
Olmos-Asar, Jimena Anahí; Fazzio, Adalberto; Leao, Cedric Rocha
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro de Outono. Unidade: IF
Assuntos: ÓPTICA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
OLMOS-ASAR, Jimena Anahí e FAZZIO, Adalberto e LEAO, Cedric Rocha. III-Te 2D structures for optoelectronic devices. 2018, Anais.. São Paulo: SBF, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf. Acesso em: 17 jul. 2024.
APA
Olmos-Asar, J. A., Fazzio, A., & Leao, C. R. (2018). III-Te 2D structures for optoelectronic devices. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
NLM
Olmos-Asar JA, Fazzio A, Leao CR. III-Te 2D structures for optoelectronic devices [Internet]. Resumo. 2018 ;[citado 2024 jul. 17 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
Vancouver
Olmos-Asar JA, Fazzio A, Leao CR. III-Te 2D structures for optoelectronic devices [Internet]. Resumo. 2018 ;[citado 2024 jul. 17 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
Artigo de periodico
Thermal evaporation versus spin-coating: electrical performance in columnar liquid crystal OLEDs (2015)
Eccher, Juliana; Zajaczkowski, Wojciech; Faria, Gregório Couto; Bock, Harald; Seggern, Heinz von; Pisula, Wojciech; Bechtold, Ivan H.
Fonte: ACS Applied Materials and Interfaces. Unidade: IFSC
Assuntos: CRISTAIS LÍQUIDOS, ÓPTICA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
ECCHER, Juliana et al. Thermal evaporation versus spin-coating: electrical performance in columnar liquid crystal OLEDs. ACS Applied Materials and Interfaces, v. 7, n. 30, p. 16374-16381, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acsami.5b03496. Acesso em: 17 jul. 2024.
APA
Eccher, J., Zajaczkowski, W., Faria, G. C., Bock, H., Seggern, H. von, Pisula, W., & Bechtold, I. H. (2015). Thermal evaporation versus spin-coating: electrical performance in columnar liquid crystal OLEDs. ACS Applied Materials and Interfaces, 7( 30), 16374-16381. doi:10.1021/acsami.5b03496
NLM
Eccher J, Zajaczkowski W, Faria GC, Bock H, Seggern H von, Pisula W, Bechtold IH. Thermal evaporation versus spin-coating: electrical performance in columnar liquid crystal OLEDs [Internet]. ACS Applied Materials and Interfaces. 2015 ; 7( 30): 16374-16381.[citado 2024 jul. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsami.5b03496
Vancouver
Eccher J, Zajaczkowski W, Faria GC, Bock H, Seggern H von, Pisula W, Bechtold IH. Thermal evaporation versus spin-coating: electrical performance in columnar liquid crystal OLEDs [Internet]. ACS Applied Materials and Interfaces. 2015 ; 7( 30): 16374-16381.[citado 2024 jul. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsami.5b03496
Tese (Doutorado)
Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD (2007)
Souza, Denise Criado Pereira de ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: ESTRUTURA DOS MATERIAIS, DIELÉTRICOS (PROPRIEDADES), ÓPTICA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES, SILÍCIO
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ABNT
SOUZA, Denise Criado Pereira de. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD. 2007. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/. Acesso em: 17 jul. 2024.
APA
Souza, D. C. P. de. (2007). Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/
NLM
Souza DCP de. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jul. 17 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/
Vancouver
Souza DCP de. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jul. 17 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/
Tese (Doutorado)
Crescimento e caraterização de GaN dopado com carbono e de ligas de InGaN não dopadas na fase cúbica (2004)
Salazar, David Gregorio Pacheco; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ÓPTICA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SALAZAR, David Gregorio Pacheco. Crescimento e caraterização de GaN dopado com carbono e de ligas de InGaN não dopadas na fase cúbica. 2004. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 17 jul. 2024.
APA
Salazar, D. G. P. (2004). Crescimento e caraterização de GaN dopado com carbono e de ligas de InGaN não dopadas na fase cúbica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Salazar DGP. Crescimento e caraterização de GaN dopado com carbono e de ligas de InGaN não dopadas na fase cúbica. 2004 ;[citado 2024 jul. 17 ]
Vancouver
Salazar DGP. Crescimento e caraterização de GaN dopado com carbono e de ligas de InGaN não dopadas na fase cúbica. 2004 ;[citado 2024 jul. 17 ]

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