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  • Relatorio tecnico

    The resistance of 2D Topological insulator in the absence of the quantized transport (2013)

    Gusev, Guennadii Michailovich; Kvon, Z D; Olshanetsky, E B; Levine, Alexandre; Krupko, Y; Portal, J C; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A

    Unidade: IF

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, MAGNETISMO (RESISTÊNCIA)

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    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. The resistance of 2D Topological insulator in the absence of the quantized transport. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://lanl.arxiv.org/pdf/1308.4356v1.pdf. Acesso em: 26 jun. 2024. , 2013

    • APA

      Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Levine, A., Krupko, Y., Portal, J. C., et al. (2013). The resistance of 2D Topological insulator in the absence of the quantized transport. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://lanl.arxiv.org/pdf/1308.4356v1.pdf

    • NLM

      Gusev GM, Kvon ZD, Olshanetsky EB, Levine A, Krupko Y, Portal JC, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. The resistance of 2D Topological insulator in the absence of the quantized transport [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1308.4356v1.pdf

    • Vancouver

      Gusev GM, Kvon ZD, Olshanetsky EB, Levine A, Krupko Y, Portal JC, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. The resistance of 2D Topological insulator in the absence of the quantized transport [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1308.4356v1.pdf

  • Trabalho de evento-anais periodico

    Tuning of the Landé g-factor in 'AL' IND. x''GA' IND. 1−x''AS'/'AL''AS' single and double quantum wells (2013)

    Hernández, Felix Guillermo Gonzales; Bakarov, A. K.; Gusev, Gennady

    Source: Journal of Physics Conference Series. Conference titles: INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE APPLICATION OF HIGH MAGNETIC FIELDS IN SEMICONDUCTOR PHYSICS (HMF-20). Unidade: IF

    Subjects: SPIN, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      HERNÁNDEZ, Felix Guillermo Gonzales e BAKAROV, A. K. e GUSEV, Gennady. Tuning of the Landé g-factor in 'AL' IND. x''GA' IND. 1−x''AS'/'AL''AS' single and double quantum wells. Journal of Physics Conference Series. Bristol: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://iopscience.iop.org/1742-6596/456/1/012015/. Acesso em: 26 jun. 2024. , 2013

    • APA

      Hernández, F. G. G., Bakarov, A. K., & Gusev, G. (2013). Tuning of the Landé g-factor in 'AL' IND. x''GA' IND. 1−x''AS'/'AL''AS' single and double quantum wells. Journal of Physics Conference Series. Bristol: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://iopscience.iop.org/1742-6596/456/1/012015/

    • NLM

      Hernández FGG, Bakarov AK, Gusev G. Tuning of the Landé g-factor in 'AL' IND. x''GA' IND. 1−x''AS'/'AL''AS' single and double quantum wells [Internet]. Journal of Physics Conference Series. 2013 ; 456 UNSP 012015.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://iopscience.iop.org/1742-6596/456/1/012015/

    • Vancouver

      Hernández FGG, Bakarov AK, Gusev G. Tuning of the Landé g-factor in 'AL' IND. x''GA' IND. 1−x''AS'/'AL''AS' single and double quantum wells [Internet]. Journal of Physics Conference Series. 2013 ; 456 UNSP 012015.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://iopscience.iop.org/1742-6596/456/1/012015/

  • Curadoria

    Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16 (2013)

    Sipahi, Guilherme Matos (cur); Caldas, Marília Junqueira (cur); Pusep, Yuri A. (cur); Egues, José Carlos (cur)

    Unidades: IFSC, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA

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    • ABNT

      Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. . São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. . Acesso em: 26 jun. 2024. , 2013

    • APA

      Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. (2013). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC.

    • NLM

      Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ]

    • Vancouver

      Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ]

  • Artigo de periodico

    Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator (2013)

    Schmidt, Tome M.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto

    Source: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SCHMIDT, Tome M. e MIWA, R. H. e FAZZIO, Adalberto. Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, v. no 2013, n. 44, p. 445003, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/25/44/445003. Acesso em: 26 jun. 2024.

    • APA

      Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2013). Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, no 2013( 44), 445003. doi:10.1088/0953-8984/25/44/445003

    • NLM

      Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2013 ; no 2013( 44): 445003.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/25/44/445003

    • Vancouver

      Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2013 ; no 2013( 44): 445003.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/25/44/445003

  • Artigo de periodico

    Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2' (2013)

    Borges, Pablo D.; Scolfaro, Luisa M.R.; Alves, Horácio W. Leite; Silva Jr., Eronides F. da Silva; Assali, L. V. C.

    Source: Applied Surface Science. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      BORGES, Pablo D. et al. Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2'. Applied Surface Science, v. fe2013, p. 115-118, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.08.096. Acesso em: 26 jun. 2024.

    • APA

      Borges, P. D., Scolfaro, L. M. R., Alves, H. W. L., Silva Jr., E. F. da S., & Assali, L. V. C. (2013). Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2'. Applied Surface Science, fe2013, 115-118. doi:10.1016/j.apsusc.2012.08.096

    • NLM

      Borges PD, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva Jr. EF da S, Assali LVC. Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2' [Internet]. Applied Surface Science. 2013 ; fe2013 115-118.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.08.096

    • Vancouver

      Borges PD, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva Jr. EF da S, Assali LVC. Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2' [Internet]. Applied Surface Science. 2013 ; fe2013 115-118.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.08.096

  • Tese (Doutorado)

    Caracterização estrutural e magnética de amostras de c-GaN implantadas com Fe, Mn e Cu (2013)

    Righetti, Victor Augusto Nieto; Chitta, Valmir Antonio (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, FENÔMENOS MAGNÉTICOS, ESPECTROSCOPIA ÓPTICA

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    • ABNT

      RIGHETTI, Victor Augusto Nieto. Caracterização estrutural e magnética de amostras de c-GaN implantadas com Fe, Mn e Cu. 2013. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-04112014-140905/. Acesso em: 26 jun. 2024.

    • APA

      Righetti, V. A. N. (2013). Caracterização estrutural e magnética de amostras de c-GaN implantadas com Fe, Mn e Cu (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-04112014-140905/

    • NLM

      Righetti VAN. Caracterização estrutural e magnética de amostras de c-GaN implantadas com Fe, Mn e Cu [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-04112014-140905/

    • Vancouver

      Righetti VAN. Caracterização estrutural e magnética de amostras de c-GaN implantadas com Fe, Mn e Cu [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-04112014-140905/

  • Relatorio tecnico

    Transition from insulating to metallic phase induced by in-plane magnetic field in HgTe quantum wells (2013)

    Gusev, Guennadii Michailovich; Olshanetsky, E B; Kvon, Z D; Raichev, O E; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A

    Unidade: IF

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, MAGNETISMO (RESISTÊNCIA)

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    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Transition from insulating to metallic phase induced by in-plane magnetic field in HgTe quantum wells. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://lanl.arxiv.org/pdf/1311.6775v1.pdf. Acesso em: 26 jun. 2024. , 2013

    • APA

      Gusev, G. M., Olshanetsky, E. B., Kvon, Z. D., Raichev, O. E., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2013). Transition from insulating to metallic phase induced by in-plane magnetic field in HgTe quantum wells. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://lanl.arxiv.org/pdf/1311.6775v1.pdf

    • NLM

      Gusev GM, Olshanetsky EB, Kvon ZD, Raichev OE, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Transition from insulating to metallic phase induced by in-plane magnetic field in HgTe quantum wells [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1311.6775v1.pdf

    • Vancouver

      Gusev GM, Olshanetsky EB, Kvon ZD, Raichev OE, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Transition from insulating to metallic phase induced by in-plane magnetic field in HgTe quantum wells [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1311.6775v1.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    Tunable phase in the spin coherence generation of self-assembled (In,Ga)As quantum dots (2013)

    Cordeiro, R C; Vargas, C B; Henriques, André Bohomoletz; Maia, A D B; Quivy, Alain Andre; Koenraad, P M; Bayer, M

    Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS MAGNÉTICOS, POÇOS QUÂNTICOS

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    • ABNT

      CORDEIRO, R C et al. Tunable phase in the spin coherence generation of self-assembled (In,Ga)As quantum dots. 2013, Anais.. São Carlos: UFSCar, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=115. Acesso em: 26 jun. 2024.

    • APA

      Cordeiro, R. C., Vargas, C. B., Henriques, A. B., Maia, A. D. B., Quivy, A. A., Koenraad, P. M., & Bayer, M. (2013). Tunable phase in the spin coherence generation of self-assembled (In,Ga)As quantum dots. In . São Carlos: UFSCar. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=115

    • NLM

      Cordeiro RC, Vargas CB, Henriques AB, Maia ADB, Quivy AA, Koenraad PM, Bayer M. Tunable phase in the spin coherence generation of self-assembled (In,Ga)As quantum dots [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=115

    • Vancouver

      Cordeiro RC, Vargas CB, Henriques AB, Maia ADB, Quivy AA, Koenraad PM, Bayer M. Tunable phase in the spin coherence generation of self-assembled (In,Ga)As quantum dots [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=115

  • Trabalho de evento-resumo

    Nonlocal transport near charge neutrality point in Two-dimensional topological insulator (2013)

    Rahim, Ahmad Ali Abdul; Gusev, G M; Kvon, Z D; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A

    Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

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    • ABNT

      RAHIM, Ahmad Ali Abdul et al. Nonlocal transport near charge neutrality point in Two-dimensional topological insulator. 2013, Anais.. São Carlos: UFSCar, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=75. Acesso em: 26 jun. 2024.

    • APA

      Rahim, A. A. A., Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2013). Nonlocal transport near charge neutrality point in Two-dimensional topological insulator. In . São Carlos: UFSCar. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=75

    • NLM

      Rahim AAA, Gusev GM, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Nonlocal transport near charge neutrality point in Two-dimensional topological insulator [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=75

    • Vancouver

      Rahim AAA, Gusev GM, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Nonlocal transport near charge neutrality point in Two-dimensional topological insulator [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=75

  • Artigo de periodico

    Study of indium nitride and indium oxynitride band gaps (2013)

    Sparvoli, Marina; Mansano, Ronaldo Domingues ; Chubaci, José Fernando Diniz

    Source: MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS. Unidades: EP, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SPARVOLI, Marina e MANSANO, Ronaldo Domingues e CHUBACI, José Fernando Diniz. Study of indium nitride and indium oxynitride band gaps. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS, v. 16, n. 4, p. 850-852, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/S1516-14392013005000063. Acesso em: 26 jun. 2024.

    • APA

      Sparvoli, M., Mansano, R. D., & Chubaci, J. F. D. (2013). Study of indium nitride and indium oxynitride band gaps. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS, 16( 4), 850-852. doi:10.1590/S1516-14392013005000063

    • NLM

      Sparvoli M, Mansano RD, Chubaci JFD. Study of indium nitride and indium oxynitride band gaps [Internet]. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS. 2013 ; 16( 4): 850-852.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1516-14392013005000063

    • Vancouver

      Sparvoli M, Mansano RD, Chubaci JFD. Study of indium nitride and indium oxynitride band gaps [Internet]. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS. 2013 ; 16( 4): 850-852.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1516-14392013005000063

  • Artigo de periodico

    Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices (2013)

    Caroena, G; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco

    Source: Applied Physics Letters. Unidades: EP, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, SPINTRÔNICA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAROENA, G et al. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. Applied Physics Letters, v. 102, n. 6, p. 062101, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4791787. Acesso em: 26 jun. 2024.

    • APA

      Caroena, G., Machado, W. V. M., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2013). Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. Applied Physics Letters, 102( 6), 062101. doi:10.1063/1.4791787

    • NLM

      Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. Applied Physics Letters. 2013 ; 102( 6): 062101.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4791787

    • Vancouver

      Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. Applied Physics Letters. 2013 ; 102( 6): 062101.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4791787

  • Trabalho de evento-resumo

    Mid-gap states and Kondo effect in disordered graphene (2013)

    Miranda, Vladimir G; Silva, Luis Gregório Dias da; Lewenkopf, Caio Henrique

    Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, GRAFENO, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MIRANDA, Vladimir G e SILVA, Luis Gregório Dias da e LEWENKOPF, Caio Henrique. Mid-gap states and Kondo effect in disordered graphene. 2013, Anais.. São Carlos: UFSCar, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=26. Acesso em: 26 jun. 2024.

    • APA

      Miranda, V. G., Silva, L. G. D. da, & Lewenkopf, C. H. (2013). Mid-gap states and Kondo effect in disordered graphene. In . São Carlos: UFSCar. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=26

    • NLM

      Miranda VG, Silva LGD da, Lewenkopf CH. Mid-gap states and Kondo effect in disordered graphene [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=26

    • Vancouver

      Miranda VG, Silva LGD da, Lewenkopf CH. Mid-gap states and Kondo effect in disordered graphene [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=26

  • Trabalho de evento-resumo

    Microwave-induced magnetooscillatons in multilayer systems: Double and Triple quantum wells (2013)

    Gusev, G M

    Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GUSEV, G M. Microwave-induced magnetooscillatons in multilayer systems: Double and Triple quantum wells. 2013, Anais.. São Carlos: UFSCar, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=2. Acesso em: 26 jun. 2024.

    • APA

      Gusev, G. M. (2013). Microwave-induced magnetooscillatons in multilayer systems: Double and Triple quantum wells. In . São Carlos: UFSCar. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=2

    • NLM

      Gusev GM. Microwave-induced magnetooscillatons in multilayer systems: Double and Triple quantum wells [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=2

    • Vancouver

      Gusev GM. Microwave-induced magnetooscillatons in multilayer systems: Double and Triple quantum wells [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=2

  • Artigo de periodico

    First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire (2013)

    Wrasse, E O; Baierle, R. J.; Schmidt, T. M.; Fazzio, Adalberto

    Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      WRASSE, E O et al. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire. PHYSICAL REVIEW B, v. fe2013, n. 8, p. 085428, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428. Acesso em: 26 jun. 2024.

    • APA

      Wrasse, E. O., Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2013). First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire. PHYSICAL REVIEW B, fe2013( 8), 085428. doi:10.1103/PhysRevB.87.085428

    • NLM

      Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; fe2013( 8): 085428.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428

    • Vancouver

      Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; fe2013( 8): 085428.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428

  • Artigo de periodico

    Hydrogen influence on the electrical properties of sputtered 'IN''N' thin films (2013)

    Sparvoli, Marina ; Mansano, Ronaldo Domingues ; Chubaci, José Fernando Diniz

    Source: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. Unidades: EP, IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SPARVOLI, Marina e MANSANO, Ronaldo Domingues e CHUBACI, José Fernando Diniz. Hydrogen influence on the electrical properties of sputtered 'IN''N' thin films. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, v. 210, n. 8, p. 1606-1611, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssa.201228477. Acesso em: 26 jun. 2024.

    • APA

      Sparvoli, M., Mansano, R. D., & Chubaci, J. F. D. (2013). Hydrogen influence on the electrical properties of sputtered 'IN''N' thin films. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 210( 8), 1606-1611. doi:10.1002/pssa.201228477

    • NLM

      Sparvoli M, Mansano RD, Chubaci JFD. Hydrogen influence on the electrical properties of sputtered 'IN''N' thin films [Internet]. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 2013 ; 210( 8): 1606-1611.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.201228477

    • Vancouver

      Sparvoli M, Mansano RD, Chubaci JFD. Hydrogen influence on the electrical properties of sputtered 'IN''N' thin films [Internet]. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 2013 ; 210( 8): 1606-1611.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.201228477

  • Artigo de periodico

    Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas (2013)

    Hernandez, Felix Guillermo Gonzalez ; Bakarov, A. K.; Nunes, Leonardo Martins; Gusev, Guennadii

    Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF

    Subjects: CAMPO MAGNÉTICO, SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      HERNANDEZ, Felix Guillermo Gonzalez et al. Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas. PHYSICAL REVIEW B, v. 88, n. 16, p. 161305, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.161305. Acesso em: 26 jun. 2024.

    • APA

      Hernandez, F. G. G., Bakarov, A. K., Nunes, L. M., & Gusev, G. (2013). Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas. PHYSICAL REVIEW B, 88( 16), 161305. doi:10.1103/PhysRevB.88.161305

    • NLM

      Hernandez FGG, Bakarov AK, Nunes LM, Gusev G. Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 88( 16): 161305.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.161305

    • Vancouver

      Hernandez FGG, Bakarov AK, Nunes LM, Gusev G. Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 88( 16): 161305.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.161305

  • Artigo de periodico

    Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells (2013)

    Matusalem, Filipe; Ribeiro, Mauro; Marques, Marcelo; Pela, Ronaldo R.; Teles, Lara K.; Ferreira, Luiz Guimarães

    Source: Optics Express. Unidade: IF

    Subjects: MOLÉCULA, SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MATUSALEM, Filipe et al. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells. Optics Express, v. 88, n. 22, p. 224102, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.224102. Acesso em: 26 jun. 2024.

    • APA

      Matusalem, F., Ribeiro, M., Marques, M., Pela, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2013). Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells. Optics Express, 88( 22), 224102. doi:10.1103/PhysRevB.88.224102

    • NLM

      Matusalem F, Ribeiro M, Marques M, Pela RR, Teles LK, Ferreira LG. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells [Internet]. Optics Express. 2013 ; 88( 22): 224102.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.224102

    • Vancouver

      Matusalem F, Ribeiro M, Marques M, Pela RR, Teles LK, Ferreira LG. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells [Internet]. Optics Express. 2013 ; 88( 22): 224102.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.224102

  • Trabalho de evento-resumo

    Circularly polarized photoluminescence as a probe of the spin polarization in GaAs/AlGaAs quantum Hall bilayers (2013)

    Santos, L. Fernandes dos; Pusep, Yuri A; Villegas-Lelovsky, L.; Lopez-Richard, V.; Marques, G. E.; Gusev, Guennadii Mikhailovich; Smirnov, D.; Bakarov, A. K.

    Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SANTOS, L. Fernandes dos et al. Circularly polarized photoluminescence as a probe of the spin polarization in GaAs/AlGaAs quantum Hall bilayers. 2013, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf. Acesso em: 26 jun. 2024.

    • APA

      Santos, L. F. dos, Pusep, Y. A., Villegas-Lelovsky, L., Lopez-Richard, V., Marques, G. E., Gusev, G. M., et al. (2013). Circularly polarized photoluminescence as a probe of the spin polarization in GaAs/AlGaAs quantum Hall bilayers. In Abstract Book. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf

    • NLM

      Santos LF dos, Pusep YA, Villegas-Lelovsky L, Lopez-Richard V, Marques GE, Gusev GM, Smirnov D, Bakarov AK. Circularly polarized photoluminescence as a probe of the spin polarization in GaAs/AlGaAs quantum Hall bilayers [Internet]. Abstract Book. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf

    • Vancouver

      Santos LF dos, Pusep YA, Villegas-Lelovsky L, Lopez-Richard V, Marques GE, Gusev GM, Smirnov D, Bakarov AK. Circularly polarized photoluminescence as a probe of the spin polarization in GaAs/AlGaAs quantum Hall bilayers [Internet]. Abstract Book. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction (2013)

    Teles, Lara K; Marques, M; Pelá, R R; Ribeiro Junior, M; Ferreira, Luiz Guimarães

    Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS MAGNÉTICOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TELES, Lara K et al. Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction. 2013, Anais.. São Carlos: UFSCar, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9. Acesso em: 26 jun. 2024.

    • APA

      Teles, L. K., Marques, M., Pelá, R. R., Ribeiro Junior, M., & Ferreira, L. G. (2013). Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction. In . São Carlos: UFSCar. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9

    • NLM

      Teles LK, Marques M, Pelá RR, Ribeiro Junior M, Ferreira LG. Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9

    • Vancouver

      Teles LK, Marques M, Pelá RR, Ribeiro Junior M, Ferreira LG. Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9

  • Trabalho de evento-resumo

    Estimate of the photoinduced magnetic polaron radius in EuTe (2013)

    Moraes, Flavio Compopiano Dias de; Cordeiro, R C; Henriques, André Bohomoletz; Meaney, A J; Christianen, P M; Rappl, P H O; Abramof, E

    Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS MAGNÉTICOS, MÉTODO DE MONTE CARLO

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MORAES, Flavio Compopiano Dias de et al. Estimate of the photoinduced magnetic polaron radius in EuTe. 2013, Anais.. São Carlos: UFSCar, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=126. Acesso em: 26 jun. 2024.

    • APA

      Moraes, F. C. D. de, Cordeiro, R. C., Henriques, A. B., Meaney, A. J., Christianen, P. M., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2013). Estimate of the photoinduced magnetic polaron radius in EuTe. In . São Carlos: UFSCar. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=126

    • NLM

      Moraes FCD de, Cordeiro RC, Henriques AB, Meaney AJ, Christianen PM, Rappl PHO, Abramof E. Estimate of the photoinduced magnetic polaron radius in EuTe [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=126

    • Vancouver

      Moraes FCD de, Cordeiro RC, Henriques AB, Meaney AJ, Christianen PM, Rappl PHO, Abramof E. Estimate of the photoinduced magnetic polaron radius in EuTe [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=126

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