Source: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. Unidade: IF
Subjects: ESPECTROMETRIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SILVA FILHO, O. P. et al. All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v. 114, n. 3, p. 033709 , 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4812493. Acesso em: 07 ago. 2024.APA
Silva Filho, O. P., Ribeiro, M., Pela, R. R., Teles, L. K., Marques, M., & Ferreira, L. G. (2013). All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 114( 3), 033709 . doi:10.1063/1.4812493NLM
Silva Filho OP, Ribeiro M, Pela RR, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 114( 3): 033709 .[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4812493Vancouver
Silva Filho OP, Ribeiro M, Pela RR, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 114( 3): 033709 .[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4812493
