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Relatorio tecnico
Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasmas acoplado indutivamente (ICP-CVD) (2003)
Torres, Ani Sobral; Mansano, Ronaldo Domingues
Unidade: EP
Subjects: PLASMA (MICROELETRÔNICA), SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TORRES, Ani Sobral e MANSANO, Ronaldo Domingues. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasmas acoplado indutivamente (ICP-CVD). . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 26 ago. 2024. , 2003
APA
Torres, A. S., & Mansano, R. D. (2003). Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasmas acoplado indutivamente (ICP-CVD). São Paulo: EPUSP.
NLM
Torres AS, Mansano RD. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasmas acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2003 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Vancouver
Torres AS, Mansano RD. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasmas acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2003 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Dissertação (Mestrado)
Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD) (2002)
Torres, Ani Sobral; Mansano, Ronaldo Domingues (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: PLASMA (MICROELETRÔNICA), SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TORRES, Ani Sobral. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Torres, A. S. (2002). Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Torres AS. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2002 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Vancouver
Torres AS. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2002 ;[citado 2024 ago. 26 ]

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