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Dissertação (Mestrado)
Fabricação de elementos ópticos difrativos de modulação completa (2007)
Medeiros, Marina Sparvoli de; Mansano, Ronaldo Domingues (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: ÓPTICA, CORROSÃO, SILÍCIO, FABRICAÇÃO (MICROELETRÔNICA)
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ABNT
MEDEIROS, Marina Sparvoli de. Fabricação de elementos ópticos difrativos de modulação completa. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-173703/. Acesso em: 05 nov. 2024.
APA
Medeiros, M. S. de. (2007). Fabricação de elementos ópticos difrativos de modulação completa (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-173703/
NLM
Medeiros MS de. Fabricação de elementos ópticos difrativos de modulação completa [Internet]. 2007 ;[citado 2024 nov. 05 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-173703/
Vancouver
Medeiros MS de. Fabricação de elementos ópticos difrativos de modulação completa [Internet]. 2007 ;[citado 2024 nov. 05 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-173703/
Relatorio tecnico
Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasmas acoplado indutivamente (ICP-CVD) (2003)
Torres, Ani Sobral; Mansano, Ronaldo Domingues
Unidade: EP
Subjects: PLASMA (MICROELETRÔNICA), SILÍCIO
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ABNT
TORRES, Ani Sobral e MANSANO, Ronaldo Domingues. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasmas acoplado indutivamente (ICP-CVD). . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 05 nov. 2024. , 2003
APA
Torres, A. S., & Mansano, R. D. (2003). Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasmas acoplado indutivamente (ICP-CVD). São Paulo: EPUSP.
NLM
Torres AS, Mansano RD. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasmas acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2003 ;[citado 2024 nov. 05 ]
Vancouver
Torres AS, Mansano RD. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasmas acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2003 ;[citado 2024 nov. 05 ]
Dissertação (Mestrado)
Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD) (2002)
Torres, Ani Sobral; Mansano, Ronaldo Domingues (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: PLASMA (MICROELETRÔNICA), SILÍCIO
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ABNT
TORRES, Ani Sobral. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102024-111629/pt-br.php. Acesso em: 05 nov. 2024.
APA
Torres, A. S. (2002). Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102024-111629/pt-br.php
NLM
Torres AS. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD) [Internet]. 2002 ;[citado 2024 nov. 05 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102024-111629/pt-br.php
Vancouver
Torres AS. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD) [Internet]. 2002 ;[citado 2024 nov. 05 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102024-111629/pt-br.php

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