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  • Artigo de periodico

    Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations (2002)

    Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Furthmuller, J; Bechstedt, F

    Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, MUDANÇA DE FASE, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TELES, L. K. et al. Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics, v. 92, n. 12, p. 7109-7113, 2002Tradução . . Acesso em: 13 nov. 2024.

    • APA

      Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmuller, J., & Bechstedt, F. (2002). Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics, 92( 12), 7109-7113.

    • NLM

      Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller J, Bechstedt F. Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics. 2002 ; 92( 12): 7109-7113.[citado 2024 nov. 13 ]

    • Vancouver

      Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller J, Bechstedt F. Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics. 2002 ; 92( 12): 7109-7113.[citado 2024 nov. 13 ]

  • Artigo de periodico

    Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures (2002)

    Leite, J. R.

    Source: Microeletronics Journal. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MUDANÇA DE FASE

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LEITE, J. R. Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures. Microeletronics Journal, v. 33, n. 4, p. 323-329, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00126-4. Acesso em: 13 nov. 2024.

    • APA

      Leite, J. R. (2002). Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures. Microeletronics Journal, 33( 4), 323-329. doi:10.1016/s0026-2692(01)00126-4

    • NLM

      Leite JR. Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures [Internet]. Microeletronics Journal. 2002 ; 33( 4): 323-329.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00126-4

    • Vancouver

      Leite JR. Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures [Internet]. Microeletronics Journal. 2002 ; 33( 4): 323-329.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00126-4
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