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Trabalho de evento
Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan (1996)
Fazzio, A
Source: Anais. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FAZZIO, A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Fazzio, A. (1996). Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Trabalho de evento
Dynamic spin susceptibility in the two-band model in high 'TE' superconductors (1990)
Fazzio, A; Mota, R.; Lima, G A R
Conference titles: International Conference on Transport Properties of Superconductors. Unidade: IF
Assunto: SUPERCONDUTIVIDADE
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ABNT
FAZZIO, A e MOTA, R. e LIMA, G A R. Dynamic spin susceptibility in the two-band model in high 'TE' superconductors. 1990, Anais.. Singapure: World Scientific, 1990. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Fazzio, A., Mota, R., & Lima, G. A. R. (1990). Dynamic spin susceptibility in the two-band model in high 'TE' superconductors. In . Singapure: World Scientific.
NLM
Fazzio A, Mota R, Lima GAR. Dynamic spin susceptibility in the two-band model in high 'TE' superconductors. 1990 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Fazzio A, Mota R, Lima GAR. Dynamic spin susceptibility in the two-band model in high 'TE' superconductors. 1990 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Trabalho de evento
Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE' (1985)
Fazzio, A; Iikawa, F; Motisuke, P
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
FAZZIO, A e IIKAWA, F e MOTISUKE, P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Fazzio, A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1985). Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A, Iikawa F, Motisuke P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Fazzio A, Iikawa F, Motisuke P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Trabalho de evento
Group-ib impurities in 'SI' (1985)
Fazzio, A; Caldas, Marília Junqueira; Zunger, A
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
FAZZIO, A e CALDAS, Marília Junqueira e ZUNGER, A. Group-ib impurities in 'SI'. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Fazzio, A., Caldas, M. J., & Zunger, A. (1985). Group-ib impurities in 'SI'. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A, Caldas MJ, Zunger A. Group-ib impurities in 'SI'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Fazzio A, Caldas MJ, Zunger A. Group-ib impurities in 'SI'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Trabalho de evento
Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors (1985)
Fazzio, A
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
FAZZIO, A. Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Fazzio, A. (1985). Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A. Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Fazzio A. Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 ago. 10 ]

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