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  • Source: Anais. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      FAZZIO, A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Fazzio, A. (1996). Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. In Anais. Singapore: World Scientific.
    • NLM

      Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2024 ago. 10 ]
    • Vancouver

      Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2024 ago. 10 ]
  • Source: Zeitschrift Fur Physik D. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      PIQUINI, P e FAZZIO, A e CANUTO, Sylvio. Ab initio self-consistent-field studies of the structure, energetics and londing of small gallium arsenide clusters. Zeitschrift Fur Physik D, v. 33, p. 125-31, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/bf01437431. Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Piquini, P., Fazzio, A., & Canuto, S. (1995). Ab initio self-consistent-field studies of the structure, energetics and londing of small gallium arsenide clusters. Zeitschrift Fur Physik D, 33, 125-31. doi:10.1007/bf01437431
    • NLM

      Piquini P, Fazzio A, Canuto S. Ab initio self-consistent-field studies of the structure, energetics and londing of small gallium arsenide clusters [Internet]. Zeitschrift Fur Physik D. 1995 ;33 125-31.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bf01437431
    • Vancouver

      Piquini P, Fazzio A, Canuto S. Ab initio self-consistent-field studies of the structure, energetics and londing of small gallium arsenide clusters [Internet]. Zeitschrift Fur Physik D. 1995 ;33 125-31.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bf01437431
  • Source: Materials Science Forum. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      FAZZIO, A e SCHMIDT, T M. Metastability and electronic structure of periodically n-type and p-type 'GAMA'-doped layer in 'GA''AS'. Materials Science Forum, v. 196-201, p. 421-4, 1995Tradução . . Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Fazzio, A., & Schmidt, T. M. (1995). Metastability and electronic structure of periodically n-type and p-type 'GAMA'-doped layer in 'GA''AS'. Materials Science Forum, 196-201, 421-4.
    • NLM

      Fazzio A, Schmidt TM. Metastability and electronic structure of periodically n-type and p-type 'GAMA'-doped layer in 'GA''AS'. Materials Science Forum. 1995 ;196-201 421-4.[citado 2024 ago. 10 ]
    • Vancouver

      Fazzio A, Schmidt TM. Metastability and electronic structure of periodically n-type and p-type 'GAMA'-doped layer in 'GA''AS'. Materials Science Forum. 1995 ;196-201 421-4.[citado 2024 ago. 10 ]
  • Source: Materials Science Forum. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      SCHMIDT, T M e FAZZIO, A e CALDAS, Marília Junqueira. Trends in the metastability of dx-centers. Materials Science Forum, v. 196-201, p. 273-8, 1995Tradução . . Acesso em: 10 ago. 2024.
    • APA

      Schmidt, T. M., Fazzio, A., & Caldas, M. J. (1995). Trends in the metastability of dx-centers. Materials Science Forum, 196-201, 273-8.
    • NLM

      Schmidt TM, Fazzio A, Caldas MJ. Trends in the metastability of dx-centers. Materials Science Forum. 1995 ;196-201 273-8.[citado 2024 ago. 10 ]
    • Vancouver

      Schmidt TM, Fazzio A, Caldas MJ. Trends in the metastability of dx-centers. Materials Science Forum. 1995 ;196-201 273-8.[citado 2024 ago. 10 ]

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