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Trabalho de evento-resumo
Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular gate MOSFETs. (2011)
Cirne, Karin Huscher; Lima, J A de; Seixas Jr, L E; Silveira, M A G; Barbosa, M D L; Tabacniks, Manfredo Harri ; Added, N; Medina, N H; Gimenez, S P; Melo, W
Source: Resumo. Conference titles: International Conference on Ion Beam Analysis. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CIRNE, Karin Huscher et al. Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular gate MOSFETs. 2011, Anais.. Itapema: IBA, 2011. Disponível em: http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/239.pdf. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Cirne, K. H., Lima, J. A. de, Seixas Jr, L. E., Silveira, M. A. G., Barbosa, M. D. L., Tabacniks, M. H., et al. (2011). Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular gate MOSFETs. In Resumo. Itapema: IBA. Recuperado de http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/239.pdf
NLM
Cirne KH, Lima JA de, Seixas Jr LE, Silveira MAG, Barbosa MDL, Tabacniks MH, Added N, Medina NH, Gimenez SP, Melo W. Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular gate MOSFETs. [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/239.pdf
Vancouver
Cirne KH, Lima JA de, Seixas Jr LE, Silveira MAG, Barbosa MDL, Tabacniks MH, Added N, Medina NH, Gimenez SP, Melo W. Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular gate MOSFETs. [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/239.pdf
Trabalho de evento-resumo
Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. (2011)
Silveira, Marcilei Aparecida Guazzelli da ; Cirne, Karin Huscher; Seixas Jr, L E; Lima, J A de; Barbosa, M D L; Tabacniks, Manfredo Harri ; Added, N; Medina, N H; Gimenez, S P; Melo, W; Santos, R B B
Source: Resumo. Conference titles: International Conference on Ion Beam Analysis. Unidade: IF
Assunto: RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVEIRA, Marcilei Aparecida Guazzelli da et al. Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. 2011, Anais.. Itapema: IBA, 2011. Disponível em: http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/88.pdf. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Silveira, M. A. G. da, Cirne, K. H., Seixas Jr, L. E., Lima, J. A. de, Barbosa, M. D. L., Tabacniks, M. H., et al. (2011). Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. In Resumo. Itapema: IBA. Recuperado de http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/88.pdf
NLM
Silveira MAG da, Cirne KH, Seixas Jr LE, Lima JA de, Barbosa MDL, Tabacniks MH, Added N, Medina NH, Gimenez SP, Melo W, Santos RBB. Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/88.pdf
Vancouver
Silveira MAG da, Cirne KH, Seixas Jr LE, Lima JA de, Barbosa MDL, Tabacniks MH, Added N, Medina NH, Gimenez SP, Melo W, Santos RBB. Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/88.pdf

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