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Artigo de periodico
Electrical microstructure evolution of CaCu3Ti4O12 (CCTO) ceramics: from resistive and core shell-like to semiconducting grains (2023)
Jesus, Lílian Menezes de; Barbosa, Luciara Benedita; Ardila, Diógenes Reyes; Silva, Ronaldo Santos da ; M'Peko, Jean Claude
Source: Ceramics International. Unidade: IFSC
Subjects: DIELÉTRICOS, SEMICONDUTORES, VIDRO CERÂMICO
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ABNT
JESUS, Lílian Menezes de et al. Electrical microstructure evolution of CaCu3Ti4O12 (CCTO) ceramics: from resistive and core shell-like to semiconducting grains. Ceramics International, v. 49, n. 15, p. 25594-25601 + supplementary data: 1-8, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2023.05.100. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Jesus, L. M. de, Barbosa, L. B., Ardila, D. R., Silva, R. S. da, & M'Peko, J. C. (2023). Electrical microstructure evolution of CaCu3Ti4O12 (CCTO) ceramics: from resistive and core shell-like to semiconducting grains. Ceramics International, 49( 15), 25594-25601 + supplementary data: 1-8. doi:10.1016/j.ceramint.2023.05.100
NLM
Jesus LM de, Barbosa LB, Ardila DR, Silva RS da, M'Peko JC. Electrical microstructure evolution of CaCu3Ti4O12 (CCTO) ceramics: from resistive and core shell-like to semiconducting grains [Internet]. Ceramics International. 2023 ; 49( 15): 25594-25601 + supplementary data: 1-8.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2023.05.100
Vancouver
Jesus LM de, Barbosa LB, Ardila DR, Silva RS da, M'Peko JC. Electrical microstructure evolution of CaCu3Ti4O12 (CCTO) ceramics: from resistive and core shell-like to semiconducting grains [Internet]. Ceramics International. 2023 ; 49( 15): 25594-25601 + supplementary data: 1-8.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2023.05.100
Artigo de periodico
Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors (2020)
García, Dennis Cabrera; Eirez Izquierdo, José Enrique ; Cavallari, Marco Roberto ; Quivy, Alain André; Fonseca, Fernando Josepetti
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: IF, EP
Subjects: ÓPTICA ELETRÔNICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS, CAPACITORES, DIELÉTRICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
GARCÍA, Dennis Cabrera et al. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 15, n. 2, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
García, D. C., Eirez Izquierdo, J. E., Cavallari, M. R., Quivy, A. A., & Fonseca, F. J. (2020). Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, 15( 2). doi:10.29292/jics.v15i2.170
NLM
García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170
Vancouver
García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170
Trabalho de evento
Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates (2018)
Matos, João Henrique Rocha; Stefanelo, Josiani Cristina; Faria, Roberto Mendonça
Source: Livro de resumos. Conference titles: Simpósio em Ciência e Engenharia de Materiais - SICEM. Unidades: IFSC, EESC
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS, POLÍMEROS (MATERIAIS)
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ABNT
MATOS, João Henrique Rocha e STEFANELO, Josiani Cristina e FARIA, Roberto Mendonça. Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates. 2018, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC, 2018. Disponível em: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Matos, J. H. R., Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2018). Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates. In Livro de resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC. Recuperado de http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918
NLM
Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates [Internet]. Livro de resumos. 2018 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918
Vancouver
Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates [Internet]. Livro de resumos. 2018 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918
Trabalho de evento-resumo
Performance analysis of N-channel OFETs using different dielectric solvents (2015)
Cardoso, Lilian Soares; Stefanelo, Josiani Cristina; Faria, Roberto Mendonça; Arias, Ana Claudia
Source: Resumos. Conference titles: MRS Fall Meeting & Exhibit. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SOLVENTE, DIELÉTRICOS
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ABNT
CARDOSO, Lilian Soares et al. Performance analysis of N-channel OFETs using different dielectric solvents. 2015, Anais.. Boston: Materials Research Society - MRS, 2015. Disponível em: http://www.mrs.org/fall-2015-program-z/. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Cardoso, L. S., Stefanelo, J. C., Faria, R. M., & Arias, A. C. (2015). Performance analysis of N-channel OFETs using different dielectric solvents. In Resumos. Boston: Materials Research Society - MRS. Recuperado de http://www.mrs.org/fall-2015-program-z/
NLM
Cardoso LS, Stefanelo JC, Faria RM, Arias AC. Performance analysis of N-channel OFETs using different dielectric solvents [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.mrs.org/fall-2015-program-z/
Vancouver
Cardoso LS, Stefanelo JC, Faria RM, Arias AC. Performance analysis of N-channel OFETs using different dielectric solvents [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.mrs.org/fall-2015-program-z/
Trabalho de evento-resumo
Effects of gate dielectric solvents on the performance of p-channel polymer field effect transistors (2014)
Cardoso, Lilian Soares; Faria, Roberto Mendonça; Stefanelo, Josiani Cristina
Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
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ABNT
CARDOSO, Lilian Soares e FARIA, Roberto Mendonça e STEFANELO, Josiani Cristina. Effects of gate dielectric solvents on the performance of p-channel polymer field effect transistors. 2014, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2014. . Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Cardoso, L. S., Faria, R. M., & Stefanelo, J. C. (2014). Effects of gate dielectric solvents on the performance of p-channel polymer field effect transistors. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat.
NLM
Cardoso LS, Faria RM, Stefanelo JC. Effects of gate dielectric solvents on the performance of p-channel polymer field effect transistors. Program Book. 2014 ;[citado 2024 set. 11 ]
Vancouver
Cardoso LS, Faria RM, Stefanelo JC. Effects of gate dielectric solvents on the performance of p-channel polymer field effect transistors. Program Book. 2014 ;[citado 2024 set. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
P-channel-polymer FETs using PMMA as dielectric layer performance analysis (2014)
Cardoso, L. S.; Stefanelo, J. C.; Faria, Roberto Mendonça
Source: Poster Presentation Abstracts. Conference titles: Workshop of the National Institute for Organic Electronics. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
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ABNT
CARDOSO, L. S. e STEFANELO, J. C. e FARIA, Roberto Mendonça. P-channel-polymer FETs using PMMA as dielectric layer performance analysis. 2014, Anais.. São Carlos: Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica - INEO, 2014. . Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Cardoso, L. S., Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2014). P-channel-polymer FETs using PMMA as dielectric layer performance analysis. In Poster Presentation Abstracts. São Carlos: Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica - INEO.
NLM
Cardoso LS, Stefanelo JC, Faria RM. P-channel-polymer FETs using PMMA as dielectric layer performance analysis. Poster Presentation Abstracts. 2014 ;[citado 2024 set. 11 ]
Vancouver
Cardoso LS, Stefanelo JC, Faria RM. P-channel-polymer FETs using PMMA as dielectric layer performance analysis. Poster Presentation Abstracts. 2014 ;[citado 2024 set. 11 ]
Artigo de periodico
Electrical characterization of poly(amide-imide) for application in organic field effect devices (2012)
Lopes, Elder Mantovani; Ywata, R. S.; Alves, N.; Shimizu, F. M.; Taylor, D. M.; Watson, C. P.; Carvalho, Antonio José Felix de; Giacometti, J. A.
Source: Organic Electronics. Unidade: EESC
Subjects: ESPECTROSCOPIA, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
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ABNT
LOPES, Elder Mantovani et al. Electrical characterization of poly(amide-imide) for application in organic field effect devices. Organic Electronics, v. 13, n. 10, p. 2109-2117, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.orgel.2012.05.058. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Lopes, E. M., Ywata, R. S., Alves, N., Shimizu, F. M., Taylor, D. M., Watson, C. P., et al. (2012). Electrical characterization of poly(amide-imide) for application in organic field effect devices. Organic Electronics, 13( 10), 2109-2117. doi:10.1016/j.orgel.2012.05.058
NLM
Lopes EM, Ywata RS, Alves N, Shimizu FM, Taylor DM, Watson CP, Carvalho AJF de, Giacometti JA. Electrical characterization of poly(amide-imide) for application in organic field effect devices [Internet]. Organic Electronics. 2012 ; 13( 10): 2109-2117.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.orgel.2012.05.058
Vancouver
Lopes EM, Ywata RS, Alves N, Shimizu FM, Taylor DM, Watson CP, Carvalho AJF de, Giacometti JA. Electrical characterization of poly(amide-imide) for application in organic field effect devices [Internet]. Organic Electronics. 2012 ; 13( 10): 2109-2117.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.orgel.2012.05.058
Artigo de periodico
Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer (2010)
Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés
Source: Physica Status Solidi (C). Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
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ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e PEREYRA, Inés. Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer. Physica Status Solidi (C), v. 7, n. 3-4, p. 937-940, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200982656. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Albertin, K. F., & Pereyra, I. (2010). Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer. Physica Status Solidi (C), 7( 3-4), 937-940. doi:10.1002/pssc.200982656
NLM
Albertin KF, Pereyra I. Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer [Internet]. Physica Status Solidi (C). 2010 ; 7( 3-4): 937-940.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982656
Vancouver
Albertin KF, Pereyra I. Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer [Internet]. Physica Status Solidi (C). 2010 ; 7( 3-4): 937-940.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982656
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (2010)
Rodrigues, Michele; Martino, João Antonio (Orientador) ; Sonnenberg, Victor (coorient)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, SILÍCIO, TRANSISTORES, ELETRODO, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Michele. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Rodrigues, M. (2010). Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
NLM
Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
Vancouver
Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
Trabalho de evento-resumo
Design and modeling of a concentric plasmonic microring resonator (2009)
Espinoza, Walter Américo Arellano; Marega Júnior, Euclydes; Ben-Hur, Borges V.
Source: Resumos. Conference titles: Workshop e Escola Avançada em Nanoplasmônica. Unidades: IFSC, EESC
Subjects: SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS, ONDAS ELETROMAGNÉTICAS
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ABNT
ESPINOZA, Walter Américo Arellano e MAREGA JÚNIOR, Euclydes e BEN-HUR, Borges V. Design and modeling of a concentric plasmonic microring resonator. 2009, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2009. . Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Espinoza, W. A. A., Marega Júnior, E., & Ben-Hur, B. V. (2009). Design and modeling of a concentric plasmonic microring resonator. In Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Espinoza WAA, Marega Júnior E, Ben-Hur BV. Design and modeling of a concentric plasmonic microring resonator. Resumos. 2009 ;[citado 2024 set. 11 ]
Vancouver
Espinoza WAA, Marega Júnior E, Ben-Hur BV. Design and modeling of a concentric plasmonic microring resonator. Resumos. 2009 ;[citado 2024 set. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Study of PTCR effect in Ca-doped BaTi'O IND.3' ceramics (2009)
Sampaio, David Vieira; Santos, Jerre Cristiano Alves dos; Macedo, Zélia Soares; Silva, Ronaldo Santos da; M'Peko, Jean Claude; Hernandes, Antônio Carlos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidade: IFSC
Subjects: CRESCIMENTO DE CRISTAIS, MATERIAIS CERÂMICOS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, DIELÉTRICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
SAMPAIO, David Vieira et al. Study of PTCR effect in Ca-doped BaTi'O IND.3' ceramics. 2009, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Sampaio, D. V., Santos, J. C. A. dos, Macedo, Z. S., Silva, R. S. da, M'Peko, J. C., & Hernandes, A. C. (2009). Study of PTCR effect in Ca-doped BaTi'O IND.3' ceramics. In Livro de Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf
NLM
Sampaio DV, Santos JCA dos, Macedo ZS, Silva RS da, M'Peko JC, Hernandes AC. Study of PTCR effect in Ca-doped BaTi'O IND.3' ceramics [Internet]. Livro de Resumos. 2009 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf
Vancouver
Sampaio DV, Santos JCA dos, Macedo ZS, Silva RS da, M'Peko JC, Hernandes AC. Study of PTCR effect in Ca-doped BaTi'O IND.3' ceramics [Internet]. Livro de Resumos. 2009 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Frequency dependence of the dielectric constants and of the reflectivity for 'HfC IND.2' and 'ZrC IND.2' from first-principles calculations (2007)
Silva, C C; Alves, H W Leite; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, C C e ALVES, H W Leite e SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Frequency dependence of the dielectric constants and of the reflectivity for 'HfC IND.2' and 'ZrC IND.2' from first-principles calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000311000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 11 set. 2024. , 2007
APA
Silva, C. C., Alves, H. W. L., & Scolfaro, L. M. R. (2007). Frequency dependence of the dielectric constants and of the reflectivity for 'HfC IND.2' and 'ZrC IND.2' from first-principles calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000311000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Silva CC, Alves HWL, Scolfaro LMR. Frequency dependence of the dielectric constants and of the reflectivity for 'HfC IND.2' and 'ZrC IND.2' from first-principles calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 311-312.[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000311000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Silva CC, Alves HWL, Scolfaro LMR. Frequency dependence of the dielectric constants and of the reflectivity for 'HfC IND.2' and 'ZrC IND.2' from first-principles calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 311-312.[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000311000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Construction of model dieletric for two- and three-dimensional electron liquids from density functionals (2006)
Favaro, A. P.; Capelle, Klaus; Ferreira, Joao Vitor Batista
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAVARO, A. P. e CAPELLE, Klaus e FERREIRA, Joao Vitor Batista. Construction of model dieletric for two- and three-dimensional electron liquids from density functionals. Physical Review B, v. 73, n. Ja 2006, p. 045133-1-045133-7, 2006Tradução . . Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Favaro, A. P., Capelle, K., & Ferreira, J. V. B. (2006). Construction of model dieletric for two- and three-dimensional electron liquids from density functionals. Physical Review B, 73( Ja 2006), 045133-1-045133-7.
NLM
Favaro AP, Capelle K, Ferreira JVB. Construction of model dieletric for two- and three-dimensional electron liquids from density functionals. Physical Review B. 2006 ; 73( Ja 2006): 045133-1-045133-7.[citado 2024 set. 11 ]
Vancouver
Favaro AP, Capelle K, Ferreira JVB. Construction of model dieletric for two- and three-dimensional electron liquids from density functionals. Physical Review B. 2006 ; 73( Ja 2006): 045133-1-045133-7.[citado 2024 set. 11 ]
Artigo de periodico
Optical constants and thickness determination of very thin amorphous semiconductor films (2002)
Chambouleyron, Ivan Emílio; Ventura, S. D.; Birgin, Ernesto Julian Goldberg ; Martínez, José Mário
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IME
Subjects: ALGORITMOS, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHAMBOULEYRON, Ivan Emílio et al. Optical constants and thickness determination of very thin amorphous semiconductor films. Journal of Applied Physics, v. 92, n. 6, p. 3093-3102, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1500785. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Chambouleyron, I. E., Ventura, S. D., Birgin, E. J. G., & Martínez, J. M. (2002). Optical constants and thickness determination of very thin amorphous semiconductor films. Journal of Applied Physics, 92( 6), 3093-3102. doi:10.1063/1.1500785
NLM
Chambouleyron IE, Ventura SD, Birgin EJG, Martínez JM. Optical constants and thickness determination of very thin amorphous semiconductor films [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 92( 6): 3093-3102.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1500785
Vancouver
Chambouleyron IE, Ventura SD, Birgin EJG, Martínez JM. Optical constants and thickness determination of very thin amorphous semiconductor films [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 92( 6): 3093-3102.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1500785
Artigo de periodico
Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs (2001)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Meneses, E A; Leite, J. R.; Mazzaro, I
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, ÓPTICA, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENÇO, S A et al. Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs. Journal of Applied Physics, v. 89, n. 11, p. 6159-6164, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1367875. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Meneses, E. A., Leite, J. R., & Mazzaro, I. (2001). Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs. Journal of Applied Physics, 89( 11), 6159-6164. doi:10.1063/1.1367875
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Meneses EA, Leite JR, Mazzaro I. Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 89( 11): 6159-6164.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1367875
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Meneses EA, Leite JR, Mazzaro I. Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 89( 11): 6159-6164.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1367875
Artigo de periodico
Liquid phase sintering of 'RE IND.2''O IND.3': YSZ ceramics: Part II - Grain boundary elctrical properties (1999)
Souza, Mílton Ferreira; Souza, D P F
Source: Journal of Materials Science. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Mílton Ferreira e SOUZA, D P F. Liquid phase sintering of 'RE IND.2''O IND.3': YSZ ceramics: Part II - Grain boundary elctrical properties. Journal of Materials Science, v. 34, n. 24, p. 6107-6114, 1999Tradução . . Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Souza, M. F., & Souza, D. P. F. (1999). Liquid phase sintering of 'RE IND.2''O IND.3': YSZ ceramics: Part II - Grain boundary elctrical properties. Journal of Materials Science, 34( 24), 6107-6114.
NLM
Souza MF, Souza DPF. Liquid phase sintering of 'RE IND.2''O IND.3': YSZ ceramics: Part II - Grain boundary elctrical properties. Journal of Materials Science. 1999 ;34( 24): 6107-6114.[citado 2024 set. 11 ]
Vancouver
Souza MF, Souza DPF. Liquid phase sintering of 'RE IND.2''O IND.3': YSZ ceramics: Part II - Grain boundary elctrical properties. Journal of Materials Science. 1999 ;34( 24): 6107-6114.[citado 2024 set. 11 ]
Artigo de periodico
Liquid phase sintering of R'E IND.2''O IND.3': YSZ ceramics: Part I - Grain growth and expelling of the boundary glass phase (1999)
Souza, D. P. F.; Souza, Mílton Ferreira
Source: Journal of Materials Science. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, D. P. F. e SOUZA, Mílton Ferreira. Liquid phase sintering of R'E IND.2''O IND.3': YSZ ceramics: Part I - Grain growth and expelling of the boundary glass phase. Journal of Materials Science, v. 34, p. 4023-4030, 1999Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/37ddb59e-6e83-4e92-b8d0-505f799dff5e/PROD006120_1053702.pdf. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Souza, D. P. F., & Souza, M. F. (1999). Liquid phase sintering of R'E IND.2''O IND.3': YSZ ceramics: Part I - Grain growth and expelling of the boundary glass phase. Journal of Materials Science, 34, 4023-4030. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/37ddb59e-6e83-4e92-b8d0-505f799dff5e/PROD006120_1053702.pdf
NLM
Souza DPF, Souza MF. Liquid phase sintering of R'E IND.2''O IND.3': YSZ ceramics: Part I - Grain growth and expelling of the boundary glass phase [Internet]. Journal of Materials Science. 1999 ; 34 4023-4030.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/37ddb59e-6e83-4e92-b8d0-505f799dff5e/PROD006120_1053702.pdf
Vancouver
Souza DPF, Souza MF. Liquid phase sintering of R'E IND.2''O IND.3': YSZ ceramics: Part I - Grain growth and expelling of the boundary glass phase [Internet]. Journal of Materials Science. 1999 ; 34 4023-4030.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/37ddb59e-6e83-4e92-b8d0-505f799dff5e/PROD006120_1053702.pdf
Artigo de periodico
Glass phase expelling during liquid phase sintering of YSZ (1998)
Souza, Mílton Ferreira; Souza, Dulcina Pinatti Ferreira de
Source: Materials Research. Unidade: IFSC
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, DIELÉTRICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Mílton Ferreira e SOUZA, Dulcina Pinatti Ferreira de. Glass phase expelling during liquid phase sintering of YSZ. Materials Research, v. 1, n. 1, p. 53-58, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s1516-14391998000100009. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Souza, M. F., & Souza, D. P. F. de. (1998). Glass phase expelling during liquid phase sintering of YSZ. Materials Research, 1( 1), 53-58. doi:10.1590/s1516-14391998000100009
NLM
Souza MF, Souza DPF de. Glass phase expelling during liquid phase sintering of YSZ [Internet]. Materials Research. 1998 ; 1( 1): 53-58.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s1516-14391998000100009
Vancouver
Souza MF, Souza DPF de. Glass phase expelling during liquid phase sintering of YSZ [Internet]. Materials Research. 1998 ; 1( 1): 53-58.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s1516-14391998000100009
Artigo de periodico
Thermal pulse study of the electric polarization in a copolymer of vinylidene cyanide and vinyl acetate (1996)
Giacometti, José Alberto; Reggi, A S; Davis, G T; Dickens, B; Leal Ferreira, Guilherme Fontes
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GIACOMETTI, José Alberto et al. Thermal pulse study of the electric polarization in a copolymer of vinylidene cyanide and vinyl acetate. Journal of Applied Physics, v. 80, n. 11, p. 6407-6415, 1996Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.363639. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Giacometti, J. A., Reggi, A. S., Davis, G. T., Dickens, B., & Leal Ferreira, G. F. (1996). Thermal pulse study of the electric polarization in a copolymer of vinylidene cyanide and vinyl acetate. Journal of Applied Physics, 80( 11), 6407-6415. doi:10.1063/1.363639
NLM
Giacometti JA, Reggi AS, Davis GT, Dickens B, Leal Ferreira GF. Thermal pulse study of the electric polarization in a copolymer of vinylidene cyanide and vinyl acetate [Internet]. Journal of Applied Physics. 1996 ; 80( 11): 6407-6415.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.363639
Vancouver
Giacometti JA, Reggi AS, Davis GT, Dickens B, Leal Ferreira GF. Thermal pulse study of the electric polarization in a copolymer of vinylidene cyanide and vinyl acetate [Internet]. Journal of Applied Physics. 1996 ; 80( 11): 6407-6415.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.363639
Artigo de periodico
Charged-hard-sphere system: a self-consistent-field approximation (1993)
Rino, J P; Hipólito, Oscar
Source: Physical Review e. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MECÂNICA QUÂNTICA, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RINO, J P e HIPÓLITO, Oscar. Charged-hard-sphere system: a self-consistent-field approximation. Physical Review e, v. 48, n. 2 , p. 1375-8, 1993Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physreve.48.1375. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Rino, J. P., & Hipólito, O. (1993). Charged-hard-sphere system: a self-consistent-field approximation. Physical Review e, 48( 2 ), 1375-8. doi:10.1103/physreve.48.1375
NLM
Rino JP, Hipólito O. Charged-hard-sphere system: a self-consistent-field approximation [Internet]. Physical Review e. 1993 ;48( 2 ): 1375-8.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physreve.48.1375
Vancouver
Rino JP, Hipólito O. Charged-hard-sphere system: a self-consistent-field approximation [Internet]. Physical Review e. 1993 ;48( 2 ): 1375-8.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physreve.48.1375

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