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Artigo de periodico
Viscous magnetotransport and Gurzhi effect in bilayer electron system (2021)
Gusev, Gennady ; Jaroshevich, Alexander ; Levine, Alexandre ; Kvon, Z. D.; Bakarov, Askhat
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, CONDUTIVIDADE ELÉTRICA, POÇOS QUÂNTICOS, HIDRODINÂMICA, ESPALHAMENTO, MAGNETISMO
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ABNT
GUSEV, Gennady et al. Viscous magnetotransport and Gurzhi effect in bilayer electron system. Physical Review B, v. 103, n. 7, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.103.075303. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Gusev, G., Jaroshevich, A., Levine, A., Kvon, Z. D., & Bakarov, A. (2021). Viscous magnetotransport and Gurzhi effect in bilayer electron system. Physical Review B, 103( 7). doi:10.1103/PhysRevB.103.075303
NLM
Gusev G, Jaroshevich A, Levine A, Kvon ZD, Bakarov A. Viscous magnetotransport and Gurzhi effect in bilayer electron system [Internet]. Physical Review B. 2021 ; 103( 7):[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.103.075303
Vancouver
Gusev G, Jaroshevich A, Levine A, Kvon ZD, Bakarov A. Viscous magnetotransport and Gurzhi effect in bilayer electron system [Internet]. Physical Review B. 2021 ; 103( 7):[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.103.075303
Artigo de periodico
Magnetoresistance of doped silicon (2015)
Silva, Antonio Ferreira da; Boudinov, Henri; Sernelius, Bo E.; Momtaz, Zahra Sadre; Levine, Alexandre
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
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ABNT
SILVA, Antonio Ferreira da et al. Magnetoresistance of doped silicon. PHYSICAL REVIEW B, v. 91, n. ju 2015, p. 214414, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.214414. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Silva, A. F. da, Boudinov, H., Sernelius, B. E., Momtaz, Z. S., & Levine, A. (2015). Magnetoresistance of doped silicon. PHYSICAL REVIEW B, 91( ju 2015), 214414. doi:10.1103/physrevb.91.214414
NLM
Silva AF da, Boudinov H, Sernelius BE, Momtaz ZS, Levine A. Magnetoresistance of doped silicon [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( ju 2015): 214414.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.214414
Vancouver
Silva AF da, Boudinov H, Sernelius BE, Momtaz ZS, Levine A. Magnetoresistance of doped silicon [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( ju 2015): 214414.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.214414
Artigo de periodico
Two- and four-level systems in magnetic fields restricted in time (2011)
Baldiotti, Mario Cesar ; Bagrov, V G; Gitman, D M ; Levin, A D
Source: BRAZILIAN JOURNAL OF PHYSICS. Unidade: IF
Assunto: MAGNETISMO
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ABNT
BALDIOTTI, Mario Cesar et al. Two- and four-level systems in magnetic fields restricted in time. BRAZILIAN JOURNAL OF PHYSICS, v. 41, n. 1, p. 71-77, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s13538-011-0001-x. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Baldiotti, M. C., Bagrov, V. G., Gitman, D. M., & Levin, A. D. (2011). Two- and four-level systems in magnetic fields restricted in time. BRAZILIAN JOURNAL OF PHYSICS, 41( 1), 71-77. doi:10.1007/s13538-011-0001-x
NLM
Baldiotti MC, Bagrov VG, Gitman DM, Levin AD. Two- and four-level systems in magnetic fields restricted in time [Internet]. BRAZILIAN JOURNAL OF PHYSICS. 2011 ;41( 1): 71-77.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s13538-011-0001-x
Vancouver
Baldiotti MC, Bagrov VG, Gitman DM, Levin AD. Two- and four-level systems in magnetic fields restricted in time [Internet]. BRAZILIAN JOURNAL OF PHYSICS. 2011 ;41( 1): 71-77.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s13538-011-0001-x

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