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  • Trabalho de evento-resumo

    Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons (2005)

    Lopes, K. C.; Matsuoka, M; Sucasaire, W; Mittani, J C R; Avanci, L H; Chubaci, J F D; Salvadori, M C B S; Leite, J. R.; Sant'Ana, A. C. de; Temperini, Márcia Laudelina Arruda ; Freitas, J. A.

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, IQ

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, FEIXES

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    • ABNT

      LOPES, K. C. et al. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf. Acesso em: 19 nov. 2024.

    • APA

      Lopes, K. C., Matsuoka, M., Sucasaire, W., Mittani, J. C. R., Avanci, L. H., Chubaci, J. F. D., et al. (2005). Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf

    • NLM

      Lopes KC, Matsuoka M, Sucasaire W, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Salvadori MCBS, Leite JR, Sant'Ana AC de, Temperini MLA, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf

    • Vancouver

      Lopes KC, Matsuoka M, Sucasaire W, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Salvadori MCBS, Leite JR, Sant'Ana AC de, Temperini MLA, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf

  • Artigo de periodico

    Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate (2005)

    Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro

    Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, CRISTALOGRAFIA, FEIXES, CRESCIMENTO DE CRISTAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      LEITE, J. R. e SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate. Journal of Crystal Growth, v. 284, n. 3-4, p. 379-387, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049. Acesso em: 19 nov. 2024.

    • APA

      Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2005). Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate. Journal of Crystal Growth, 284( 3-4), 379-387. doi:10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049

    • NLM

      Leite JR, Scolfaro LMR. Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 nov. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049

    • Vancouver

      Leite JR, Scolfaro LMR. Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 nov. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049

  • Artigo de periodico

    Comparative study of dissociative adsorption of 'NH IND.3', 'PH IND.3', and 'AsH IND.3' on Si(001)-(2X1) (2001)

    Miotto, R.; Srivastava, G P; Miwa, R H; Ferraz, A. C.

    Source: Journal of Chemical Physics. Unidade: IF

    Subjects: MICROSCOPIA, FEIXES, ABSORÇÃO, SUPERFÍCIE FÍSICA

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      MIOTTO, R. et al. Comparative study of dissociative adsorption of 'NH IND.3', 'PH IND.3', and 'AsH IND.3' on Si(001)-(2X1). Journal of Chemical Physics, v. 114, n. 21, p. 9549-9556, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JCPSA6000114000021009549000001&idtype=cvips. Acesso em: 19 nov. 2024.

    • APA

      Miotto, R., Srivastava, G. P., Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (2001). Comparative study of dissociative adsorption of 'NH IND.3', 'PH IND.3', and 'AsH IND.3' on Si(001)-(2X1). Journal of Chemical Physics, 114( 21), 9549-9556. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JCPSA6000114000021009549000001&idtype=cvips

    • NLM

      Miotto R, Srivastava GP, Miwa RH, Ferraz AC. Comparative study of dissociative adsorption of 'NH IND.3', 'PH IND.3', and 'AsH IND.3' on Si(001)-(2X1) [Internet]. Journal of Chemical Physics. 2001 ; 114( 21): 9549-9556.[citado 2024 nov. 19 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JCPSA6000114000021009549000001&idtype=cvips

    • Vancouver

      Miotto R, Srivastava GP, Miwa RH, Ferraz AC. Comparative study of dissociative adsorption of 'NH IND.3', 'PH IND.3', and 'AsH IND.3' on Si(001)-(2X1) [Internet]. Journal of Chemical Physics. 2001 ; 114( 21): 9549-9556.[citado 2024 nov. 19 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JCPSA6000114000021009549000001&idtype=cvips
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