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Tese (Doutorado)
Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS (2005)
Toquetti, Leandro Zeidan; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: RUGOSIDADE SUPERFICIAL, SILÍCIO, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TOQUETTI, Leandro Zeidan. Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS. 2005. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. . Acesso em: 05 ago. 2024.
APA
Toquetti, L. Z. (2005). Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Toquetti LZ. Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS. 2005 ;[citado 2024 ago. 05 ]
Vancouver
Toquetti LZ. Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS. 2005 ;[citado 2024 ago. 05 ]
Dissertação (Mestrado)
Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS (2000)
Toquetti, Leandro Zeidan; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
TOQUETTI, Leandro Zeidan. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2000. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000. . Acesso em: 05 ago. 2024.
APA
Toquetti, L. Z. (2000). Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Toquetti LZ. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2000 ;[citado 2024 ago. 05 ]
Vancouver
Toquetti LZ. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2000 ;[citado 2024 ago. 05 ]

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