Tese

Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS (2000)

• Authors:
  • Toquetti, Leandro Zeidan
  • Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
• Autor USP: TOQUETTI, LEANDRO ZEIDAN - EP
• Unidade: EP
• Sigla do Departamento: PSI
• Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
• Language: Português
• Abstract: Neste trabalho foram fabricados oxinitretos de silício por processamento térmico rápido (RTP) utilizando gases 'O IND.2' e 'N IND.2'O em temperaturas acima de '1050 GRAUS'C e tempos de processo variando entre 30s e 600s sobre lâminas de silíciotipo n, orientação cristalográfica <100> , de 75 cm de diâmetro e resistividade na faixa de 1 a 13'ômega'cm. Medidas por elipsometria mostraram que o índice de refração de oxinitretos é maior do que o do Si'O IND.2' comum (da ordem de 1,5 oumaior), provavelmente devido à incorporação de nitrogênio no filme. As medidas de microscopia de força atômica (AFM) indicaram dielétricos com baixíssima rugosidade média superficial, da ordem de 0,1nm ou menos. Os espectros obtidos das medidasde espectroscopia de absorção por infravermelho (FTIR) mostraram a presença de ligações químicas Si-O-N. Capacitores foram fabricados através da técnica RTP utilizando lâminas de silício tipo p, orientação cristalográfica <100>, 75 cm dediâmetro e resistividade na ordem de 7 a 13'ômega'cm. Foram utilizados gases 'O IND.2' e 'N IND.2'O em temperaturas acima de '1050 GRAUS'C e tempos de processo variando entre 30s e 240s. As medidas IxV e CxV dos capacitores MOS fabricados,indicaram altos campos de ruptura (12 a 15MV/cm) para os oxinitretos comparado aos campos de ruptura das amostras de Si'O IND.2' (10 a 12MV/cm) e valores razoáveis de QSS ('6.10 POT.10' a '6.10 POT.11' 'cm POT -2') em ambos os casos. Porém,capacitorescom oxinitretos cujas espessuras ficaram abaixo de 10nm, apresentaram alta corrente de fuga e baixos campos de ruptura.
• Imprenta:
  • Publisher place: São Paulo
  • Date published: 2000
• Data da defesa: 24.03.2000


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How to cite

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• ABNT

  TOQUETTI, Leandro Zeidan. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2000. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15102024-111607/pt-br.php. Acesso em: 09 nov. 2024.

• APA

  Toquetti, L. Z. (2000). Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15102024-111607/pt-br.php

• NLM

  Toquetti LZ. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS [Internet]. 2000 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15102024-111607/pt-br.php

• Vancouver

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