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Trabalho de evento-resumo
Strain in polytypic nanowires (2023)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos ; Alves, Horácio Wagner Leite
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique e SIPAHI, Guilherme Matos e ALVES, Horácio Wagner Leite. Strain in polytypic nanowires. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Siqueira, A. H., Sipahi, G. M., & Alves, H. W. L. (2023). Strain in polytypic nanowires. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
NLM
Siqueira AH, Sipahi GM, Alves HWL. Strain in polytypic nanowires [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
Vancouver
Siqueira AH, Sipahi GM, Alves HWL. Strain in polytypic nanowires [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20 (2022)
Miranda, Caetano Rodrigues ; Sipahi, Guilherme Matos (cur) ; Assali, Lucy Vitoria Credidio (cur) ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da (cur)
Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. . São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. . Acesso em: 11 nov. 2024. , 2022
APA
Miranda, C. R. (2022). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA.
NLM
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides (2022)
Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Abstract Book. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
NLM
Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
Vancouver
Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
Trabalho de evento-resumo
Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos (2022)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, MODELOS MATEMÁTICOS
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ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique e SIPAHI, Guilherme Matos. Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Siqueira, A. H., & Sipahi, G. M. (2022). Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf
NLM
Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf
Vancouver
Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf
Trabalho de evento-resumo
Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers (2021)
Sandoval, Marcelo A. Toloza; Sipahi, Guilherme Matos ; Andrada e Silva, E. A.; Silva, A. Ferreira da
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
SANDOVAL, Marcelo A. Toloza et al. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers. 2021, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2021. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Sandoval, M. A. T., Sipahi, G. M., Andrada e Silva, E. A., & Silva, A. F. da. (2021). Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
NLM
Sandoval MAT, Sipahi GM, Andrada e Silva EA, Silva AF da. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers [Internet]. Program. 2021 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
Vancouver
Sandoval MAT, Sipahi GM, Andrada e Silva EA, Silva AF da. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers [Internet]. Program. 2021 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies (2019)
Besse, Rafael; Bastos, Carlos M. O.; Sipahi, Guilherme Matos ; Lima, Matheus P.; Guedes Sobrinho, Diego; Caturello, Naidel A. M. S.; Silva, Augusto C. H.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Programa. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
BESSE, Rafael et al. Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2019. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Besse, R., Bastos, C. M. O., Sipahi, G. M., Lima, M. P., Guedes Sobrinho, D., Caturello, N. A. M. S., et al. (2019). Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies. In Programa. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf
NLM
Besse R, Bastos CMO, Sipahi GM, Lima MP, Guedes Sobrinho D, Caturello NAMS, Silva ACH, Silva JLF da. Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies [Internet]. Programa. 2019 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf
Vancouver
Besse R, Bastos CMO, Sipahi GM, Lima MP, Guedes Sobrinho D, Caturello NAMS, Silva ACH, Silva JLF da. Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies [Internet]. Programa. 2019 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf
Artigo de periodico
Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements (2019)
Bastos, Carlos M. O.; Besse, R.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Physical Review Materials. Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, Carlos M. O. et al. Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements. Physical Review Materials, v. 3, n. 4, p. 044002-1-044002-10, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.3.044002. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Besse, R., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2019). Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements. Physical Review Materials, 3( 4), 044002-1-044002-10. doi:10.1103/PhysRevMaterials.3.044002
NLM
Bastos CMO, Besse R, Silva JLF da, Sipahi GM. Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements [Internet]. Physical Review Materials. 2019 ; 3( 4): 044002-1-044002-10.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.3.044002
Vancouver
Bastos CMO, Besse R, Silva JLF da, Sipahi GM. Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements [Internet]. Physical Review Materials. 2019 ; 3( 4): 044002-1-044002-10.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.3.044002
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19 (2019)
Souza, Jeanlex Soares de (cur); Hernandez, Felix Guillermo Gonzalez (cur) ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da (cur) ; Silva, Juarez Lopes Ferreira da (cur) ; Sipahi, Guilherme Matos (cur)
Unidades: IF, IQSC, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19. . Fortaleza: Universidade Federal do Ceará - UFC. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c963bde4-c01b-464b-b9d6-63ed21f2a44e/P18327.pdf. Acesso em: 11 nov. 2024. , 2019
APA
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19. (2019). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19. Fortaleza: Universidade Federal do Ceará - UFC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/c963bde4-c01b-464b-b9d6-63ed21f2a44e/P18327.pdf
NLM
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19 [Internet]. 2019 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c963bde4-c01b-464b-b9d6-63ed21f2a44e/P18327.pdf
Vancouver
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19 [Internet]. 2019 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c963bde4-c01b-464b-b9d6-63ed21f2a44e/P18327.pdf
Trabalho de evento-resumo
Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian (2019)
Bastos, Carlos M. O.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Programa. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, Carlos M. O. e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da e SIPAHI, Guilherme Matos. Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2019. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0205-1.pdf. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2019). Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian. In Programa. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0205-1.pdf
NLM
Bastos CMO, Silva JLF da, Sipahi GM. Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian [Internet]. Programa. 2019 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0205-1.pdf
Vancouver
Bastos CMO, Silva JLF da, Sipahi GM. Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian [Internet]. Programa. 2019 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0205-1.pdf
Trabalho de evento
Structural stability, exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements: an ab-initio study (2019)
Sipahi, Guilherme Matos
Source: Canal YouTube International Institute of Physics - IIP. Conference titles: 2D Materials: from Fundamentals to Spintronics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos. Structural stability, exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements: an ab-initio study. 2019, Anais.. Natal: Universidade Federal do Rio Grande do Norte - UFRN - Instituto Internacional de Física, 2019. Disponível em: https://www.youtube.com/watch?v=CJq00_LsjmQ. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Sipahi, G. M. (2019). Structural stability, exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements: an ab-initio study. In Canal YouTube International Institute of Physics - IIP. Natal: Universidade Federal do Rio Grande do Norte - UFRN - Instituto Internacional de Física. Recuperado de https://www.youtube.com/watch?v=CJq00_LsjmQ
NLM
Sipahi GM. Structural stability, exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements: an ab-initio study [Internet]. Canal YouTube International Institute of Physics - IIP. 2019 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=CJq00_LsjmQ
Vancouver
Sipahi GM. Structural stability, exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements: an ab-initio study [Internet]. Canal YouTube International Institute of Physics - IIP. 2019 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=CJq00_LsjmQ
Artigo de periodico
A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory (2018)
Bastos, Carlos M. O.; Sabino, Fernando P.; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, Carlos M. O. et al. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory. Journal of Applied Physics, v. 123, n. 6, p. 065702-1-065702-13, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5018325. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2018). A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory. Journal of Applied Physics, 123( 6), 065702-1-065702-13. doi:10.1063/1.5018325
NLM
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 6): 065702-1-065702-13.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5018325
Vancouver
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 6): 065702-1-065702-13.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5018325
Artigo de periodico
Spin-orbit coupling effects in zinc-blende InSb and wurtzite InAs nanowires: realistic calculations with multiband k·p method (2018)
Campos, Tiago; Faria Junior, Paulo E.; Gmitra, Martin; Sipahi, Guilherme Matos ; Fabian, Jaroslav
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SPIN, SPINTRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAMPOS, Tiago et al. Spin-orbit coupling effects in zinc-blende InSb and wurtzite InAs nanowires: realistic calculations with multiband k·p method. Physical Review B, v. 97, n. 24, p. 245402-1-245402-18, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.245402. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Campos, T., Faria Junior, P. E., Gmitra, M., Sipahi, G. M., & Fabian, J. (2018). Spin-orbit coupling effects in zinc-blende InSb and wurtzite InAs nanowires: realistic calculations with multiband k·p method. Physical Review B, 97( 24), 245402-1-245402-18. doi:10.1103/PhysRevB.97.245402
NLM
Campos T, Faria Junior PE, Gmitra M, Sipahi GM, Fabian J. Spin-orbit coupling effects in zinc-blende InSb and wurtzite InAs nanowires: realistic calculations with multiband k·p method [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 97( 24): 245402-1-245402-18.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.245402
Vancouver
Campos T, Faria Junior PE, Gmitra M, Sipahi GM, Fabian J. Spin-orbit coupling effects in zinc-blende InSb and wurtzite InAs nanowires: realistic calculations with multiband k·p method [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 97( 24): 245402-1-245402-18.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.245402
Parte de monografia/livro
Semiconductor spin-lasers (2018)
Žutić, Igor; Lee, Jeongsu; Gøthgen, Christian; Faria Junior, Paulo E.; Xu, Gaofeng; Sipahi, Guilherme Matos ; Gerhardt, Nils C.
Source: Nanoscale spintronics and applications. Unidade: IFSC
Subjects: SPIN, LASER, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ŽUTIĆ, Igor et al. Semiconductor spin-lasers. Nanoscale spintronics and applications. Tradução . Boca Raton: CRC Press, 2018. p. 565 . Disponível em: https://doi.org/10.1201/9780429423079. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Žutić, I., Lee, J., Gøthgen, C., Faria Junior, P. E., Xu, G., Sipahi, G. M., & Gerhardt, N. C. (2018). Semiconductor spin-lasers. In Nanoscale spintronics and applications (p. 565 ). Boca Raton: CRC Press. doi:10.1201/9780429423079
NLM
Žutić I, Lee J, Gøthgen C, Faria Junior PE, Xu G, Sipahi GM, Gerhardt NC. Semiconductor spin-lasers [Internet]. In: Nanoscale spintronics and applications. Boca Raton: CRC Press; 2018. p. 565 .[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1201/9780429423079
Vancouver
Žutić I, Lee J, Gøthgen C, Faria Junior PE, Xu G, Sipahi GM, Gerhardt NC. Semiconductor spin-lasers [Internet]. In: Nanoscale spintronics and applications. Boca Raton: CRC Press; 2018. p. 565 .[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1201/9780429423079
Trabalho de evento-resumo
Ultrafast spin lasers (2018)
Xu, Gaofeng; Faria Junior, Paulo E.; Lee, Jeongsu; Gerhardt, Nils C.; Sipahi, Guilherme Matos ; Zutic, Igor
Source: Abstracts. Conference titles: Optics and Photonics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SPIN, SPINTRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
XU, Gaofeng et al. Ultrafast spin lasers. 2018, Anais.. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE, 2018. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Xu, G., Faria Junior, P. E., Lee, J., Gerhardt, N. C., Sipahi, G. M., & Zutic, I. (2018). Ultrafast spin lasers. In Abstracts. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE.
NLM
Xu G, Faria Junior PE, Lee J, Gerhardt NC, Sipahi GM, Zutic I. Ultrafast spin lasers. Abstracts. 2018 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Xu G, Faria Junior PE, Lee J, Gerhardt NC, Sipahi GM, Zutic I. Ultrafast spin lasers. Abstracts. 2018 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Ab-initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements (2018)
Bastos, C. M. O. B.; Besse, R.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, C. M. O. B. et al. Ab-initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements. 2018, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2018. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3584356c-36f2-4154-86f1-66ffc5dda5b5/P18122.pdf. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Bastos, C. M. O. B., Besse, R., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2018). Ab-initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/3584356c-36f2-4154-86f1-66ffc5dda5b5/P18122.pdf
NLM
Bastos CMOB, Besse R, Silva JLF da, Sipahi GM. Ab-initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements [Internet]. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3584356c-36f2-4154-86f1-66ffc5dda5b5/P18122.pdf
Vancouver
Bastos CMOB, Besse R, Silva JLF da, Sipahi GM. Ab-initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements [Internet]. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3584356c-36f2-4154-86f1-66ffc5dda5b5/P18122.pdf
Trabalho de evento-resumo
g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory (2018)
Bastos, Carlos, M. O.; Sipahi, Guilherme Matos ; Sabino, Fernando P.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, Carlos et al. g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory. 2018, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2018. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0259-1.pdf. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Bastos, C., Sipahi, G. M., Sabino, F. P., & Silva, J. L. F. da. (2018). g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0259-1.pdf
NLM
Bastos C, Sipahi GM, Sabino FP, Silva JLF da. g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0259-1.pdf
Vancouver
Bastos C, Sipahi GM, Sabino FP, Silva JLF da. g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0259-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Applications of quaternary nitride semiconductors for LEDs (2017)
Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, Sara C. P.
Source: Program Book. Conference titles: International Conference on Luminescence - ICL. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, LUMINESCÊNCIA, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIODOS, LASER
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos e RODRIGUES, Sara C. P. Applications of quaternary nitride semiconductors for LEDs. 2017, Anais.. João Pessoa: Universidade Federal da Paraíba - UFPB, 2017. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/18icl/specific-files/grabFile.php?codigo=BNSM. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Sipahi, G. M., & Rodrigues, S. C. P. (2017). Applications of quaternary nitride semiconductors for LEDs. In Program Book. João Pessoa: Universidade Federal da Paraíba - UFPB. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/18icl/specific-files/grabFile.php?codigo=BNSM
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP. Applications of quaternary nitride semiconductors for LEDs [Internet]. Program Book. 2017 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/18icl/specific-files/grabFile.php?codigo=BNSM
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP. Applications of quaternary nitride semiconductors for LEDs [Internet]. Program Book. 2017 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/18icl/specific-files/grabFile.php?codigo=BNSM
Trabalho de evento-resumo
Relative stability of octahedral and trigonal prismatic phases of MoSe2 flakes from density functional theory calculations (2017)
Besse, R.; Caturello, N. A. M. S.; Bastos, C. M. O.; Guedes-Sobrinho, D.; Lima, M. P; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, LASER
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BESSE, R. et al. Relative stability of octahedral and trigonal prismatic phases of MoSe2 flakes from density functional theory calculations. 2017, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2017. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/bfa1b65d-62a3-445a-be7c-0dc9fa863990/P17185.pdf. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Besse, R., Caturello, N. A. M. S., Bastos, C. M. O., Guedes-Sobrinho, D., Lima, M. P., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2017). Relative stability of octahedral and trigonal prismatic phases of MoSe2 flakes from density functional theory calculations. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/bfa1b65d-62a3-445a-be7c-0dc9fa863990/P17185.pdf
NLM
Besse R, Caturello NAMS, Bastos CMO, Guedes-Sobrinho D, Lima MP, Sipahi GM, Silva JLF da. Relative stability of octahedral and trigonal prismatic phases of MoSe2 flakes from density functional theory calculations [Internet]. Livro de Resumos. 2017 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/bfa1b65d-62a3-445a-be7c-0dc9fa863990/P17185.pdf
Vancouver
Besse R, Caturello NAMS, Bastos CMO, Guedes-Sobrinho D, Lima MP, Sipahi GM, Silva JLF da. Relative stability of octahedral and trigonal prismatic phases of MoSe2 flakes from density functional theory calculations [Internet]. Livro de Resumos. 2017 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/bfa1b65d-62a3-445a-be7c-0dc9fa863990/P17185.pdf
Trabalho de evento-resumo
Study of stability and electronic properties of transition metal dichalcogenides using density functional theory (2017)
Bastos, Carlos Maciel O.; Sabino, Fernando P.; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Abstract Booklet. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, LASER, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, Carlos Maciel O. et al. Study of stability and electronic properties of transition metal dichalcogenides using density functional theory. 2017, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017. Disponível em: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2017). Study of stability and electronic properties of transition metal dichalcogenides using density functional theory. In Abstract Booklet. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP. Recuperado de http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
NLM
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. Study of stability and electronic properties of transition metal dichalcogenides using density functional theory [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Vancouver
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. Study of stability and electronic properties of transition metal dichalcogenides using density functional theory [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Artigo de periodico
Wurtzite spin lasers (2017)
Faria Junior, Paulo E.; Xu, Gaofeng; Chen, Yang-Fang; Sipahi, Guilherme Matos ; Žutić, Igor
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SPIN, SPINTRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FARIA JUNIOR, Paulo E. et al. Wurtzite spin lasers. Physical Review B, v. 95, n. 11, p. 115301-1-115301-9, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.115301. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Faria Junior, P. E., Xu, G., Chen, Y. -F., Sipahi, G. M., & Žutić, I. (2017). Wurtzite spin lasers. Physical Review B, 95( 11), 115301-1-115301-9. doi:10.1103/PhysRevB.95.115301
NLM
Faria Junior PE, Xu G, Chen Y-F, Sipahi GM, Žutić I. Wurtzite spin lasers [Internet]. Physical Review B. 2017 ; 95( 11): 115301-1-115301-9.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.115301
Vancouver
Faria Junior PE, Xu G, Chen Y-F, Sipahi GM, Žutić I. Wurtzite spin lasers [Internet]. Physical Review B. 2017 ; 95( 11): 115301-1-115301-9.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.115301

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