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Curadoria
Escola de Física Contemporânea - EFC (2019)
Boito, Diogo Rodrigues (cur) ; Nunes, Luiz Antônio de Oliveira (cur) ; Gonçalves, Renato Vitalino (cur) ; Pratavieira, Sebastião (cur) ; Bagnato, Vanderlei Salvador (cur) ; Napolitano, Fabia (cur)
Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA, EXTENSÃO UNIVERSITÁRIA, CIÊNCIA, TECNOLOGIA
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ABNT
Escola de Física Contemporânea - EFC. . São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. . Acesso em: 03 nov. 2024. , 2019
APA
Escola de Física Contemporânea - EFC. (2019). Escola de Física Contemporânea - EFC. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Escola de Física Contemporânea - EFC. 2019 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Escola de Física Contemporânea - EFC. 2019 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Artigo de periodico
Influence of nonradiative Auger process in the lanthanide complexes lifetime near interfaces in organic light-emitting diode structures (2019)
Pereira, Alessandra; Conte, Gilmar; Faceto, Angelo Danilo; Nunes, Luiz Antônio de Oliveira ; Quirino, Welber G.; Legnani, Cristiano; Gallardo, Hugo; Cremona, Marco; Bechtold, Ivan H.; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: LUMINESCÊNCIA, EMISSÃO DA LUZ, FILMES FINOS, ÓPTICA NÃO LINEAR
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ABNT
PEREIRA, Alessandra et al. Influence of nonradiative Auger process in the lanthanide complexes lifetime near interfaces in organic light-emitting diode structures. Journal of Applied Physics, v. 126, n. 16, p. 165501-1-165501-9, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5099014. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Pereira, A., Conte, G., Faceto, A. D., Nunes, L. A. de O., Quirino, W. G., Legnani, C., et al. (2019). Influence of nonradiative Auger process in the lanthanide complexes lifetime near interfaces in organic light-emitting diode structures. Journal of Applied Physics, 126( 16), 165501-1-165501-9. doi:10.1063/1.5099014
NLM
Pereira A, Conte G, Faceto AD, Nunes LA de O, Quirino WG, Legnani C, Gallardo H, Cremona M, Bechtold IH, Guimarães FEG. Influence of nonradiative Auger process in the lanthanide complexes lifetime near interfaces in organic light-emitting diode structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 126( 16): 165501-1-165501-9.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5099014
Vancouver
Pereira A, Conte G, Faceto AD, Nunes LA de O, Quirino WG, Legnani C, Gallardo H, Cremona M, Bechtold IH, Guimarães FEG. Influence of nonradiative Auger process in the lanthanide complexes lifetime near interfaces in organic light-emitting diode structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 126( 16): 165501-1-165501-9.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5099014
Artigo de periodico
Near-infrared light emission of Er3+-doped zirconium oxide thin films: an optical, structural and XPS study (2015)
Clabel H., J. L.; Rivera, V. A. G.; Siu Li, Máximo ; Nunes, Luiz Antônio de Oliveira ; Leite, E. R.; Schreiner, W. H.; Marega Junior, Euclydes
Source: Journal of Alloys and Compounds. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA, EMISSÃO DA LUZ
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ABNT
CLABEL H., J. L. et al. Near-infrared light emission of Er3+-doped zirconium oxide thin films: an optical, structural and XPS study. Journal of Alloys and Compounds, v. 619, n. Ja 2015, p. 800-806, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2014.09.007. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Clabel H., J. L., Rivera, V. A. G., Siu Li, M., Nunes, L. A. de O., Leite, E. R., Schreiner, W. H., & Marega Junior, E. (2015). Near-infrared light emission of Er3+-doped zirconium oxide thin films: an optical, structural and XPS study. Journal of Alloys and Compounds, 619( Ja 2015), 800-806. doi:10.1016/j.jallcom.2014.09.007
NLM
Clabel H. JL, Rivera VAG, Siu Li M, Nunes LA de O, Leite ER, Schreiner WH, Marega Junior E. Near-infrared light emission of Er3+-doped zirconium oxide thin films: an optical, structural and XPS study [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2015 ; 619( Ja 2015): 800-806.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2014.09.007
Vancouver
Clabel H. JL, Rivera VAG, Siu Li M, Nunes LA de O, Leite ER, Schreiner WH, Marega Junior E. Near-infrared light emission of Er3+-doped zirconium oxide thin films: an optical, structural and XPS study [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2015 ; 619( Ja 2015): 800-806.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2014.09.007
Artigo de periodico
High red emission intensity of Eu:Y2O3 films grown on Si(1 0 0)/Si (1 1 1) by electron beam evaporation (2014)
Rivera, V. A. G.; Ferri, F. A.; Clabel, H. J. L.; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Nunes, Luiz Antônio de Oliveira ; Siu Li, Máximo ; Marega Junior, Euclydes
Source: Journal of Luminescence. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, FILMES FINOS, TERRAS RARAS
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ABNT
RIVERA, V. A. G. et al. High red emission intensity of Eu:Y2O3 films grown on Si(1 0 0)/Si (1 1 1) by electron beam evaporation. Journal of Luminescence, v. 148, p. 186-191, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2013.12.022. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Rivera, V. A. G., Ferri, F. A., Clabel, H. J. L., Silva, M. de A. P. da, Nunes, L. A. de O., Siu Li, M., & Marega Junior, E. (2014). High red emission intensity of Eu:Y2O3 films grown on Si(1 0 0)/Si (1 1 1) by electron beam evaporation. Journal of Luminescence, 148, 186-191. doi:10.1016/j.jlumin.2013.12.022
NLM
Rivera VAG, Ferri FA, Clabel HJL, Silva M de AP da, Nunes LA de O, Siu Li M, Marega Junior E. High red emission intensity of Eu:Y2O3 films grown on Si(1 0 0)/Si (1 1 1) by electron beam evaporation [Internet]. Journal of Luminescence. 2014 ; 148 186-191.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2013.12.022
Vancouver
Rivera VAG, Ferri FA, Clabel HJL, Silva M de AP da, Nunes LA de O, Siu Li M, Marega Junior E. High red emission intensity of Eu:Y2O3 films grown on Si(1 0 0)/Si (1 1 1) by electron beam evaporation [Internet]. Journal of Luminescence. 2014 ; 148 186-191.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2013.12.022
Trabalho de evento-resumo
High near-infrared emission intensity of Er3+- doped zirconium oxide films on a Si (100) substrate (2013)
Rivera, Victor A.; Ferri, Fabio A.; Huaman, Jose C.; Kawamura, Marcelo; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Nunes, Luiz Antônio de Oliveira ; Siu Li, Máximo ; Marega Junior, Euclydes
Source: Technical Summaries. Conference titles: Photonics West. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, ESPECTROSCOPIA, TERRAS RARAS
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ABNT
RIVERA, Victor A. et al. High near-infrared emission intensity of Er3+- doped zirconium oxide films on a Si (100) substrate. 2013, Anais.. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE, 2013. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Rivera, V. A., Ferri, F. A., Huaman, J. C., Kawamura, M., Silva, M. de A. P. da, Nunes, L. A. de O., et al. (2013). High near-infrared emission intensity of Er3+- doped zirconium oxide films on a Si (100) substrate. In Technical Summaries. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE.
NLM
Rivera VA, Ferri FA, Huaman JC, Kawamura M, Silva M de AP da, Nunes LA de O, Siu Li M, Marega Junior E. High near-infrared emission intensity of Er3+- doped zirconium oxide films on a Si (100) substrate. Technical Summaries. 2013 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Rivera VA, Ferri FA, Huaman JC, Kawamura M, Silva M de AP da, Nunes LA de O, Siu Li M, Marega Junior E. High near-infrared emission intensity of Er3+- doped zirconium oxide films on a Si (100) substrate. Technical Summaries. 2013 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento-anais periodico
High near-infrared emission intensity of Er3+-doped zirconium oxide films on a Si(100) substrate (2013)
Rivera, V. A. G.; Ferri, F. A.; Clabel H., J. L.; Kawamura, M. K.; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Nunes, Luiz Antônio de Oliveira ; Siu Li, Máximo ; Marega Junior, Euclydes
Source: Proceedings of SPIE. Conference titles: Optical Components and Materials. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, ESPECTROSCOPIA, TERRAS RARAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIVERA, V. A. G. et al. High near-infrared emission intensity of Er3+-doped zirconium oxide films on a Si(100) substrate. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Disponível em: https://doi.org/10.1117/12.2004783. Acesso em: 03 nov. 2024. , 2013
APA
Rivera, V. A. G., Ferri, F. A., Clabel H., J. L., Kawamura, M. K., Silva, M. de A. P. da, Nunes, L. A. de O., et al. (2013). High near-infrared emission intensity of Er3+-doped zirconium oxide films on a Si(100) substrate. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. doi:10.1117/12.2004783
NLM
Rivera VAG, Ferri FA, Clabel H. JL, Kawamura MK, Silva M de AP da, Nunes LA de O, Siu Li M, Marega Junior E. High near-infrared emission intensity of Er3+-doped zirconium oxide films on a Si(100) substrate [Internet]. Proceedings of SPIE. 2013 ; 8621 86211K-1-86211K-9.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.2004783
Vancouver
Rivera VAG, Ferri FA, Clabel H. JL, Kawamura MK, Silva M de AP da, Nunes LA de O, Siu Li M, Marega Junior E. High near-infrared emission intensity of Er3+-doped zirconium oxide films on a Si(100) substrate [Internet]. Proceedings of SPIE. 2013 ; 8621 86211K-1-86211K-9.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.2004783
Trabalho de evento-resumo
High emission intensity of 'Er POT. 3+'- doped zirconium films on a Si(100) substrate (2012)
Rivera, V. A. G.; Ferri, F. A.; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Nunes, Luiz Antônio de Oliveira ; Siu Li, Máximo ; Marega Junior, Euclydes ; Kawamura, M. K.; Huaman, Jose Luis Clabel
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: SILÍCIO, FILMES FINOS, ZIRCÔNIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIVERA, V. A. G. et al. High emission intensity of 'Er POT. 3+'- doped zirconium films on a Si(100) substrate. 2012, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0910-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Rivera, V. A. G., Ferri, F. A., Silva, M. de A. P. da, Nunes, L. A. de O., Siu Li, M., Marega Junior, E., et al. (2012). High emission intensity of 'Er POT. 3+'- doped zirconium films on a Si(100) substrate. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0910-1.pdf
NLM
Rivera VAG, Ferri FA, Silva M de AP da, Nunes LA de O, Siu Li M, Marega Junior E, Kawamura MK, Huaman JLC. High emission intensity of 'Er POT. 3+'- doped zirconium films on a Si(100) substrate [Internet]. Resumos. 2012 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0910-1.pdf
Vancouver
Rivera VAG, Ferri FA, Silva M de AP da, Nunes LA de O, Siu Li M, Marega Junior E, Kawamura MK, Huaman JLC. High emission intensity of 'Er POT. 3+'- doped zirconium films on a Si(100) substrate [Internet]. Resumos. 2012 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0910-1.pdf

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