Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
ABNT
PEREIRA, Regiane Aparecida Ragi e ROMERO, Murilo Araujo e MANZOLI, José Eduardo. Desenvolvimento de modelo teórico para a característica capacitância-tensão (C-V) em estruturas MSM (Metal-Semiconductor-Metal) heterodimensionais [painel]. 2001, Anais.. São Paulo: Sbf, 2001. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f11a1b-3f97-42d9-905a-ad93b63593f5/ok1193454.pdf. Acesso em: 17 fev. 2026.APA
Pereira, R. A. R., Romero, M. A., & Manzoli, J. E. (2001). Desenvolvimento de modelo teórico para a característica capacitância-tensão (C-V) em estruturas MSM (Metal-Semiconductor-Metal) heterodimensionais [painel]. In . São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f11a1b-3f97-42d9-905a-ad93b63593f5/ok1193454.pdfNLM
Pereira RAR, Romero MA, Manzoli JE. Desenvolvimento de modelo teórico para a característica capacitância-tensão (C-V) em estruturas MSM (Metal-Semiconductor-Metal) heterodimensionais [painel] [Internet]. 2001 ;[citado 2026 fev. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f11a1b-3f97-42d9-905a-ad93b63593f5/ok1193454.pdfVancouver
Pereira RAR, Romero MA, Manzoli JE. Desenvolvimento de modelo teórico para a característica capacitância-tensão (C-V) em estruturas MSM (Metal-Semiconductor-Metal) heterodimensionais [painel] [Internet]. 2001 ;[citado 2026 fev. 17 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f11a1b-3f97-42d9-905a-ad93b63593f5/ok1193454.pdf
