Desenvolvimento de modelo teórico para a característica capacitância-tensão (C-V) em estruturas MSM (Metal-Semiconductor-Metal) heterodimensionais [painel] (2001)
- Authors:
- Autor USP: ROMERO, MURILO ARAUJO - EESC
- Unidade: EESC
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
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ABNT
PEREIRA, Regiane Aparecida Ragi e ROMERO, Murilo Araújo e MANZOLI, José Eduardo. Desenvolvimento de modelo teórico para a característica capacitância-tensão (C-V) em estruturas MSM (Metal-Semiconductor-Metal) heterodimensionais [painel]. 2001, Anais.. São Paulo: Sbf, 2001. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Pereira, R. A. R., Romero, M. A., & Manzoli, J. E. (2001). Desenvolvimento de modelo teórico para a característica capacitância-tensão (C-V) em estruturas MSM (Metal-Semiconductor-Metal) heterodimensionais [painel]. In . São Paulo: Sbf. -
NLM
Pereira RAR, Romero MA, Manzoli JE. Desenvolvimento de modelo teórico para a característica capacitância-tensão (C-V) em estruturas MSM (Metal-Semiconductor-Metal) heterodimensionais [painel]. 2001 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Pereira RAR, Romero MA, Manzoli JE. Desenvolvimento de modelo teórico para a característica capacitância-tensão (C-V) em estruturas MSM (Metal-Semiconductor-Metal) heterodimensionais [painel]. 2001 ;[citado 2024 abr. 23 ] - Analysis of a proposed dropping filter for WDM systems
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