Desenvolvimento de modelo teórico para a característica capacitância-tensão (C-V) em estruturas MSM (Metal-Semiconductor-Metal) heterodimensionais [painel] (2001)
- Authors:
- Autor USP: ROMERO, MURILO ARAUJO - EESC
- Unidade: EESC
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
PEREIRA, Regiane Aparecida Ragi e ROMERO, Murilo Araujo e MANZOLI, José Eduardo. Desenvolvimento de modelo teórico para a característica capacitância-tensão (C-V) em estruturas MSM (Metal-Semiconductor-Metal) heterodimensionais [painel]. 2001, Anais.. São Paulo: Sbf, 2001. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f11a1b-3f97-42d9-905a-ad93b63593f5/ok1193454.pdf. Acesso em: 18 fev. 2026. -
APA
Pereira, R. A. R., Romero, M. A., & Manzoli, J. E. (2001). Desenvolvimento de modelo teórico para a característica capacitância-tensão (C-V) em estruturas MSM (Metal-Semiconductor-Metal) heterodimensionais [painel]. In . São Paulo: Sbf. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f11a1b-3f97-42d9-905a-ad93b63593f5/ok1193454.pdf -
NLM
Pereira RAR, Romero MA, Manzoli JE. Desenvolvimento de modelo teórico para a característica capacitância-tensão (C-V) em estruturas MSM (Metal-Semiconductor-Metal) heterodimensionais [painel] [Internet]. 2001 ;[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f11a1b-3f97-42d9-905a-ad93b63593f5/ok1193454.pdf -
Vancouver
Pereira RAR, Romero MA, Manzoli JE. Desenvolvimento de modelo teórico para a característica capacitância-tensão (C-V) em estruturas MSM (Metal-Semiconductor-Metal) heterodimensionais [painel] [Internet]. 2001 ;[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f11a1b-3f97-42d9-905a-ad93b63593f5/ok1193454.pdf - Caracteristicas dinamicas de fotodetetores baseados em dopagem modulada (modfets)
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| Tipo | Nome | Link | |
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