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Artigo de periodico
Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N (2002)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Furthmüller, J; Bechstedt, F; Leite, J. R.
Source: Physica Status Solidi B-Basic Research. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
TELES, L. K. et al. Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research, v. 234, n. 3, p. 956-960, 2002Tradução . . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Leite, J. R. (2002). Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research, 234( 3), 956-960.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Leite JR. Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 3): 956-960.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Leite JR. Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 3): 956-960.[citado 2024 jul. 19 ]
Artigo de periodico
Carbon-based defects in GaN: doping behaviour (2002)
Ramos, L E; Furthmuller, J; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Bechstedt, F
Source: Physica Status Solidi B-Basic Research. Unidade: IF
Subjects: CRISTALOGRAFIA FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
RAMOS, L E et al. Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research, v. 234, n. 4, p. 864-867, 2002Tradução . . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Ramos, L. E., Furthmuller, J., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & Bechstedt, F. (2002). Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research, 234( 4), 864-867.
NLM
Ramos LE, Furthmuller J, Leite JR, Scolfaro LMR, Bechstedt F. Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 4): 864-867.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Ramos LE, Furthmuller J, Leite JR, Scolfaro LMR, Bechstedt F. Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 4): 864-867.[citado 2024 jul. 19 ]
Artigo de periodico
Si nanoparticles as a model for porous Si (2000)
Caldas, Marilia Junqueira
Source: Physica Status Solidi B-Basic Research. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CALDAS, Marilia Junqueira. Si nanoparticles as a model for porous Si. Physica Status Solidi B-Basic Research, v. 217, n. 1, p. 641-663, 2000Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=69000485&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Caldas, M. J. (2000). Si nanoparticles as a model for porous Si. Physica Status Solidi B-Basic Research, 217( 1), 641-663. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=69000485&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Caldas MJ. Si nanoparticles as a model for porous Si [Internet]. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2000 ; 217( 1): 641-663.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=69000485&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Caldas MJ. Si nanoparticles as a model for porous Si [Internet]. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2000 ; 217( 1): 641-663.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=69000485&PLACEBO=IE.pdf

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