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  • Source: Microeletronics Journal. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, EFEITO HALL, MICROELETRÔNICA

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    • ABNT

      SERGIO, C S et al. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microeletronics Journal, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6. Acesso em: 23 jan. 2026.
    • APA

      Sergio, C. S., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2003). Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microeletronics Journal. doi:10.1016/S0026-2692(03)00121-6
    • NLM

      Sergio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microeletronics Journal. 2003 ;[citado 2026 jan. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6
    • Vancouver

      Sergio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microeletronics Journal. 2003 ;[citado 2026 jan. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6
  • Source: Microeletronics Journal. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MUDANÇA DE FASE

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    • ABNT

      LEITE, J. R. Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures. Microeletronics Journal, v. 33, n. 4, p. 323-329, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00126-4. Acesso em: 23 jan. 2026.
    • APA

      Leite, J. R. (2002). Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures. Microeletronics Journal, 33( 4), 323-329. doi:10.1016/s0026-2692(01)00126-4
    • NLM

      Leite JR. Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures [Internet]. Microeletronics Journal. 2002 ; 33( 4): 323-329.[citado 2026 jan. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00126-4
    • Vancouver

      Leite JR. Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures [Internet]. Microeletronics Journal. 2002 ; 33( 4): 323-329.[citado 2026 jan. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00126-4
  • Source: Microeletronics Journal. Unidade: EESC

    Subjects: OSCILADORES (EQUAÇÕES DIFERENCIAIS), CONTROLE (TEORIA DE SISTEMAS E CONTROLE), MICROELETRÔNICA

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    • ABNT

      ANWAR, A. et al. Gate controlled 2-DEG varactor for VCO applictions in microwave circuits. Microeletronics Journal, v. 33, p. 495-500, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00142-2. Acesso em: 23 jan. 2026.
    • APA

      Anwar, A., Nabet, B., Ragi, R., Manzoli, J. E., & Romero, M. A. (2002). Gate controlled 2-DEG varactor for VCO applictions in microwave circuits. Microeletronics Journal, 33, 495-500. doi:10.1016/s0026-2692(01)00142-2
    • NLM

      Anwar A, Nabet B, Ragi R, Manzoli JE, Romero MA. Gate controlled 2-DEG varactor for VCO applictions in microwave circuits [Internet]. Microeletronics Journal. 2002 ; 33 495-500.[citado 2026 jan. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00142-2
    • Vancouver

      Anwar A, Nabet B, Ragi R, Manzoli JE, Romero MA. Gate controlled 2-DEG varactor for VCO applictions in microwave circuits [Internet]. Microeletronics Journal. 2002 ; 33 495-500.[citado 2026 jan. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00142-2

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