Electronic structure of complex defects in silicon (1988)
Leite, J. R.; Assali, Lucy Vitoria Credidio 
; Gomes, V M S
Source: Lec Notes in Phys. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
LEITE, J. R. e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e GOMES, V M S. Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys, v. 301, p. 75-94, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/bfb0034418. Acesso em: 06 nov. 2025.APA
Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1988). Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys, 301, 75-94. doi:10.1007/bfb0034418NLM
Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Lec Notes in Phys. 1988 ;301 75-94.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418Vancouver
Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Lec Notes in Phys. 1988 ;301 75-94.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418
