On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s (1998)
Manzoli, José Eduardo; Romero, Murilo Araujo 
; Hipólito, Oscar
Source: IEEE Journal of Quantum Electronics. Unidades: EESC, IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
MANZOLI, José Eduardo e ROMERO, Murilo Araujo e HIPÓLITO, Oscar. On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s. IEEE Journal of Quantum Electronics, v. 34, n. 12, p. 2314-2320, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/3.736099. Acesso em: 26 jan. 2026.APA
Manzoli, J. E., Romero, M. A., & Hipólito, O. (1998). On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s. IEEE Journal of Quantum Electronics, 34( 12), 2314-2320. doi:10.1109/3.736099NLM
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s [Internet]. IEEE Journal of Quantum Electronics. 1998 ; 34( 12): 2314-2320.[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1109/3.736099Vancouver
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s [Internet]. IEEE Journal of Quantum Electronics. 1998 ; 34( 12): 2314-2320.[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1109/3.736099
