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Relatorio tecnico
Máscara teste da tecnologia bipolar de potência: altas correntes (1989)
Mirage, V L M N; Bodinaud, Jean Albert
Unidades: EP, IEE
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRAGE, V L M N e BODINAUD, Jean Albert. Máscara teste da tecnologia bipolar de potência: altas correntes. . São Paulo: Lme-Usp. . Acesso em: 16 nov. 2024. , 1989
APA
Mirage, V. L. M. N., & Bodinaud, J. A. (1989). Máscara teste da tecnologia bipolar de potência: altas correntes. São Paulo: Lme-Usp.
NLM
Mirage VLMN, Bodinaud JA. Máscara teste da tecnologia bipolar de potência: altas correntes. 1989 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Vancouver
Mirage VLMN, Bodinaud JA. Máscara teste da tecnologia bipolar de potência: altas correntes. 1989 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Artigo de periodico-resenha
Resenha sem titulo proprio (1989)
Marcondes Helene, M E; Cerquinho, M
Source: Revista Brasileira de Planejamento Energetico. Unidade: IEE
Assunto: PLANEJAMENTO ENERGÉTICO
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ABNT
MARCONDES HELENE, M E e CERQUINHO, M. Resenha sem titulo proprio. Revista Brasileira de Planejamento Energetico. [S.l.]: Instituto de Energia e Ambiente, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 16 nov. 2024. , 1989
APA
Marcondes Helene, M. E., & Cerquinho, M. (1989). Resenha sem titulo proprio. Revista Brasileira de Planejamento Energetico. Instituto de Energia e Ambiente, Universidade de São Paulo.
NLM
Marcondes Helene ME, Cerquinho M. Resenha sem titulo proprio. Revista Brasileira de Planejamento Energetico. 1989 ;1 ( 1 ): 103-5.[citado 2024 nov. 16 ]
Vancouver
Marcondes Helene ME, Cerquinho M. Resenha sem titulo proprio. Revista Brasileira de Planejamento Energetico. 1989 ;1 ( 1 ): 103-5.[citado 2024 nov. 16 ]
Trabalho de evento
Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro (1989)
Andrade, Adnei Melges de ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Fonseca, Fernando Josepetti ; Pereyra, Inés ; Sanematsu, Mário Sabro
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Subjects: FILMES FINOS, TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Andrade, C. A. M. de, Fonseca, F. J., Pereyra, I., & Sanematsu, M. S. (1989). Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Andrade AM de, Andrade CAM de, Fonseca FJ, Pereyra I, Sanematsu MS. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Vancouver
Andrade AM de, Andrade CAM de, Fonseca FJ, Pereyra I, Sanematsu MS. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Trabalho de evento
An application of the new approach of atmospheric correction factors to power frequency tests performed on post insulators (1989)
Mello, D R; Chagas, F A; Arinos Teixeira, J; Piantini, Alexandre
Conference titles: International Symposium on High Voltage Engineering. Unidade: IEE
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
MELLO, D R et al. An application of the new approach of atmospheric correction factors to power frequency tests performed on post insulators. 1989, Anais.. Mississipi: Mississipi State University, 1989. . Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Mello, D. R., Chagas, F. A., Arinos Teixeira, J., & Piantini, A. (1989). An application of the new approach of atmospheric correction factors to power frequency tests performed on post insulators. In . Mississipi: Mississipi State University.
NLM
Mello DR, Chagas FA, Arinos Teixeira J, Piantini A. An application of the new approach of atmospheric correction factors to power frequency tests performed on post insulators. 1989 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Vancouver
Mello DR, Chagas FA, Arinos Teixeira J, Piantini A. An application of the new approach of atmospheric correction factors to power frequency tests performed on post insulators. 1989 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Trabalho de evento
Earthing electrodes modelling for impulse current (1989)
Kameyama, Francisco Hirakazu; Altafim, Ruy Alberto Corrêa
Conference titles: International Symposium on High Voltage Engineering. Unidades: IEE, EESC
Assunto: SISTEMAS ELÉTRICOS DE POTÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KAMEYAMA, Francisco Hirakazu e ALTAFIM, Ruy Alberto Corrêa. Earthing electrodes modelling for impulse current. 1989, Anais.. New Orleans: Mississippi State University, 1989. . Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Kameyama, F. H., & Altafim, R. A. C. (1989). Earthing electrodes modelling for impulse current. In . New Orleans: Mississippi State University.
NLM
Kameyama FH, Altafim RAC. Earthing electrodes modelling for impulse current. 1989 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Vancouver
Kameyama FH, Altafim RAC. Earthing electrodes modelling for impulse current. 1989 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Trabalho de evento
Amorphous silicon thin film field effect transistors (1989)
Andrade, Adnei Melges de ; Sanematsu, Mário Sabro; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Pereyra, Inés ; Martins, R F P; Fortunato, E
Source: Thin Films and Small Particles: Proceedings. Conference titles: Latin-American Symposium on Surface Physics. Unidades: IEE, EP
Subjects: FILMES FINOS, TRANSISTORES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Amorphous silicon thin film field effect transistors. 1989, Anais.. Singapore: World Scientific, 1989. . Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Sanematsu, M. S., Fonseca, F. J., Andrade, C. A. M. de, Pereyra, I., Martins, R. F. P., & Fortunato, E. (1989). Amorphous silicon thin film field effect transistors. In Thin Films and Small Particles: Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Pereyra I, Martins RFP, Fortunato E. Amorphous silicon thin film field effect transistors. Thin Films and Small Particles: Proceedings. 1989 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Vancouver
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Pereyra I, Martins RFP, Fortunato E. Amorphous silicon thin film field effect transistors. Thin Films and Small Particles: Proceedings. 1989 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Trabalho de evento
Experimental investigation on the peak lightning currents measured with a peak lightning currents detector (1989)
Kameyama, Francisco Hirakazu; Altafim, Ruy Alberto Corrêa
Conference titles: International Symposium on High Voltage Engineering. Unidades: IEE, EESC
Assunto: SISTEMAS ELÉTRICOS DE POTÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KAMEYAMA, Francisco Hirakazu e ALTAFIM, Ruy Alberto Corrêa. Experimental investigation on the peak lightning currents measured with a peak lightning currents detector. 1989, Anais.. New Orleans: Mississippi State University, 1989. . Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Kameyama, F. H., & Altafim, R. A. C. (1989). Experimental investigation on the peak lightning currents measured with a peak lightning currents detector. In . New Orleans: Mississippi State University.
NLM
Kameyama FH, Altafim RAC. Experimental investigation on the peak lightning currents measured with a peak lightning currents detector. 1989 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Vancouver
Kameyama FH, Altafim RAC. Experimental investigation on the peak lightning currents measured with a peak lightning currents detector. 1989 ;[citado 2024 nov. 16 ]

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