Desenvolvimento da tecnologia de construção de MESFET de GaAs para aplicação em microondas (1987)
Unidade: EPSubjects: TECNOLOGIA DE MICRO-ONDAS, CIRCUITOS ELETRÔNICOS
ABNT
SAITO, Megumi. Desenvolvimento da tecnologia de construção de MESFET de GaAs para aplicação em microondas. 1987. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1987. . Acesso em: 08 set. 2024.APA
Saito, M. (1987). Desenvolvimento da tecnologia de construção de MESFET de GaAs para aplicação em microondas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.NLM
Saito M. Desenvolvimento da tecnologia de construção de MESFET de GaAs para aplicação em microondas. 1987 ;[citado 2024 set. 08 ]Vancouver
Saito M. Desenvolvimento da tecnologia de construção de MESFET de GaAs para aplicação em microondas. 1987 ;[citado 2024 set. 08 ]