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Determinacao de parametros de processo para fotomascara 'BALZERS' (1994)
Seki, J; Pereira, J A A M; Saito, M
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SEKI, J e PEREIRA, J A A M e SAITO, M. Determinacao de parametros de processo para fotomascara 'BALZERS'. 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. . Acesso em: 08 set. 2024.
APA
Seki, J., Pereira, J. A. A. M., & Saito, M. (1994). Determinacao de parametros de processo para fotomascara 'BALZERS'. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj.
NLM
Seki J, Pereira JAAM, Saito M. Determinacao de parametros de processo para fotomascara 'BALZERS'. Anais. 1994 ;[citado 2024 set. 08 ]
Vancouver
Seki J, Pereira JAAM, Saito M. Determinacao de parametros de processo para fotomascara 'BALZERS'. Anais. 1994 ;[citado 2024 set. 08 ]
Relatorio tecnico
Desenvolvimento de capacitores mom (1988)
Cordaro, M H; Valle, M A; Saito, M
Unidade: EP
Assunto: CAPACITORES
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ABNT
CORDARO, M H e VALLE, M A e SAITO, M. Desenvolvimento de capacitores mom. . São Paulo: Lme-Usp. . Acesso em: 08 set. 2024. , 1988
APA
Cordaro, M. H., Valle, M. A., & Saito, M. (1988). Desenvolvimento de capacitores mom. São Paulo: Lme-Usp.
NLM
Cordaro MH, Valle MA, Saito M. Desenvolvimento de capacitores mom. 1988 ;[citado 2024 set. 08 ]
Vancouver
Cordaro MH, Valle MA, Saito M. Desenvolvimento de capacitores mom. 1988 ;[citado 2024 set. 08 ]
Artigo de periodico
Desenvolvimento da tecnologia de construção de mesfet de gaas para aplicação em microondas (1988)
Pinto, José Kleber da Cunha; Saito, M
Source: Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, TECNOLOGIA DE MICRO-ONDAS
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ABNT
PINTO, José Kleber da Cunha e SAITO, M. Desenvolvimento da tecnologia de construção de mesfet de gaas para aplicação em microondas. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, v. 1 , p. 347-68, 1988Tradução . . Acesso em: 08 set. 2024.
APA
Pinto, J. K. da C., & Saito, M. (1988). Desenvolvimento da tecnologia de construção de mesfet de gaas para aplicação em microondas. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, 1 , 347-68.
NLM
Pinto JK da C, Saito M. Desenvolvimento da tecnologia de construção de mesfet de gaas para aplicação em microondas. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 347-68.[citado 2024 set. 08 ]
Vancouver
Pinto JK da C, Saito M. Desenvolvimento da tecnologia de construção de mesfet de gaas para aplicação em microondas. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 347-68.[citado 2024 set. 08 ]
Relatorio tecnico
Resistor em filme fino (1988)
Saito, M; Cordaro, M H; Valle, M A
Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
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ABNT
SAITO, M e CORDARO, M H e VALLE, M A. Resistor em filme fino. . Sao Paulo: Lme-Usp. . Acesso em: 08 set. 2024. , 1988
APA
Saito, M., Cordaro, M. H., & Valle, M. A. (1988). Resistor em filme fino. Sao Paulo: Lme-Usp.
NLM
Saito M, Cordaro MH, Valle MA. Resistor em filme fino. 1988 ;[citado 2024 set. 08 ]
Vancouver
Saito M, Cordaro MH, Valle MA. Resistor em filme fino. 1988 ;[citado 2024 set. 08 ]

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