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Trabalho de evento-resumo
Donor impurities, n-typedoping , and impurity diffusion in diamond (1990)
Antonelli, A; Bernholc, J; Kajihara, S A
Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, A e BERNHOLC, J e KAJIHARA, S A. Donor impurities, n-typedoping , and impurity diffusion in diamond. 1990, Anais.. Thessaloniki: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 29 jan. 2026.
APA
Antonelli, A., Bernholc, J., & Kajihara, S. A. (1990). Donor impurities, n-typedoping , and impurity diffusion in diamond. In . Thessaloniki: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Antonelli A, Bernholc J, Kajihara SA. Donor impurities, n-typedoping , and impurity diffusion in diamond. 1990 ;[citado 2026 jan. 29 ]
Vancouver
Antonelli A, Bernholc J, Kajihara SA. Donor impurities, n-typedoping , and impurity diffusion in diamond. 1990 ;[citado 2026 jan. 29 ]
Artigo de periodico
Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon (1990)
Fazzio, Adalberto ; Antonelli, A; Ferreira de Paula Junior, H; Canuto, Sylvio Roberto Accioly
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto et al. Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon. Semiconductor Science and Technology, v. 5 , n. 3 , p. 196-9, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/5/3/002. Acesso em: 29 jan. 2026.
APA
Fazzio, A., Antonelli, A., Ferreira de Paula Junior, H., & Canuto, S. R. A. (1990). Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon. Semiconductor Science and Technology, 5 ( 3 ), 196-9. doi:10.1088/0268-1242/5/3/002
NLM
Fazzio A, Antonelli A, Ferreira de Paula Junior H, Canuto SRA. Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1990 ;5 ( 3 ): 196-9.[citado 2026 jan. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/5/3/002
Vancouver
Fazzio A, Antonelli A, Ferreira de Paula Junior H, Canuto SRA. Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1990 ;5 ( 3 ): 196-9.[citado 2026 jan. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/5/3/002
Parte de monografia/livro
Correlation effects nad structural stability in si: o, s< and 'N POT.-' (1988)
Antonelli, A; Valle do Amaral, O A; Canuto, Sylvio Roberto Accioly ; Fazzio, Adalberto
Source: Current Topics on Semiconductor Physics. Unidade: IF
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ABNT
ANTONELLI, A et al. Correlation effects nad structural stability in si: o, s< and 'N POT.-'. Current Topics on Semiconductor Physics. Tradução . Singapore: World Scientific, 1988. . . Acesso em: 29 jan. 2026.
APA
Antonelli, A., Valle do Amaral, O. A., Canuto, S. R. A., & Fazzio, A. (1988). Correlation effects nad structural stability in si: o, s< and 'N POT.-'. In Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific.
NLM
Antonelli A, Valle do Amaral OA, Canuto SRA, Fazzio A. Correlation effects nad structural stability in si: o, s< and 'N POT.-'. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2026 jan. 29 ]
Vancouver
Antonelli A, Valle do Amaral OA, Canuto SRA, Fazzio A. Correlation effects nad structural stability in si: o, s< and 'N POT.-'. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2026 jan. 29 ]
Artigo de periodico
Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon (1987)
Amaral, O A V; Antonelli, A; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
AMARAL, O A V e ANTONELLI, A e FAZZIO, Adalberto. Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon. Physical Review B, v. 35, n. 12, p. 6450-3, 1987Tradução . . Acesso em: 29 jan. 2026.
APA
Amaral, O. A. V., Antonelli, A., & Fazzio, A. (1987). Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon. Physical Review B, 35( 12), 6450-3.
NLM
Amaral OAV, Antonelli A, Fazzio A. Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon. Physical Review B. 1987 ;35( 12): 6450-3.[citado 2026 jan. 29 ]
Vancouver
Amaral OAV, Antonelli A, Fazzio A. Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon. Physical Review B. 1987 ;35( 12): 6450-3.[citado 2026 jan. 29 ]
Artigo de periodico
Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3': optical properties (1986)
Tarnow, E; Antonelli, A; Joannopoulos, J D
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ÓPTICA
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ABNT
TARNOW, E e ANTONELLI, A e JOANNOPOULOS, J D. Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3': optical properties. Physical Review B, v. 34, n. 12, p. 8718-27, 1986Tradução . . Acesso em: 29 jan. 2026.
APA
Tarnow, E., Antonelli, A., & Joannopoulos, J. D. (1986). Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3': optical properties. Physical Review B, 34( 12), 8718-27.
NLM
Tarnow E, Antonelli A, Joannopoulos JD. Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3': optical properties. Physical Review B. 1986 ;34( 12): 8718-27.[citado 2026 jan. 29 ]
Vancouver
Tarnow E, Antonelli A, Joannopoulos JD. Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3': optical properties. Physical Review B. 1986 ;34( 12): 8718-27.[citado 2026 jan. 29 ]
Artigo de periodico
New insight into the electronic structure of 'AS IND.2''SE IND.3' (1986)
Antonelli, A; Tarnow, E; Joannopoulos, J D
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, A e TARNOW, E e JOANNOPOULOS, J D. New insight into the electronic structure of 'AS IND.2''SE IND.3'. Physical Review B, v. 33, n. 4 , p. 2968-71, 1986Tradução . . Acesso em: 29 jan. 2026.
APA
Antonelli, A., Tarnow, E., & Joannopoulos, J. D. (1986). New insight into the electronic structure of 'AS IND.2''SE IND.3'. Physical Review B, 33( 4 ), 2968-71.
NLM
Antonelli A, Tarnow E, Joannopoulos JD. New insight into the electronic structure of 'AS IND.2''SE IND.3'. Physical Review B. 1986 ;33( 4 ): 2968-71.[citado 2026 jan. 29 ]
Vancouver
Antonelli A, Tarnow E, Joannopoulos JD. New insight into the electronic structure of 'AS IND.2''SE IND.3'. Physical Review B. 1986 ;33( 4 ): 2968-71.[citado 2026 jan. 29 ]
Artigo de periodico
Optical properties of 'AS IND.2''SE IND.3' prediction of elliptical eigen polarizations (1986)
Tarnow, E; Antonelli, A; Joannopoulos, J D
Source: Bulletin of the American Physical Society. Unidade: IF
Assunto: ÓPTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TARNOW, E e ANTONELLI, A e JOANNOPOULOS, J D. Optical properties of 'AS IND.2''SE IND.3' prediction of elliptical eigen polarizations. Bulletin of the American Physical Society, v. 31, p. 592, 1986Tradução . . Acesso em: 29 jan. 2026.
APA
Tarnow, E., Antonelli, A., & Joannopoulos, J. D. (1986). Optical properties of 'AS IND.2''SE IND.3' prediction of elliptical eigen polarizations. Bulletin of the American Physical Society, 31, 592.
NLM
Tarnow E, Antonelli A, Joannopoulos JD. Optical properties of 'AS IND.2''SE IND.3' prediction of elliptical eigen polarizations. Bulletin of the American Physical Society. 1986 ;31 592.[citado 2026 jan. 29 ]
Vancouver
Tarnow E, Antonelli A, Joannopoulos JD. Optical properties of 'AS IND.2''SE IND.3' prediction of elliptical eigen polarizations. Bulletin of the American Physical Society. 1986 ;31 592.[citado 2026 jan. 29 ]
Artigo de periodico
Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3' electronic and geometric structure (1986)
Tarnow, E; Antonelli, A; Joannopoulos, J D
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TARNOW, E e ANTONELLI, A e JOANNOPOULOS, J D. Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3' electronic and geometric structure. Physical Review B, v. 34, n. 6 , p. 4059-73, 1986Tradução . . Acesso em: 29 jan. 2026.
APA
Tarnow, E., Antonelli, A., & Joannopoulos, J. D. (1986). Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3' electronic and geometric structure. Physical Review B, 34( 6 ), 4059-73.
NLM
Tarnow E, Antonelli A, Joannopoulos JD. Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3' electronic and geometric structure. Physical Review B. 1986 ;34( 6 ): 4059-73.[citado 2026 jan. 29 ]
Vancouver
Tarnow E, Antonelli A, Joannopoulos JD. Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3' electronic and geometric structure. Physical Review B. 1986 ;34( 6 ): 4059-73.[citado 2026 jan. 29 ]
Trabalho de evento-resumo
Estado fundamental de um gas de particulas de dirac homogeneo (1986)
Antonelli, A; Agostinho Neto, A
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, A e AGOSTINHO NETO, A. Estado fundamental de um gas de particulas de dirac homogeneo. 1986, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1986. . Acesso em: 29 jan. 2026.
APA
Antonelli, A., & Agostinho Neto, A. (1986). Estado fundamental de um gas de particulas de dirac homogeneo. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Antonelli A, Agostinho Neto A. Estado fundamental de um gas de particulas de dirac homogeneo. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2026 jan. 29 ]
Vancouver
Antonelli A, Agostinho Neto A. Estado fundamental de um gas de particulas de dirac homogeneo. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2026 jan. 29 ]
Tese (Doutorado)
Polarização de spin em sistemas atômicos dentro de um formalismo relativistico (1981)
Antonelli, Alex; Agostinho Neto, Augusto (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, Alex. Polarização de spin em sistemas atômicos dentro de um formalismo relativistico. 1981. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1981. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43131/tde-26022014-100020/. Acesso em: 29 jan. 2026.
APA
Antonelli, A. (1981). Polarização de spin em sistemas atômicos dentro de um formalismo relativistico (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43131/tde-26022014-100020/
NLM
Antonelli A. Polarização de spin em sistemas atômicos dentro de um formalismo relativistico [Internet]. 1981 ;[citado 2026 jan. 29 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43131/tde-26022014-100020/
Vancouver
Antonelli A. Polarização de spin em sistemas atômicos dentro de um formalismo relativistico [Internet]. 1981 ;[citado 2026 jan. 29 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43131/tde-26022014-100020/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de efeitos de exchange-correlação em sistemas eletronicos não homogeneos (1977)
Antonelli, Alex; Leite, J. R. (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, Alex. Estudo de efeitos de exchange-correlação em sistemas eletronicos não homogeneos. 1977. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1977. . Acesso em: 29 jan. 2026.
APA
Antonelli, A. (1977). Estudo de efeitos de exchange-correlação em sistemas eletronicos não homogeneos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Antonelli A. Estudo de efeitos de exchange-correlação em sistemas eletronicos não homogeneos. 1977 ;[citado 2026 jan. 29 ]
Vancouver
Antonelli A. Estudo de efeitos de exchange-correlação em sistemas eletronicos não homogeneos. 1977 ;[citado 2026 jan. 29 ]

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