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  • Source: Proceedings. Conference titles: Congress of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS

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    • ABNT

      MOLINA TORRES, L C. Metallic interconect reliability due to electromigration. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 03 mar. 2024.
    • APA

      Molina Torres, L. C. (1995). Metallic interconect reliability due to electromigration. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs.
    • NLM

      Molina Torres LC. Metallic interconect reliability due to electromigration. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 mar. 03 ]
    • Vancouver

      Molina Torres LC. Metallic interconect reliability due to electromigration. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 mar. 03 ]
  • Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS

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    • ABNT

      BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida et al. Estruturas para verificacao de regras de projeto em tecnologia CMOS. 1988, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 03 mar. 2024.
    • APA

      Braga, N. L. de A., Waldman, B., Vale Neto, J. V. do, Molina Torres, L. C., & Zasnicoff, L. S. (1988). Estruturas para verificacao de regras de projeto em tecnologia CMOS. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
    • NLM

      Braga NL de A, Waldman B, Vale Neto JV do, Molina Torres LC, Zasnicoff LS. Estruturas para verificacao de regras de projeto em tecnologia CMOS. Anais. 1988 ;[citado 2024 mar. 03 ]
    • Vancouver

      Braga NL de A, Waldman B, Vale Neto JV do, Molina Torres LC, Zasnicoff LS. Estruturas para verificacao de regras de projeto em tecnologia CMOS. Anais. 1988 ;[citado 2024 mar. 03 ]
  • Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    • ABNT

      ZASNICOFF, Luiz Sergio e ELY, Hélio José Fonseca e MOLINA TORRES, L C. Características principais da ilha n de uma tecnologia cmos: projeto e resultados experimentais. 1988, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 03 mar. 2024.
    • APA

      Zasnicoff, L. S., Ely, H. J. F., & Molina Torres, L. C. (1988). Características principais da ilha n de uma tecnologia cmos: projeto e resultados experimentais. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
    • NLM

      Zasnicoff LS, Ely HJF, Molina Torres LC. Características principais da ilha n de uma tecnologia cmos: projeto e resultados experimentais. Anais. 1988 ;[citado 2024 mar. 03 ]
    • Vancouver

      Zasnicoff LS, Ely HJF, Molina Torres LC. Características principais da ilha n de uma tecnologia cmos: projeto e resultados experimentais. Anais. 1988 ;[citado 2024 mar. 03 ]
  • Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    • ABNT

      MOLINA TORRES, L C et al. Tecnologia CMOS /NMOS de 3'MI'm ; aspectos de projeto e primeiros resultados. 1988, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 03 mar. 2024.
    • APA

      Molina Torres, L. C., Vale Neto, J. V. do, Zasnicoff, L. S., & Pereira, J. A. A. M. (1988). Tecnologia CMOS /NMOS de 3'MI'm ; aspectos de projeto e primeiros resultados. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
    • NLM

      Molina Torres LC, Vale Neto JV do, Zasnicoff LS, Pereira JAAM. Tecnologia CMOS /NMOS de 3'MI'm ; aspectos de projeto e primeiros resultados. Anais. 1988 ;[citado 2024 mar. 03 ]
    • Vancouver

      Molina Torres LC, Vale Neto JV do, Zasnicoff LS, Pereira JAAM. Tecnologia CMOS /NMOS de 3'MI'm ; aspectos de projeto e primeiros resultados. Anais. 1988 ;[citado 2024 mar. 03 ]
  • Source: Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. Unidades: IEE, EP

    Assunto: FÍSICO-QUÍMICA

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    • ABNT

      ANDRADE, Carlos Américo Morato de e MOLINA TORRES, L C. Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, v. 1 , p. 141-62, 1988Tradução . . Acesso em: 03 mar. 2024.
    • APA

      Andrade, C. A. M. de, & Molina Torres, L. C. (1988). Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, 1 , 141-62.
    • NLM

      Andrade CAM de, Molina Torres LC. Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 141-62.[citado 2024 mar. 03 ]
    • Vancouver

      Andrade CAM de, Molina Torres LC. Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 141-62.[citado 2024 mar. 03 ]
  • Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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    • ABNT

      BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida e COSTA, T F e MOLINA TORRES, L C. Regras de projeto para tecnologia CMOS. 1988, Anais.. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 03 mar. 2024.
    • APA

      Braga, N. L. de A., Costa, T. F., & Molina Torres, L. C. (1988). Regras de projeto para tecnologia CMOS. In Anais. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp.
    • NLM

      Braga NL de A, Costa TF, Molina Torres LC. Regras de projeto para tecnologia CMOS. Anais. 1988 ;[citado 2024 mar. 03 ]
    • Vancouver

      Braga NL de A, Costa TF, Molina Torres LC. Regras de projeto para tecnologia CMOS. Anais. 1988 ;[citado 2024 mar. 03 ]
  • Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

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    • ABNT

      MOLINA TORRES, L C e ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. 1988, Anais.. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 03 mar. 2024.
    • APA

      Molina Torres, L. C., & Andrade, C. A. M. de. (1988). Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. In Anais. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp.
    • NLM

      Molina Torres LC, Andrade CAM de. Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. Anais. 1988 ;[citado 2024 mar. 03 ]
    • Vancouver

      Molina Torres LC, Andrade CAM de. Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. Anais. 1988 ;[citado 2024 mar. 03 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS

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    • ABNT

      MOLINA TORRES, L C. Tecnologia CMOS /NMOS linha n de 3 micra: relatório técnico, nov.86-fev.87. . São Paulo: Lme-Usp. . Acesso em: 03 mar. 2024. , 1987
    • APA

      Molina Torres, L. C. (1987). Tecnologia CMOS /NMOS linha n de 3 micra: relatório técnico, nov.86-fev.87. São Paulo: Lme-Usp.
    • NLM

      Molina Torres LC. Tecnologia CMOS /NMOS linha n de 3 micra: relatório técnico, nov.86-fev.87. 1987 ;[citado 2024 mar. 03 ]
    • Vancouver

      Molina Torres LC. Tecnologia CMOS /NMOS linha n de 3 micra: relatório técnico, nov.86-fev.87. 1987 ;[citado 2024 mar. 03 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS

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    • ABNT

      ZASNICOFF, Luiz Sergio e MOLINA TORRES, L C. Tecnologia CMOS /NMOS de 3 micra: definição da sequência do processo de fabricação. . São Paulo: Lme-Usp. . Acesso em: 03 mar. 2024. , 1987
    • APA

      Zasnicoff, L. S., & Molina Torres, L. C. (1987). Tecnologia CMOS /NMOS de 3 micra: definição da sequência do processo de fabricação. São Paulo: Lme-Usp.
    • NLM

      Zasnicoff LS, Molina Torres LC. Tecnologia CMOS /NMOS de 3 micra: definição da sequência do processo de fabricação. 1987 ;[citado 2024 mar. 03 ]
    • Vancouver

      Zasnicoff LS, Molina Torres LC. Tecnologia CMOS /NMOS de 3 micra: definição da sequência do processo de fabricação. 1987 ;[citado 2024 mar. 03 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS

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    • ABNT

      COSTA, T F e MOLINA TORRES, L C. Tecnologia CMOS /NMOS de 3 micra: concepção da pastilha teste. . São Paulo: Lme-Usp. . Acesso em: 03 mar. 2024. , 1987
    • APA

      Costa, T. F., & Molina Torres, L. C. (1987). Tecnologia CMOS /NMOS de 3 micra: concepção da pastilha teste. São Paulo: Lme-Usp.
    • NLM

      Costa TF, Molina Torres LC. Tecnologia CMOS /NMOS de 3 micra: concepção da pastilha teste. 1987 ;[citado 2024 mar. 03 ]
    • Vancouver

      Costa TF, Molina Torres LC. Tecnologia CMOS /NMOS de 3 micra: concepção da pastilha teste. 1987 ;[citado 2024 mar. 03 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS

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    • ABNT

      ELY, Hélio José Fonseca e ZASNICOFF, Luiz Sergio e MOLINA TORRES, L C. Tecnologia CMOS /NMOS de 3 micra: estudo da ilha n. . São Paulo: Lme-Usp. . Acesso em: 03 mar. 2024. , 1987
    • APA

      Ely, H. J. F., Zasnicoff, L. S., & Molina Torres, L. C. (1987). Tecnologia CMOS /NMOS de 3 micra: estudo da ilha n. São Paulo: Lme-Usp.
    • NLM

      Ely HJF, Zasnicoff LS, Molina Torres LC. Tecnologia CMOS /NMOS de 3 micra: estudo da ilha n. 1987 ;[citado 2024 mar. 03 ]
    • Vancouver

      Ely HJF, Zasnicoff LS, Molina Torres LC. Tecnologia CMOS /NMOS de 3 micra: estudo da ilha n. 1987 ;[citado 2024 mar. 03 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

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      PEREIRA, J A A M e MOLINA TORRES, L C. Tecnologia cmos / nmos de 3 micra: aprimoramento do processo de fabricacao. . Sao Paulo: Lme-Usp. . Acesso em: 03 mar. 2024. , 1987
    • APA

      Pereira, J. A. A. M., & Molina Torres, L. C. (1987). Tecnologia cmos / nmos de 3 micra: aprimoramento do processo de fabricacao. Sao Paulo: Lme-Usp.
    • NLM

      Pereira JAAM, Molina Torres LC. Tecnologia cmos / nmos de 3 micra: aprimoramento do processo de fabricacao. 1987 ;[citado 2024 mar. 03 ]
    • Vancouver

      Pereira JAAM, Molina Torres LC. Tecnologia cmos / nmos de 3 micra: aprimoramento do processo de fabricacao. 1987 ;[citado 2024 mar. 03 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      ZASNICOFF, Luiz Sergio e MOLINA TORRES, L C. Tecnologia CMOS/NMOS de 3 micra: concepção do processo de fabricação. . São Paulo: Lme-Usp. . Acesso em: 03 mar. 2024. , 1987
    • APA

      Zasnicoff, L. S., & Molina Torres, L. C. (1987). Tecnologia CMOS/NMOS de 3 micra: concepção do processo de fabricação. São Paulo: Lme-Usp.
    • NLM

      Zasnicoff LS, Molina Torres LC. Tecnologia CMOS/NMOS de 3 micra: concepção do processo de fabricação. 1987 ;[citado 2024 mar. 03 ]
    • Vancouver

      Zasnicoff LS, Molina Torres LC. Tecnologia CMOS/NMOS de 3 micra: concepção do processo de fabricação. 1987 ;[citado 2024 mar. 03 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      MOLINA TORRES, L C. Temos - tecnologia CMOS-NMOS ilha de 3 micra. . São Paulo: Lme-Usp. . Acesso em: 03 mar. 2024. , 1987
    • APA

      Molina Torres, L. C. (1987). Temos - tecnologia CMOS-NMOS ilha de 3 micra. São Paulo: Lme-Usp.
    • NLM

      Molina Torres LC. Temos - tecnologia CMOS-NMOS ilha de 3 micra. 1987 ;[citado 2024 mar. 03 ]
    • Vancouver

      Molina Torres LC. Temos - tecnologia CMOS-NMOS ilha de 3 micra. 1987 ;[citado 2024 mar. 03 ]
  • Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
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      MOLINA TORRES, L C. Temos - tecnologia CMOS/NMOS ilha n de 3 micra. . São Paulo: Lme-Usp. . Acesso em: 03 mar. 2024. , 1987
    • APA

      Molina Torres, L. C. (1987). Temos - tecnologia CMOS/NMOS ilha n de 3 micra. São Paulo: Lme-Usp.
    • NLM

      Molina Torres LC. Temos - tecnologia CMOS/NMOS ilha n de 3 micra. 1987 ;[citado 2024 mar. 03 ]
    • Vancouver

      Molina Torres LC. Temos - tecnologia CMOS/NMOS ilha n de 3 micra. 1987 ;[citado 2024 mar. 03 ]

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