Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: EP, IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS
ABNT
NUNES, Carolina Carvalho Previdi et al. Caracterização de filmes de silício amorfo depositados por sputtering e dopados com fósforo para a fabricação de transistor de filme fino. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0829-1.pdf. Acesso em: 09 out. 2024.APA
Nunes, C. C. P., Mansano, R. D., Zambon, L. da S., & Tabacniks, M. H. (2008). Caracterização de filmes de silício amorfo depositados por sputtering e dopados com fósforo para a fabricação de transistor de filme fino. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0829-1.pdfNLM
Nunes CCP, Mansano RD, Zambon L da S, Tabacniks MH. Caracterização de filmes de silício amorfo depositados por sputtering e dopados com fósforo para a fabricação de transistor de filme fino [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0829-1.pdfVancouver
Nunes CCP, Mansano RD, Zambon L da S, Tabacniks MH. Caracterização de filmes de silício amorfo depositados por sputtering e dopados com fósforo para a fabricação de transistor de filme fino [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0829-1.pdf