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Artigo de periodico
Influence of the interface layers on the transport properties of InP/InGaAs quantum barrier structures grow low pressure metalorganic vapor phase epitaxy (2003)
Hanamoto, L K; Farias, C. M. A.; Henriques, André Bohomoletz; Tribuzy, C V B; Saouza, P L; Yavich, B
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
HANAMOTO, L K et al. Influence of the interface layers on the transport properties of InP/InGaAs quantum barrier structures grow low pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, v. 93, n. 9, p. 5460-5464, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1566477. Acesso em: 28 out. 2024.
APA
Hanamoto, L. K., Farias, C. M. A., Henriques, A. B., Tribuzy, C. V. B., Saouza, P. L., & Yavich, B. (2003). Influence of the interface layers on the transport properties of InP/InGaAs quantum barrier structures grow low pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, 93( 9), 5460-5464. doi:10.1063/1.1566477
NLM
Hanamoto LK, Farias CMA, Henriques AB, Tribuzy CVB, Saouza PL, Yavich B. Influence of the interface layers on the transport properties of InP/InGaAs quantum barrier structures grow low pressure metalorganic vapor phase epitaxy [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 93( 9): 5460-5464.[citado 2024 out. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1566477
Vancouver
Hanamoto LK, Farias CMA, Henriques AB, Tribuzy CVB, Saouza PL, Yavich B. Influence of the interface layers on the transport properties of InP/InGaAs quantum barrier structures grow low pressure metalorganic vapor phase epitaxy [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 93( 9): 5460-5464.[citado 2024 out. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1566477
Artigo de periodico
Interfacial layers and impurity segregation in InP/'In IND.0.53''Ga IND.0.47'As superlattices (2002)
Hanamoto, L K; Henriques, André Bohomoletz; Tribuzy, C V B; Souza, P L; Yavich, B; Abramof, E
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
HANAMOTO, L K et al. Interfacial layers and impurity segregation in InP/'In IND.0.53''Ga IND.0.47'As superlattices. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 334-337, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_334.pdf. Acesso em: 28 out. 2024.
APA
Hanamoto, L. K., Henriques, A. B., Tribuzy, C. V. B., Souza, P. L., Yavich, B., & Abramof, E. (2002). Interfacial layers and impurity segregation in InP/'In IND.0.53''Ga IND.0.47'As superlattices. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 334-337. Recuperado de http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_334.pdf
NLM
Hanamoto LK, Henriques AB, Tribuzy CVB, Souza PL, Yavich B, Abramof E. Interfacial layers and impurity segregation in InP/'In IND.0.53''Ga IND.0.47'As superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 334-337.[citado 2024 out. 28 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_334.pdf
Vancouver
Hanamoto LK, Henriques AB, Tribuzy CVB, Souza PL, Yavich B, Abramof E. Interfacial layers and impurity segregation in InP/'In IND.0.53''Ga IND.0.47'As superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 334-337.[citado 2024 out. 28 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_334.pdf
Artigo de periodico
Carbon delta-doped AlGaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy (2001)
Tribuzy, C V B; Butendeich, R; Pires, M P; Souza, P. L.; Henriques, André Bohomoletz
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
TRIBUZY, C V B et al. Carbon delta-doped AlGaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, v. 90, n. 3, p. 1660-1662, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1382826. Acesso em: 28 out. 2024.
APA
Tribuzy, C. V. B., Butendeich, R., Pires, M. P., Souza, P. L., & Henriques, A. B. (2001). Carbon delta-doped AlGaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, 90( 3), 1660-1662. doi:10.1063/1.1382826
NLM
Tribuzy CVB, Butendeich R, Pires MP, Souza PL, Henriques AB. Carbon delta-doped AlGaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 3): 1660-1662.[citado 2024 out. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1382826
Vancouver
Tribuzy CVB, Butendeich R, Pires MP, Souza PL, Henriques AB. Carbon delta-doped AlGaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 3): 1660-1662.[citado 2024 out. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1382826
Artigo de periodico
Delta-doping superlattices in multiple quantum wells (2001)
Tribuzy, C V B; Souza, P. L.; Landi, S M; Pires, M P; Butendeich, R; Bittencourt, A C; Marques, G E; Henriques, André Bohomoletz
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA (ESTRUTURA;PROPRIEDADES MECÂNICAS;PROPRIEDADES TÉRMICAS), MATÉRIA CONDENSADA (ESTRUTURA;PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATERIAIS (PROPRIEDADES FÍSICAS), SUPERFÍCIE FÍSICA, FENÔMENO DE TRANSPORTE, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
TRIBUZY, C V B et al. Delta-doping superlattices in multiple quantum wells. Physica E, v. 11, n. 2-3, p. 261-267, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(01)00215-6. Acesso em: 28 out. 2024.
APA
Tribuzy, C. V. B., Souza, P. L., Landi, S. M., Pires, M. P., Butendeich, R., Bittencourt, A. C., et al. (2001). Delta-doping superlattices in multiple quantum wells. Physica E, 11( 2-3), 261-267. doi:10.1016/s1386-9477(01)00215-6
NLM
Tribuzy CVB, Souza PL, Landi SM, Pires MP, Butendeich R, Bittencourt AC, Marques GE, Henriques AB. Delta-doping superlattices in multiple quantum wells [Internet]. Physica E. 2001 ; 11( 2-3): 261-267.[citado 2024 out. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(01)00215-6
Vancouver
Tribuzy CVB, Souza PL, Landi SM, Pires MP, Butendeich R, Bittencourt AC, Marques GE, Henriques AB. Delta-doping superlattices in multiple quantum wells [Internet]. Physica E. 2001 ; 11( 2-3): 261-267.[citado 2024 out. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(01)00215-6

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