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  • Dissertação (Mestrado)

    Medidas do coeficiente de multiplicação gasosa no isobutano puro (2010)

    Lima, Iara Batista de; Tobias, Carmen Cecília Bueno (Orientador)

    Unidade: IPEN

    Subjects: GASES, NITROGÊNIO, SIMULAÇÃO

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    • ABNT

      LIMA, Iara Batista de. Medidas do coeficiente de multiplicação gasosa no isobutano puro. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-10082011-102711/. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Lima, I. B. de. (2010). Medidas do coeficiente de multiplicação gasosa no isobutano puro (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-10082011-102711/

    • NLM

      Lima IB de. Medidas do coeficiente de multiplicação gasosa no isobutano puro [Internet]. 2010 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-10082011-102711/

    • Vancouver

      Lima IB de. Medidas do coeficiente de multiplicação gasosa no isobutano puro [Internet]. 2010 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-10082011-102711/

  • Dissertação (Mestrado)

    Medidas de velocidade de arrastamento de elétrons no isobutano puro (2010)

    Vivaldini, Túlio Cearamicoli; Tobias, Carmen Cecília Bueno (Orientador)

    Unidade: IPEN

    Subjects: GASES, NITROGÊNIO, SIMULAÇÃO

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      VIVALDINI, Túlio Cearamicoli. Medidas de velocidade de arrastamento de elétrons no isobutano puro. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-29082011-100842/. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Vivaldini, T. C. (2010). Medidas de velocidade de arrastamento de elétrons no isobutano puro (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-29082011-100842/

    • NLM

      Vivaldini TC. Medidas de velocidade de arrastamento de elétrons no isobutano puro [Internet]. 2010 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-29082011-100842/

    • Vancouver

      Vivaldini TC. Medidas de velocidade de arrastamento de elétrons no isobutano puro [Internet]. 2010 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-29082011-100842/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiação gama (2010)

    Pascoalino, Kelly Cristina da Silva; Tobias, Carmen Cecília Bueno (Orientador)

    Unidade: IPEN

    Subjects: DOSIMETRIA, RADIAÇÃO GAMA (DANOS), SILÍCIO, RISCO

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    • ABNT

      PASCOALINO, Kelly Cristina da Silva. Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiação gama. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-12082011-102243/. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Pascoalino, K. C. da S. (2010). Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiação gama (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-12082011-102243/

    • NLM

      Pascoalino KC da S. Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiação gama [Internet]. 2010 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-12082011-102243/

    • Vancouver

      Pascoalino KC da S. Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiação gama [Internet]. 2010 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-12082011-102243/

  • Tese (Doutorado)

    Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses (2009)

    Camargo, Fábio de; Tobias, Carmen Cecília Bueno (Orientador)

    Unidade: IPEN

    Subjects: DOSIMETRIA, RADIAÇÃO GAMA (EFEITOS), COBALTO, SILÍCIO, DIODOS

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      CAMARGO, Fábio de. Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses. 2009. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-07122009-142809/. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Camargo, F. de. (2009). Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-07122009-142809/

    • NLM

      Camargo F de. Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses [Internet]. 2009 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-07122009-142809/

    • Vancouver

      Camargo F de. Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses [Internet]. 2009 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-07122009-142809/
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