Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiação gama (2010)
- Authors:
- Autor USP: PASCOALINO, KELLY CRISTINA DA SILVA - IPEN
- Unidade: IPEN
- Subjects: DOSIMETRIA; RADIAÇÃO GAMA (DANOS); SILÍCIO; RISCO
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho é apresentado um estudo comparativo da resposta de diodos de Si para dosimetria de radiação gama. Os diodos investigados, crescidos pelas técnicas de fusão zonal (Fz) e Czchocralski magnético (MCz), foram processados no Instituto de Física da Universidade de Helsinki no âmbito das pesquisas e desenvolvimento de dispositivos de Si resistentes a danos de radiação segundo a colaboração RD50 do CERN (European Organization for Nuclear Research). Para estudar a resposta dosimétrica dos diodos, eles foram acoplados diretamente no modo fotovoltaico na entrada de um eletrômetro digital para medir o sinal de fotocorrente devido a incidência de raios gama provenientes de uma fonte de 60Co (Gammacell 220). O parâmetro dosimétrico usado para estudar a resposta destes dispositivos foi a carga, obtida pela integração do sinal de corrente pelo tempo de exposição, em função da dose absorvida. Estudos da influência dos procedimentos de pré-irradiação na sensibilidade e estabilidade destes diodos mostraram que a sensibilidade decresce com a dose total absorvida mas depois de uma pré-irradiação de cerca de 873 kGy, eles se tornaram mais estáveis. Efeitos dos danos de radiação eventualmente produzidos nos diodos foram monitorados mediante medidas dinâmicas de corrente e de capacitância depois de cada etapa de irradiação. Ambas as amostras exibiram boa reprodutibilidade de resposta, 2,21% (Fz) e 2,94% (MCz), obtida com 13 medidas consecutivas de 15 kGy comparadas com a equivalentedose de 195 kGy absorvida em uma única etapa de irradiação. É importante notar que estes resultados são melhores do que aqueles obtidos com dosímetros de rotina de polimetilmetacrilato (PMMA) usados em processamento por radiação
- Imprenta:
- Data da defesa: 07.04.2010
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ABNT
PASCOALINO, Kelly Cristina da Silva. Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiação gama. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-12082011-102243/. Acesso em: 06 nov. 2024. -
APA
Pascoalino, K. C. da S. (2010). Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiação gama (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-12082011-102243/ -
NLM
Pascoalino KC da S. Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiação gama [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-12082011-102243/ -
Vancouver
Pascoalino KC da S. Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiação gama [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-12082011-102243/
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