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  • Trabalho de evento-resumo

    Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates (1997)

    Frizzarini, Marcos; Sperandio, Alexander Luz; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FRIZZARINI, Marcos et al. Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 21 jul. 2024.

    • APA

      Frizzarini, M., Sperandio, A. L., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1997). Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.

    • NLM

      Frizzarini M, Sperandio AL, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. Resumos. 1997 ;[citado 2024 jul. 21 ]

    • Vancouver

      Frizzarini M, Sperandio AL, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. Resumos. 1997 ;[citado 2024 jul. 21 ]

  • Artigo de periodico

    'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates (1997)

    Quivy, A. A.; Frizzarini, M; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Sperândio, A L; Leite, J. R.

    Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    Versão PublicadaHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      QUIVY, A. A. et al. 'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates. Brazilian Journal of Physics, v. 27/A, n. 4, p. 125-129, 1997Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8f9dfec-0636-4805-8ec4-758da2800819/a24v362a.pdf. Acesso em: 21 jul. 2024.

    • APA

      Quivy, A. A., Frizzarini, M., Silva, E. C. F. da, Sperândio, A. L., & Leite, J. R. (1997). 'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates. Brazilian Journal of Physics, 27/A( 4), 125-129. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8f9dfec-0636-4805-8ec4-758da2800819/a24v362a.pdf

    • NLM

      Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF da, Sperândio AL, Leite JR. 'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 125-129.[citado 2024 jul. 21 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8f9dfec-0636-4805-8ec4-758da2800819/a24v362a.pdf

    • Vancouver

      Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF da, Sperândio AL, Leite JR. 'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 125-129.[citado 2024 jul. 21 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8f9dfec-0636-4805-8ec4-758da2800819/a24v362a.pdf
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