Magnetoresistance of doped silicon (2015)
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
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ABNT
SILVA, Antonio Ferreira da et al. Magnetoresistance of doped silicon. PHYSICAL REVIEW B, v. 91, n. ju 2015, p. 214414, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.214414. Acesso em: 06 nov. 2024.APA
Silva, A. F. da, Boudinov, H., Sernelius, B. E., Momtaz, Z. S., & Levine, A. (2015). Magnetoresistance of doped silicon. PHYSICAL REVIEW B, 91( ju 2015), 214414. doi:10.1103/physrevb.91.214414NLM
Silva AF da, Boudinov H, Sernelius BE, Momtaz ZS, Levine A. Magnetoresistance of doped silicon [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( ju 2015): 214414.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.214414Vancouver
Silva AF da, Boudinov H, Sernelius BE, Momtaz ZS, Levine A. Magnetoresistance of doped silicon [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( ju 2015): 214414.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.214414
