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  • Relatorio tecnico

    Magnetoresistance of doped silicon (2015)

    Silva, Antonio Ferreira da; Boudinov, Henri; Sernelius, Bo E.; Momtaz, Zahra Sadre; Levine, Alexandre

    Unidade: IF

    Subjects: ESPECTROSCOPIA, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, Antonio Ferreira da et al. Magnetoresistance of doped silicon. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/pdf/1506.01542v1.pdf. Acesso em: 01 out. 2024. , 2015

    • APA

      Silva, A. F. da, Boudinov, H., Sernelius, B. E., Momtaz, Z. S., & Levine, A. (2015). Magnetoresistance of doped silicon. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/pdf/1506.01542v1.pdf

    • NLM

      Silva AF da, Boudinov H, Sernelius BE, Momtaz ZS, Levine A. Magnetoresistance of doped silicon [Internet]. 2015 ;[citado 2024 out. 01 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1506.01542v1.pdf

    • Vancouver

      Silva AF da, Boudinov H, Sernelius BE, Momtaz ZS, Levine A. Magnetoresistance of doped silicon [Internet]. 2015 ;[citado 2024 out. 01 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1506.01542v1.pdf

  • Artigo de periodico

    Magnetoresistance of doped silicon (2015)

    Silva, Antonio Ferreira da; Boudinov, Henri; Sernelius, Bo E.; Momtaz, Zahra Sadre; Levine, Alexandre

    Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, Antonio Ferreira da et al. Magnetoresistance of doped silicon. PHYSICAL REVIEW B, v. 91, n. ju 2015, p. 214414, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.214414. Acesso em: 01 out. 2024.

    • APA

      Silva, A. F. da, Boudinov, H., Sernelius, B. E., Momtaz, Z. S., & Levine, A. (2015). Magnetoresistance of doped silicon. PHYSICAL REVIEW B, 91( ju 2015), 214414. doi:10.1103/physrevb.91.214414

    • NLM

      Silva AF da, Boudinov H, Sernelius BE, Momtaz ZS, Levine A. Magnetoresistance of doped silicon [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( ju 2015): 214414.[citado 2024 out. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.214414

    • Vancouver

      Silva AF da, Boudinov H, Sernelius BE, Momtaz ZS, Levine A. Magnetoresistance of doped silicon [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( ju 2015): 214414.[citado 2024 out. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.214414

  • Artigo de periodico

    Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si (2002)

    Araujo, C. Moyses; Fernandez, J. R. L.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, I.; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E.; Tabata, A.; Persson, C.; Ahuja, R.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.

    Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ARAUJO, C. Moyses et al. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, v. 33, n. 4, p. 365-369, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1. Acesso em: 01 out. 2024.

    • APA

      Araujo, C. M., Fernandez, J. R. L., Silva, A. F. da, Pepe, I., Leite, J. R., Sernelius, B. E., et al. (2002). Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, 33( 4), 365-369. doi:10.1016/s0026-2692(01)00133-1

    • NLM

      Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2024 out. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1

    • Vancouver

      Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2024 out. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1
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