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Trabalho de evento
Processo de limpeza para laminas de silicio (1994)
Leite, N G; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Source: Cbecimat: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciencia dos Materiais. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
LEITE, N G e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e HASENACK, Claus Martin. Processo de limpeza para laminas de silicio. 1994, Anais.. Sao Paulo: Ifusp/Epusp/Ipt, 1994. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Leite, N. G., Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1994). Processo de limpeza para laminas de silicio. In Cbecimat: Anais. Sao Paulo: Ifusp/Epusp/Ipt.
NLM
Leite NG, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Processo de limpeza para laminas de silicio. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Leite NG, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Processo de limpeza para laminas de silicio. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Silicon surface roughening induced by c'BR''F IND.3' plasma during the reactive ion etching (1992)
Yamamoto, R K; Lopes, M C V; Akamine, C T; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Source: Resumos. Conference titles: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciencia dos Materiais. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
YAMAMOTO, R K et al. Silicon surface roughening induced by c'BR''F IND.3' plasma during the reactive ion etching. 1992, Anais.. Campinas: Unicamp/Cbecimat, 1992. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Yamamoto, R. K., Lopes, M. C. V., Akamine, C. T., Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1992). Silicon surface roughening induced by c'BR''F IND.3' plasma during the reactive ion etching. In Resumos. Campinas: Unicamp/Cbecimat.
NLM
Yamamoto RK, Lopes MCV, Akamine CT, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Silicon surface roughening induced by c'BR''F IND.3' plasma during the reactive ion etching. Resumos. 1992 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Yamamoto RK, Lopes MCV, Akamine CT, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Silicon surface roughening induced by c'BR''F IND.3' plasma during the reactive ion etching. Resumos. 1992 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento
Silicon surface roughening induced by c 'BR''F IND.3' plasma during the reactive ion etching (1992)
Yamamoto, R K; Lopes, M C V; Akamine, C T; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Source: Cbecimat: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciencia dos Materiais. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, PLASMA (MICROELETRÔNICA), SILÍCIO
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ABNT
YAMAMOTO, R K et al. Silicon surface roughening induced by c 'BR''F IND.3' plasma during the reactive ion etching. 1992, Anais.. Campinas: Unicamp, 1992. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Yamamoto, R. K., Lopes, M. C. V., Akamine, C. T., Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1992). Silicon surface roughening induced by c 'BR''F IND.3' plasma during the reactive ion etching. In Cbecimat: Anais. Campinas: Unicamp.
NLM
Yamamoto RK, Lopes MCV, Akamine CT, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Silicon surface roughening induced by c 'BR''F IND.3' plasma during the reactive ion etching. Cbecimat: Anais. 1992 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Yamamoto RK, Lopes MCV, Akamine CT, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Silicon surface roughening induced by c 'BR''F IND.3' plasma during the reactive ion etching. Cbecimat: Anais. 1992 ;[citado 2024 nov. 01 ]

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