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  • Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: MATERIAIS MAGNÉTICOS, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, NÍQUEL

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SANTOS, J P T et al. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, v. 101, n. 11, p. 112403, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4751285. Acesso em: 16 nov. 2024.
    • APA

      Santos, J. P. T., Marques, M., Pelá, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2012). Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, 101( 11), 112403. doi:10.1063/1.4751285
    • NLM

      Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285
    • Vancouver

      Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SANTOS, J P T et al. Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors. Physical Review B, v. 81, n. 8, p. 115209/1-115209/8, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.115209. Acesso em: 16 nov. 2024.
    • APA

      Santos, J. P. T., Gusev, G. M., Marques, M., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2010). Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors. Physical Review B, 81( 8), 115209/1-115209/8. doi:10.1103/physrevb.81.115209
    • NLM

      Santos JPT, Gusev GM, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 8): 115209/1-115209/8.[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.115209
    • Vancouver

      Santos JPT, Gusev GM, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 8): 115209/1-115209/8.[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.115209
  • Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS MAGNÉTICOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SANTOS, J P T et al. Theoretical study of the double doping of GaN and ZnO with transition metals. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0560-1.pdf. Acesso em: 16 nov. 2024.
    • APA

      Santos, J. P. T., Marques, M., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2008). Theoretical study of the double doping of GaN and ZnO with transition metals. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0560-1.pdf
    • NLM

      Santos JPT, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study of the double doping of GaN and ZnO with transition metals [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 16 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0560-1.pdf
    • Vancouver

      Santos JPT, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study of the double doping of GaN and ZnO with transition metals [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 16 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0560-1.pdf

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