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  • Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

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    • ABNT

      HAHN, S et al. Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters, v. 50, n. 7 , p. 401-3, 1987Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2024.
    • APA

      Hahn, S., Arst, M., Rek, Z. U., Stojanoff, V., Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E., & Tiller, W. A. (1987). Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters, 50( 7 ), 401-3.
    • NLM

      Hahn S, Arst M, Rek ZU, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE, Tiller WA. Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters. 1987 ;50( 7 ): 401-3.[citado 2024 nov. 04 ]
    • Vancouver

      Hahn S, Arst M, Rek ZU, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE, Tiller WA. Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters. 1987 ;50( 7 ): 401-3.[citado 2024 nov. 04 ]
  • Source: Mat Science Forum. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF

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    • ABNT

      HAHN, S et al. Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 04 nov. 2024. , 1986
    • APA

      Hahn, S., Shatas, S., Stein, H. J., Arst, M., Sadana, D. K., Rek, Z. U., & Stojanoff, V. (1986). Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
    • NLM

      Hahn S, Shatas S, Stein HJ, Arst M, Sadana DK, Rek ZU, Stojanoff V. Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 973-8.[citado 2024 nov. 04 ]
    • Vancouver

      Hahn S, Shatas S, Stein HJ, Arst M, Sadana DK, Rek ZU, Stojanoff V. Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 973-8.[citado 2024 nov. 04 ]

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