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Artigo de periodico
Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides (2003)
Ramos, L E; Furthmüller, J; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Bechstedt, F
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
RAMOS, L E et al. Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides. Physical Review B, v. 68, n. 8, p. 085209/1-085209/12, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.085209. Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Ramos, L. E., Furthmüller, J., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & Bechstedt, F. (2003). Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides. Physical Review B, 68( 8), 085209/1-085209/12. doi:10.1103/physrevb.68.085209
NLM
Ramos LE, Furthmüller J, Leite JR, Scolfaro LMR, Bechstedt F. Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 68( 8): 085209/1-085209/12.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.085209
Vancouver
Ramos LE, Furthmüller J, Leite JR, Scolfaro LMR, Bechstedt F. Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 68( 8): 085209/1-085209/12.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.085209
Artigo de periodico
Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels (2002)
Ramos, L E; Furthmuller, J; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Bechstedt, F
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
RAMOS, L E et al. Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels. Physical Review B, v. 66, n. 7, p. 075209/1-075209/ , 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.66.075209. Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Ramos, L. E., Furthmuller, J., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Bechstedt, F. (2002). Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels. Physical Review B, 66( 7), 075209/1-075209/ . doi:10.1103/physrevb.66.075209
NLM
Ramos LE, Furthmuller J, Scolfaro LMR, Leite JR, Bechstedt F. Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 66( 7): 075209/1-075209/ .[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.66.075209
Vancouver
Ramos LE, Furthmuller J, Scolfaro LMR, Leite JR, Bechstedt F. Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 66( 7): 075209/1-075209/ .[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.66.075209
Artigo de periodico
Carbon-based defects in GaN: doping behaviour (2002)
Ramos, L E; Furthmuller, J; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Bechstedt, F
Source: Physica Status Solidi B-Basic Research. Unidade: IF
Subjects: CRISTALOGRAFIA FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
RAMOS, L E et al. Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research, v. 234, n. 4, p. 864-867, 2002Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Ramos, L. E., Furthmuller, J., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & Bechstedt, F. (2002). Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research, 234( 4), 864-867.
NLM
Ramos LE, Furthmuller J, Leite JR, Scolfaro LMR, Bechstedt F. Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 4): 864-867.[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Ramos LE, Furthmuller J, Leite JR, Scolfaro LMR, Bechstedt F. Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 4): 864-867.[citado 2024 nov. 04 ]

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