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  • Artigo de periodico

    Bulk properties of InN films determined by experiments and theory (2014)

    Kumar, M.; Baldissera, G.; Persson, C.; David, D. G. F.; Silva, M. V. S. da; Ferreira da Silva, A.; Freitas, J. A., Jr.; Tischler, J. G.; Chubaci, José Fernando Diniz ; Matsuoka, Masao

    Source: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. Unidade: IF

    Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      KUMAR, M. et al. Bulk properties of InN films determined by experiments and theory. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, v. 403, p. 124-127, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Kumar, M., Baldissera, G., Persson, C., David, D. G. F., Silva, M. V. S. da, Ferreira da Silva, A., et al. (2014). Bulk properties of InN films determined by experiments and theory. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 403, 124-127. doi:10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001

    • NLM

      Kumar M, Baldissera G, Persson C, David DGF, Silva MVS da, Ferreira da Silva A, Freitas JA, Tischler JG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Bulk properties of InN films determined by experiments and theory [Internet]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2014 ; 403 124-127.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001

    • Vancouver

      Kumar M, Baldissera G, Persson C, David DGF, Silva MVS da, Ferreira da Silva A, Freitas JA, Tischler JG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Bulk properties of InN films determined by experiments and theory [Internet]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2014 ; 403 124-127.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001

  • Artigo de periodico

    Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si (2002)

    Araujo, C. Moyses; Fernandez, J. R. L.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, I.; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E.; Tabata, A.; Persson, C.; Ahuja, R.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.

    Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ARAUJO, C. Moyses et al. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, v. 33, n. 4, p. 365-369, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Araujo, C. M., Fernandez, J. R. L., Silva, A. F. da, Pepe, I., Leite, J. R., Sernelius, B. E., et al. (2002). Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, 33( 4), 365-369. doi:10.1016/s0026-2692(01)00133-1

    • NLM

      Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1

    • Vancouver

      Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1
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