Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito (1996)
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DANTAS, N S et al. Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 08 nov. 2024.APA
Dantas, N. S., Mota, F., Canuto, S., Fazzio, A., Alves, A., Pepe, I., & Silva, A. F. (1996). Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.NLM
Dantas NS, Mota F, Canuto S, Fazzio A, Alves A, Pepe I, Silva AF. Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito. Resumos. 1996 ;[citado 2024 nov. 08 ]Vancouver
Dantas NS, Mota F, Canuto S, Fazzio A, Alves A, Pepe I, Silva AF. Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito. Resumos. 1996 ;[citado 2024 nov. 08 ]
