Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions (2003)
Source: Programa e Libro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 10 nov. 2024.APA
Pacheco-Salazar, D. G., Leite, J. R., As, D. J., Potthast, A., & Lischka, K. (2003). Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. In Programa e Libro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.NLM
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, As DJ, Potthast A, Lischka K. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. Programa e Libro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 10 ]Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, As DJ, Potthast A, Lischka K. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. Programa e Libro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 10 ]
