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Trabalho de evento-resumo
Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well (2011)
Cavalcante, J S; Silva, E C F da; Bassetto Jr, C A Z; Oliveira, J B B de; Tabata, A
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
CAVALCANTE, J S et al. Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1381-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Cavalcante, J. S., Silva, E. C. F. da, Bassetto Jr, C. A. Z., Oliveira, J. B. B. de, & Tabata, A. (2011). Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1381-1.pdf
NLM
Cavalcante JS, Silva ECF da, Bassetto Jr CAZ, Oliveira JBB de, Tabata A. Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1381-1.pdf
Vancouver
Cavalcante JS, Silva ECF da, Bassetto Jr CAZ, Oliveira JBB de, Tabata A. Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1381-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Studies of strain relaxation on diluted nitride 'IN''GA''AS'N/'GA'AS' single quantum well (2011)
Bassetto Jr, C A Z; Cavalcante, J S; Oliveira, J B B de; Tabata, A; Silva, E C F da
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
BASSETTO JR, C A Z et al. Studies of strain relaxation on diluted nitride 'IN''GA''AS'N/'GA'AS' single quantum well. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2350-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Bassetto Jr, C. A. Z., Cavalcante, J. S., Oliveira, J. B. B. de, Tabata, A., & Silva, E. C. F. da. (2011). Studies of strain relaxation on diluted nitride 'IN''GA''AS'N/'GA'AS' single quantum well. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2350-1.pdf
NLM
Bassetto Jr CAZ, Cavalcante JS, Oliveira JBB de, Tabata A, Silva ECF da. Studies of strain relaxation on diluted nitride 'IN''GA''AS'N/'GA'AS' single quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2350-1.pdf
Vancouver
Bassetto Jr CAZ, Cavalcante JS, Oliveira JBB de, Tabata A, Silva ECF da. Studies of strain relaxation on diluted nitride 'IN''GA''AS'N/'GA'AS' single quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2350-1.pdf
Artigo de periodico
Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells (2002)
Laureto, E; Meneses, E A; Carvalho Junior, W; Bernussi, A A; Ribeiro, E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Oliveira, J B B de
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
LAURETO, E et al. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 314-317, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200017. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Laureto, E., Meneses, E. A., Carvalho Junior, W., Bernussi, A. A., Ribeiro, E., Silva, E. C. F. da, & Oliveira, J. B. B. de. (2002). Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 314-317. doi:10.1590/s0103-97332002000200017
NLM
Laureto E, Meneses EA, Carvalho Junior W, Bernussi AA, Ribeiro E, Silva ECF da, Oliveira JBB de. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 314-317.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200017
Vancouver
Laureto E, Meneses EA, Carvalho Junior W, Bernussi AA, Ribeiro E, Silva ECF da, Oliveira JBB de. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 314-317.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200017

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