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Artigo de periodico
Photoinduced conductivity in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X' at low temperature (1994)
Scalvi, L V A; Oliveira, L.; Minami, E; Degani, Marcos Henrique; Siu Li, Máximo
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
SCALVI, L V A et al. Photoinduced conductivity in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X' at low temperature. Brazilian Journal of Physics, v. 24, n. 1 , p. 379-84, 1994Tradução . . Acesso em: 01 maio 2026.
APA
Scalvi, L. V. A., Oliveira, L., Minami, E., Degani, M. H., & Siu Li, M. (1994). Photoinduced conductivity in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X' at low temperature. Brazilian Journal of Physics, 24( 1 ), 379-84.
NLM
Scalvi LVA, Oliveira L, Minami E, Degani MH, Siu Li M. Photoinduced conductivity in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X' at low temperature. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 379-84.[citado 2026 maio 01 ]
Vancouver
Scalvi LVA, Oliveira L, Minami E, Degani MH, Siu Li M. Photoinduced conductivity in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X' at low temperature. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 379-84.[citado 2026 maio 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Light and thermal spectroscopy of donor impurity states in n-'AL''GA''AS' (1993)
Scalvi, L V A; Oliveira, L.; Minami, E; Siu Li, Máximo
Source: Technical Digest. Conference titles: International Conference on Luminescence. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCALVI, L V A et al. Light and thermal spectroscopy of donor impurity states in n-'AL''GA''AS'. 1993, Anais.. Storrs: University of Connecticut, 1993. . Acesso em: 01 maio 2026.
APA
Scalvi, L. V. A., Oliveira, L., Minami, E., & Siu Li, M. (1993). Light and thermal spectroscopy of donor impurity states in n-'AL''GA''AS'. In Technical Digest. Storrs: University of Connecticut.
NLM
Scalvi LVA, Oliveira L, Minami E, Siu Li M. Light and thermal spectroscopy of donor impurity states in n-'AL''GA''AS'. Technical Digest. 1993 ;[citado 2026 maio 01 ]
Vancouver
Scalvi LVA, Oliveira L, Minami E, Siu Li M. Light and thermal spectroscopy of donor impurity states in n-'AL''GA''AS'. Technical Digest. 1993 ;[citado 2026 maio 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Investigacao dos estados do atomo doador em n-'AL''GA''AS' (1993)
Scalvi, L V A; Siu Li, Máximo ; Minami, E; Oliveira, L.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCALVI, L V A et al. Investigacao dos estados do atomo doador em n-'AL''GA''AS'. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 01 maio 2026.
APA
Scalvi, L. V. A., Siu Li, M., Minami, E., & Oliveira, L. (1993). Investigacao dos estados do atomo doador em n-'AL''GA''AS'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Scalvi LVA, Siu Li M, Minami E, Oliveira L. Investigacao dos estados do atomo doador em n-'AL''GA''AS'. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2026 maio 01 ]
Vancouver
Scalvi LVA, Siu Li M, Minami E, Oliveira L. Investigacao dos estados do atomo doador em n-'AL''GA''AS'. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2026 maio 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedade dipolar eletrica em filmes de'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' tipo-n com gap direto e indiretoo (1993)
Scalvi, L V A; Oliveira, L.; Minami, E; Siu Li, Máximo
Source: Resumos. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicacoes de Vacuo Na Industria e Na Ciencia. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCALVI, L V A et al. Propriedade dipolar eletrica em filmes de'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' tipo-n com gap direto e indiretoo. 1993, Anais.. Recife: Universidade Federal de Pernambuco, 1993. . Acesso em: 01 maio 2026.
APA
Scalvi, L. V. A., Oliveira, L., Minami, E., & Siu Li, M. (1993). Propriedade dipolar eletrica em filmes de'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' tipo-n com gap direto e indiretoo. In Resumos. Recife: Universidade Federal de Pernambuco.
NLM
Scalvi LVA, Oliveira L, Minami E, Siu Li M. Propriedade dipolar eletrica em filmes de'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' tipo-n com gap direto e indiretoo. Resumos. 1993 ;[citado 2026 maio 01 ]
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Scalvi LVA, Oliveira L, Minami E, Siu Li M. Propriedade dipolar eletrica em filmes de'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' tipo-n com gap direto e indiretoo. Resumos. 1993 ;[citado 2026 maio 01 ]
Trabalho de evento-resumo
On the photoconductivity of n-doped 'AL''GA''AS' around liquid 'HE' temperature (1993)
Scalvi, L V A; Siu Li, Máximo ; Minami, E; Oliveira, L.
Source: Abstracts. Conference titles: Brazilian School of Semiconductor Physics. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
SCALVI, L V A et al. On the photoconductivity of n-doped 'AL''GA''AS' around liquid 'HE' temperature. 1993, Anais.. Sao Carlos: Usp/Ufscar, 1993. . Acesso em: 01 maio 2026.
APA
Scalvi, L. V. A., Siu Li, M., Minami, E., & Oliveira, L. (1993). On the photoconductivity of n-doped 'AL''GA''AS' around liquid 'HE' temperature. In Abstracts. Sao Carlos: Usp/Ufscar.
NLM
Scalvi LVA, Siu Li M, Minami E, Oliveira L. On the photoconductivity of n-doped 'AL''GA''AS' around liquid 'HE' temperature. Abstracts. 1993 ;[citado 2026 maio 01 ]
Vancouver
Scalvi LVA, Siu Li M, Minami E, Oliveira L. On the photoconductivity of n-doped 'AL''GA''AS' around liquid 'HE' temperature. Abstracts. 1993 ;[citado 2026 maio 01 ]
Artigo de periodico
Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' (1993)
Scalvi, L V A; Oliveira, L.; Minami, E; Siu Li, Máximo
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCALVI, L V A et al. Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Applied Physics Letters, v. no 1993, n. 19, p. 2658-60, 1993Tradução . . Acesso em: 01 maio 2026.
APA
Scalvi, L. V. A., Oliveira, L., Minami, E., & Siu Li, M. (1993). Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Applied Physics Letters, no 1993( 19), 2658-60.
NLM
Scalvi LVA, Oliveira L, Minami E, Siu Li M. Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Applied Physics Letters. 1993 ; no 1993( 19): 2658-60.[citado 2026 maio 01 ]
Vancouver
Scalvi LVA, Oliveira L, Minami E, Siu Li M. Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Applied Physics Letters. 1993 ; no 1993( 19): 2658-60.[citado 2026 maio 01 ]
Artigo de periodico
Propriedade dipolar eletrica em filmes de 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' tipo n (1992)
Scalvi, L V A; Oliveira, L.; Minami, E; Siu Li, Máximo
Source: Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCALVI, L V A et al. Propriedade dipolar eletrica em filmes de 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' tipo n. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo, v. 11, n. 2 , p. 35-9, 1992Tradução . . Acesso em: 01 maio 2026.
APA
Scalvi, L. V. A., Oliveira, L., Minami, E., & Siu Li, M. (1992). Propriedade dipolar eletrica em filmes de 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' tipo n. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo, 11( 2 ), 35-9.
NLM
Scalvi LVA, Oliveira L, Minami E, Siu Li M. Propriedade dipolar eletrica em filmes de 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' tipo n. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. 1992 ;11( 2 ): 35-9.[citado 2026 maio 01 ]
Vancouver
Scalvi LVA, Oliveira L, Minami E, Siu Li M. Propriedade dipolar eletrica em filmes de 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' tipo n. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. 1992 ;11( 2 ): 35-9.[citado 2026 maio 01 ]
Trabalho de evento
Sonda de fibra optica para utilizacao a temperatura de helio liquido, caracterizacao de 'LI''NB''O IND.3': 'ER POT.3+' (1992)
Minami, E; Dornellas, J C A; Siu Li, Máximo
Source: Anais. Conference titles: Simposio Estadual de Lasers e Aplicacoes. Unidade: IFSC
Assunto: ÓPTICA
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ABNT
MINAMI, E e DORNELLAS, J C A e SIU LI, Máximo. Sonda de fibra optica para utilizacao a temperatura de helio liquido, caracterizacao de 'LI''NB''O IND.3': 'ER POT.3+'. 1992, Anais.. São Paulo: Ipen, 1992. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/921a941e-b59b-409e-952f-4e1622fcdb4c/PROD002364_841501.pdf. Acesso em: 01 maio 2026.
APA
Minami, E., Dornellas, J. C. A., & Siu Li, M. (1992). Sonda de fibra optica para utilizacao a temperatura de helio liquido, caracterizacao de 'LI''NB''O IND.3': 'ER POT.3+'. In Anais. São Paulo: Ipen. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/921a941e-b59b-409e-952f-4e1622fcdb4c/PROD002364_841501.pdf
NLM
Minami E, Dornellas JCA, Siu Li M. Sonda de fibra optica para utilizacao a temperatura de helio liquido, caracterizacao de 'LI''NB''O IND.3': 'ER POT.3+' [Internet]. Anais. 1992 ;[citado 2026 maio 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/921a941e-b59b-409e-952f-4e1622fcdb4c/PROD002364_841501.pdf
Vancouver
Minami E, Dornellas JCA, Siu Li M. Sonda de fibra optica para utilizacao a temperatura de helio liquido, caracterizacao de 'LI''NB''O IND.3': 'ER POT.3+' [Internet]. Anais. 1992 ;[citado 2026 maio 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/921a941e-b59b-409e-952f-4e1622fcdb4c/PROD002364_841501.pdf
Trabalho de evento-resumo
Sonda de fibra optica para utilizacao a temperatura, caracterizacao de 'LI''NB''O IND.3': 'ER POT.3+' (1992)
Minami, E; Dornellas, J C A; Siu Li, Máximo
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Simposio Estadual de Lasers e Aplicacoes. Unidade: IFSC
Assunto: ÓPTICA
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ABNT
MINAMI, E e DORNELLAS, J C A e SIU LI, Máximo. Sonda de fibra optica para utilizacao a temperatura, caracterizacao de 'LI''NB''O IND.3': 'ER POT.3+'. 1992, Anais.. São Paulo: Ipen, 1992. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/15b4b3fa-7159-4936-b4e8-ade1825e06c7/PROD002354_841504.pdf. Acesso em: 01 maio 2026.
APA
Minami, E., Dornellas, J. C. A., & Siu Li, M. (1992). Sonda de fibra optica para utilizacao a temperatura, caracterizacao de 'LI''NB''O IND.3': 'ER POT.3+'. In Programa e Resumos. São Paulo: Ipen. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/15b4b3fa-7159-4936-b4e8-ade1825e06c7/PROD002354_841504.pdf
NLM
Minami E, Dornellas JCA, Siu Li M. Sonda de fibra optica para utilizacao a temperatura, caracterizacao de 'LI''NB''O IND.3': 'ER POT.3+' [Internet]. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2026 maio 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/15b4b3fa-7159-4936-b4e8-ade1825e06c7/PROD002354_841504.pdf
Vancouver
Minami E, Dornellas JCA, Siu Li M. Sonda de fibra optica para utilizacao a temperatura, caracterizacao de 'LI''NB''O IND.3': 'ER POT.3+' [Internet]. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2026 maio 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/15b4b3fa-7159-4936-b4e8-ade1825e06c7/PROD002354_841504.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Shallow and deep dx center in 'PB'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' (1992)
Basmaji, Pierre; Minami, E; Scalvi, L V A
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: March Meeting. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre e MINAMI, E e SCALVI, L V A. Shallow and deep dx center in 'PB'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Bulletin of the American Physical Society. New York: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/185f8a83-80fe-4447-827e-f07a0306442e/PROD002457_844700.pdf. Acesso em: 01 maio 2026. , 1992
APA
Basmaji, P., Minami, E., & Scalvi, L. V. A. (1992). Shallow and deep dx center in 'PB'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Bulletin of the American Physical Society. New York: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/185f8a83-80fe-4447-827e-f07a0306442e/PROD002457_844700.pdf
NLM
Basmaji P, Minami E, Scalvi LVA. Shallow and deep dx center in 'PB'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1992 ;37( 1 ): 358.[citado 2026 maio 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/185f8a83-80fe-4447-827e-f07a0306442e/PROD002457_844700.pdf
Vancouver
Basmaji P, Minami E, Scalvi LVA. Shallow and deep dx center in 'PB'-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1992 ;37( 1 ): 358.[citado 2026 maio 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/185f8a83-80fe-4447-827e-f07a0306442e/PROD002457_844700.pdf
Trabalho de evento-resumo
Analise da influencia de niveis profundos no espectro de fotocondutividade a baixa temperatura (1991)
Scalvi, L V A; Minami, E; Basmaji, Pierre
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCALVI, L V A e MINAMI, E e BASMAJI, Pierre. Analise da influencia de niveis profundos no espectro de fotocondutividade a baixa temperatura. 1991, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1991. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/322f6a2a-a06b-469c-8566-40e8fc7095f6/PROD001855_813547.pdf. Acesso em: 01 maio 2026.
APA
Scalvi, L. V. A., Minami, E., & Basmaji, P. (1991). Analise da influencia de niveis profundos no espectro de fotocondutividade a baixa temperatura. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/322f6a2a-a06b-469c-8566-40e8fc7095f6/PROD001855_813547.pdf
NLM
Scalvi LVA, Minami E, Basmaji P. Analise da influencia de niveis profundos no espectro de fotocondutividade a baixa temperatura [Internet]. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2026 maio 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/322f6a2a-a06b-469c-8566-40e8fc7095f6/PROD001855_813547.pdf
Vancouver
Scalvi LVA, Minami E, Basmaji P. Analise da influencia de niveis profundos no espectro de fotocondutividade a baixa temperatura [Internet]. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2026 maio 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/322f6a2a-a06b-469c-8566-40e8fc7095f6/PROD001855_813547.pdf
Artigo de periodico
Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' (1990)
Minami, E; Migliato, J; Notari, A; Ceschin, A M; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo
Source: Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MINAMI, E et al. Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo, v. 9 , n. 1 , p. 14-6, 1990Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6384f6ba-226c-46af-8253-697e04ba2681/PROD001803_812778.pdf. Acesso em: 01 maio 2026.
APA
Minami, E., Migliato, J., Notari, A., Ceschin, A. M., Basmaji, P., & Siu Li, M. (1990). Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo, 9 ( 1 ), 14-6. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/6384f6ba-226c-46af-8253-697e04ba2681/PROD001803_812778.pdf
NLM
Minami E, Migliato J, Notari A, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M. Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' [Internet]. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. 1990 ;9 ( 1 ): 14-6.[citado 2026 maio 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6384f6ba-226c-46af-8253-697e04ba2681/PROD001803_812778.pdf
Vancouver
Minami E, Migliato J, Notari A, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M. Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' [Internet]. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. 1990 ;9 ( 1 ): 14-6.[citado 2026 maio 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6384f6ba-226c-46af-8253-697e04ba2681/PROD001803_812778.pdf
Trabalho de evento-resumo
Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie (1989)
Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Ceschin, A M; Migliato, J; Minami, E; Manzoli, E; Scharappe, B
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, FOTÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e1842a9f-8bf8-4b85-873c-81949d00e5b0/PROD001037_786089.pdf. Acesso em: 01 maio 2026.
APA
Basmaji, P., Siu Li, M., Ceschin, A. M., Migliato, J., Minami, E., Manzoli, E., & Scharappe, B. (1989). Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/e1842a9f-8bf8-4b85-873c-81949d00e5b0/PROD001037_786089.pdf
NLM
Basmaji P, Siu Li M, Ceschin AM, Migliato J, Minami E, Manzoli E, Scharappe B. Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2026 maio 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e1842a9f-8bf8-4b85-873c-81949d00e5b0/PROD001037_786089.pdf
Vancouver
Basmaji P, Siu Li M, Ceschin AM, Migliato J, Minami E, Manzoli E, Scharappe B. Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2026 maio 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e1842a9f-8bf8-4b85-873c-81949d00e5b0/PROD001037_786089.pdf

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