Photoluminescence of cubic GaN/GaAs (100) grown by RF-MBE (2001)
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, EFEITO MOSSBAUER
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUEZ, A M O de Zevallos et al. Photoluminescence of cubic GaN/GaAs (100) grown by RF-MBE. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 04 set. 2024.APA
Marquez, A. M. O. de Z., Noriega, O. C., Leite, J. R., Tabata, A., Meneses, E., As, D. J., et al. (2001). Photoluminescence of cubic GaN/GaAs (100) grown by RF-MBE. In Resumos. São Paulo: SBF.NLM
Marquez AMO de Z, Noriega OC, Leite JR, Tabata A, Meneses E, As DJ, Schickora D, Lischka K. Photoluminescence of cubic GaN/GaAs (100) grown by RF-MBE. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 04 ]Vancouver
Marquez AMO de Z, Noriega OC, Leite JR, Tabata A, Meneses E, As DJ, Schickora D, Lischka K. Photoluminescence of cubic GaN/GaAs (100) grown by RF-MBE. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 04 ]