ReP USP - Resultado da busca

Filtros : "Menegasso, R." Limpar

Filtros

USP affiliated authors
- menegasso, ricardo (2)
- added, nemitala (1)
- aguiar, vitor ângelo paulino de (1)
- alberton, saulo gabriel pereira nascimento (1)
- cesário, greiciane de jesus (1)

Artigo de periodico
Thermal cycling reliability of hybrid pixel sensor modules for the ATLAS High Granularity Timing Detector (2025)
Li, Y.; Estevam, R ; Kuriyama, M. ; Leite, M. A. Lisboa ; Menegasso, R. ; Saito, G. T.
Source: Journal of Instrumentation. Unidades: IF, EP
Subjects: FÍSICA DE PARTÍCULAS, DETETORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LI, Y. et al. Thermal cycling reliability of hybrid pixel sensor modules for the ATLAS High Granularity Timing Detector. Journal of Instrumentation, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1748-0221/20/11/P11003. Acesso em: 05 maio 2026.
APA
Li, Y., Estevam, R., Kuriyama, M., Leite, M. A. L., Menegasso, R., & Saito, G. T. (2025). Thermal cycling reliability of hybrid pixel sensor modules for the ATLAS High Granularity Timing Detector. Journal of Instrumentation. doi:10.1088/1748-0221/20/11/P11003
NLM
Li Y, Estevam R, Kuriyama M, Leite MAL, Menegasso R, Saito GT. Thermal cycling reliability of hybrid pixel sensor modules for the ATLAS High Granularity Timing Detector [Internet]. Journal of Instrumentation. 2025 ;[citado 2026 maio 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1748-0221/20/11/P11003
Vancouver
Li Y, Estevam R, Kuriyama M, Leite MAL, Menegasso R, Saito GT. Thermal cycling reliability of hybrid pixel sensor modules for the ATLAS High Granularity Timing Detector [Internet]. Journal of Instrumentation. 2025 ;[citado 2026 maio 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1748-0221/20/11/P11003
Artigo de periodico
Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET (2022)
Alberton, S. G. ; Aguiar, Vitor^Ângelo Paulino de ; Medina, Nilberto Heder ; Added, Nemitala ; Macchione, E L A ; Menegasso, R. ; Cesário, G. J.; Santos, Hellen Cristine ; Scarduelli, Valdir Brunetti ; Alcántara-Núñez, J. A.; Guazzelli, M. A.; Santos, R. B. B.; Flechas, D.
Source: Microelectronics Reliability. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA NUCLEAR, ÍONS PESADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALBERTON, S. G. et al. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET. Microelectronics Reliability, v. 137, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784. Acesso em: 05 maio 2026.
APA
Alberton, S. G., Aguiar, V. ^Â. P. de, Medina, N. H., Added, N., Macchione, E. L. A., Menegasso, R., et al. (2022). Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET. Microelectronics Reliability, 137. doi:10.1016/j.microrel.2022.114784
NLM
Alberton SG, Aguiar V^ÂP de, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Menegasso R, Cesário GJ, Santos HC, Scarduelli VB, Alcántara-Núñez JA, Guazzelli MA, Santos RBB, Flechas D. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET [Internet]. Microelectronics Reliability. 2022 ; 137[citado 2026 maio 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784
Vancouver
Alberton SG, Aguiar V^ÂP de, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Menegasso R, Cesário GJ, Santos HC, Scarduelli VB, Alcántara-Núñez JA, Guazzelli MA, Santos RBB, Flechas D. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET [Internet]. Microelectronics Reliability. 2022 ; 137[citado 2026 maio 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784

Digital Library of Intellectual Production of Universidade de São Paulo 2012 - 2026