Fabricacao, caracterizacao e modelamento de transistor tipo FET de poli (o-metoxianilina) (1997)
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)
ABNT
ONMORI, Roberto Koji e MATTOSO, L H C e FARIA, Roberto Mendonça. Fabricacao, caracterizacao e modelamento de transistor tipo FET de poli (o-metoxianilina). 1997, Anais.. São Paulo: SBF, 1997. . Acesso em: 18 nov. 2024.APA
Onmori, R. K., Mattoso, L. H. C., & Faria, R. M. (1997). Fabricacao, caracterizacao e modelamento de transistor tipo FET de poli (o-metoxianilina). In Resumos. São Paulo: SBF.NLM
Onmori RK, Mattoso LHC, Faria RM. Fabricacao, caracterizacao e modelamento de transistor tipo FET de poli (o-metoxianilina). Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 18 ]Vancouver
Onmori RK, Mattoso LHC, Faria RM. Fabricacao, caracterizacao e modelamento de transistor tipo FET de poli (o-metoxianilina). Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 18 ]