Fabricacao, caracterizacao e modelamento de transistor tipo FET de poli (o-metoxianilina) (1997)
- Authors:
- Autor USP: FARIA, ROBERTO MENDONÇA - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
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ABNT
ONMORI, Roberto Koji e MATTOSO, L H C e FARIA, Roberto Mendonça. Fabricacao, caracterizacao e modelamento de transistor tipo FET de poli (o-metoxianilina). 1997, Anais.. São Paulo: SBF, 1997. . Acesso em: 16 abr. 2024. -
APA
Onmori, R. K., Mattoso, L. H. C., & Faria, R. M. (1997). Fabricacao, caracterizacao e modelamento de transistor tipo FET de poli (o-metoxianilina). In Resumos. São Paulo: SBF. -
NLM
Onmori RK, Mattoso LHC, Faria RM. Fabricacao, caracterizacao e modelamento de transistor tipo FET de poli (o-metoxianilina). Resumos. 1997 ;[citado 2024 abr. 16 ] -
Vancouver
Onmori RK, Mattoso LHC, Faria RM. Fabricacao, caracterizacao e modelamento de transistor tipo FET de poli (o-metoxianilina). Resumos. 1997 ;[citado 2024 abr. 16 ] - Silver nanowires and PEDOT:PSS for use as coated semitransparent electrode
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