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  • Artigo de periodico

    "Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon (1999)

    Capaz, R. B.; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Kimerling, L. C.; Cho, K.; Joannopoulos, J. D.

    Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAPAZ, R. B. et al. "Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 611-615, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002. Acesso em: 29 abr. 2026.

    • APA

      Capaz, R. B., Assali, L. V. C., Kimerling, L. C., Cho, K., & Joannopoulos, J. D. (1999). "Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 611-615. doi:10.1590/s0103-97331999000400002

    • NLM

      Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. "Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 611-615.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002

    • Vancouver

      Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. "Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 611-615.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002

  • Artigo de periodico

    Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon (1999)

    Capaz, R. B.; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Kimerling, L. C.; Cho, K; Joannopoulos, J. D.

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAPAZ, R. B. et al. Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon. Physical Review B, v. 59, n. 7, p. 4898-4900, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4898. Acesso em: 29 abr. 2026.

    • APA

      Capaz, R. B., Assali, L. V. C., Kimerling, L. C., Cho, K., & Joannopoulos, J. D. (1999). Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon. Physical Review B, 59( 7), 4898-4900. doi:10.1103/physrevb.59.4898

    • NLM

      Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4898-4900.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4898

    • Vancouver

      Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4898-4900.[citado 2026 abr. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4898
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