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Artigo de periodico
Defects in mercuric iodide: an APW investigation (2003)
Ayres, F; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Fonte: Physica B. Unidades: EP, IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS)
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ABNT
AYRES, F et al. Defects in mercuric iodide: an APW investigation. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.236. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Ayres, F., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2003). Defects in mercuric iodide: an APW investigation. Physica B. doi:10.1016/j.physb.2003.09.236
NLM
Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Defects in mercuric iodide: an APW investigation [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.236
Vancouver
Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Defects in mercuric iodide: an APW investigation [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.236
Trabalho de evento-resumo
A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide (2003)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IF, EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2003). A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic effects (2003)
Ayres, F; Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidades: IF, EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
AYRES, F et al. A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic effects. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Ayres, F., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2003). A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic effects. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic effects. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic effects. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
An ab initio investigation on the structural and electronic properties of Ti impurities in silicon, diamond, and silicon carbide (2003)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Book of Abstract. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidades: IF, EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. An ab initio investigation on the structural and electronic properties of Ti impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2003). An ab initio investigation on the structural and electronic properties of Ti impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. An ab initio investigation on the structural and electronic properties of Ti impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. An ab initio investigation on the structural and electronic properties of Ti impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]
Artigo de periodico
An ab initio investigation on nickel impurities in diamond (2003)
Larico, R; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Fonte: Physica B. Unidades: EP, IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS)
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ABNT
LARICO, R et al. An ab initio investigation on nickel impurities in diamond. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.010. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Larico, R., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2003). An ab initio investigation on nickel impurities in diamond. Physica B. doi:10.1016/j.physb.2003.09.010
NLM
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. An ab initio investigation on nickel impurities in diamond [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.010
Vancouver
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. An ab initio investigation on nickel impurities in diamond [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.010
Artigo de periodico
Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC (2003)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Physica B. Unidades: IF, EP
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.008. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2003). Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC. Physica B. doi:10.1016/j.physb.2003.09.008
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.008
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.008
Trabalho de evento-resumo
Vacancy cluster evolution in silicon: response to external load (2003)
Malarenko Junior, H; Caldas, Marília Junqueira; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidades: IF, EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS), PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MALARENKO JUNIOR, H e CALDAS, Marília Junqueira e JUSTO FILHO, João Francisco. Vacancy cluster evolution in silicon: response to external load. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Malarenko Junior, H., Caldas, M. J., & Justo Filho, J. F. (2003). Vacancy cluster evolution in silicon: response to external load. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Malarenko Junior H, Caldas MJ, Justo Filho JF. Vacancy cluster evolution in silicon: response to external load. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Malarenko Junior H, Caldas MJ, Justo Filho JF. Vacancy cluster evolution in silicon: response to external load. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Manganese and iron impurities in gallium nitride (2003)
Assali, L. V. C. ; Ayres, F; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Book of Abstracts II (POSTER). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IF, EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Manganese and iron impurities in gallium nitride. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Ayres, F., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2003). Manganese and iron impurities in gallium nitride. In Book of Abstracts II (POSTER). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Assali LVC, Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese and iron impurities in gallium nitride. Book of Abstracts II (POSTER). 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Assali LVC, Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese and iron impurities in gallium nitride. Book of Abstracts II (POSTER). 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Structural and electronic properties of Ni-related active centers in diamond (2003)
Larico, R; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: EP, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO, R et al. Structural and electronic properties of Ni-related active centers in diamond. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Larico, R., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2003). Structural and electronic properties of Ni-related active centers in diamond. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Structural and electronic properties of Ni-related active centers in diamond. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Structural and electronic properties of Ni-related active centers in diamond. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Nickel impurities in diamond: a first principles investigation (2003)
Larico, R; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Fonte: Book of Abstract. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidades: IF, EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO, R et al. Nickel impurities in diamond: a first principles investigation. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Larico, R., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2003). Nickel impurities in diamond: a first principles investigation. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Nickel impurities in diamond: a first principles investigation. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Nickel impurities in diamond: a first principles investigation. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronic and structural properties of intrinsic and extrinsic defects in red mercuric iodide (2003)
Ayres, F; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Fonte: Books of Abstracts II (POSTER). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IF, EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AYRES, F et al. Electronic and structural properties of intrinsic and extrinsic defects in red mercuric iodide. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Ayres, F., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2003). Electronic and structural properties of intrinsic and extrinsic defects in red mercuric iodide. In Books of Abstracts II (POSTER). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Electronic and structural properties of intrinsic and extrinsic defects in red mercuric iodide. Books of Abstracts II (POSTER). 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Electronic and structural properties of intrinsic and extrinsic defects in red mercuric iodide. Books of Abstracts II (POSTER). 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]
Artigo de periodico
Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si (2003)
Assali, L. V. C. ; Gan, F; Kimberling, L C; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Applied Physics A-Materials Science & Processing. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, LUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si. Applied Physics A-Materials Science & Processing, v. 76, n. 6, p. 991-997, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s00339-002-1990-7. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Gan, F., Kimberling, L. C., & Justo Filho, J. F. (2003). Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si. Applied Physics A-Materials Science & Processing, 76( 6), 991-997. doi:10.1007/s00339-002-1990-7
NLM
Assali LVC, Gan F, Kimberling LC, Justo Filho JF. Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si [Internet]. Applied Physics A-Materials Science & Processing. 2003 ; 76( 6): 991-997.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s00339-002-1990-7
Vancouver
Assali LVC, Gan F, Kimberling LC, Justo Filho JF. Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si [Internet]. Applied Physics A-Materials Science & Processing. 2003 ; 76( 6): 991-997.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s00339-002-1990-7
Trabalho de evento-resumo
Aggregation and formation energies of vacancy clusters in Si obtained through the EDIP method (2003)
Malarenko, Henady; Caldas, Marília Junqueira; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MALARENKO, Henady e CALDAS, Marília Junqueira e JUSTO FILHO, João Francisco. Aggregation and formation energies of vacancy clusters in Si obtained through the EDIP method. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Malarenko, H., Caldas, M. J., & Justo Filho, J. F. (2003). Aggregation and formation energies of vacancy clusters in Si obtained through the EDIP method. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Malarenko H, Caldas MJ, Justo Filho JF. Aggregation and formation energies of vacancy clusters in Si obtained through the EDIP method. Resumos. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Malarenko H, Caldas MJ, Justo Filho JF. Aggregation and formation energies of vacancy clusters in Si obtained through the EDIP method. Resumos. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]

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